如果按功能分，晶体有20 种之多,如半导体晶体、磁光晶体、激光晶体、电光晶体、声光晶体、非线性光学晶体、压电晶体、热释电晶体、铁电晶体、闪烁晶体、绝缘晶体、敏感晶体、光色晶体、超导晶体以及多功能晶体等。
以上来自下文（读读挺有意思的，真心的希望能够帮助你！）：
晶体学和晶体材料研究的进展2006-09-13 12:51 随着计算机技术和激光技术的发展, 人类已经走进了崭新的光电子时代而实现这一巨大变化的物质基础不是别的, 正是硅单晶和激光晶体。可以断言, 晶体材料的进一步发展, 必将谱写出人类科技文明的新篇章。
一、人类对晶体的认识过程及有关晶体的概念
1. 人类对晶体的认识过程
什么是晶体? 从古至今, 人类一直在孜孜不倦地探索着这个问题。早在石器时代, 人们便发现了各种外形规则的石头, 并把它们做成工具, 从而揭开了探求晶体本质的序幕。之后,经过长期观察,人们发现晶体最显著的特点就是具有规则的外形。1669 年, 意大利科学家斯丹诺(Nicolaus Steno) 发现了晶面角守恒定律, 指出在同一物质的晶体中,相应晶面之间的夹角是恒定不变的。接着,法国科学家阿羽依(Rene Just Haüy) 于1784 年提出了著名的晶胞学说, 使人类对晶体的认识迈出了一大步。根据这一学说,晶胞是构成晶体的最小单位,晶体是由大量晶胞堆积而成的。1885 年, 这一学说被该国科学家布喇菲(A.Bravais) 发展成空间点阵学说, 认为组成晶体的原子、分子或离子是按一定的规则排列的, 这种排列形成一定形式的空间点阵结构。1912 年, 德国科学家劳厄(Max van Laue) 对晶体进行了X射线衍射实验, 首次证实了这一学说的正确性, 并因此获得了诺贝尔物理奖。
2. 晶体的概念
具有空间点阵结构的物体就是晶体, 空间点阵结构共有14 种。例如, 食盐的主要成份氯化钠(NaCl) 具有面心立方结构, 是一种常见的晶体。此外, 许多金属(如钨、钼、钠、常温下的铁等) 都具有体心立方结构, 因而都属于晶体。值得注意的是, 在晶体中, 晶莹透明的有很多, 但是, 并不是所有透明的固体都是晶体, 如玻璃就不是晶体。这是因为, 组成玻璃的质点只是在一个原子附近的范围内作有规则的排列, 而在整个玻璃中并没有形成空间点阵结构。
3. 天然晶体与人工晶体
晶体分成天然晶体和人工晶体。千百年来, 自然界中形成了许多美丽的晶体, 如红宝石、蓝宝石、祖母绿等,这些晶体叫做天然晶体。然而,由于天然晶体出产稀少、价格昂贵,从19世纪末, 人们开始探索各种方法来生长晶体, 这种由人工方法生长出来的晶体叫人工晶体。到目前为止, 人们已发明了几十种晶体生长方法, 如提拉法、浮区法、焰熔法、坩埚下降法、助熔剂法、水热法、降温法、再结晶法等。利用这些方法,人们不仅能生长出自然界中已有的晶体, 还能制造出自然界中没有的晶体。从红、橙、黄、绿、蓝、靛、紫到各种混合颜色, 这些人工晶体五彩纷呈, 有的甚至比天然晶体还美丽。
4. 晶体的共性
由于具有周期性的空间点阵结构, 晶体具有下列共同性质: 均一性, 即晶体不同部位的宏观性质相同各向异性, 即晶体在不同方向上具有不同的物理性质自限性, 即晶体能自发地形成规则的几何外形对称性, 即晶体在某些特定方向上的物理化学性质完全相同具有固定熔点内能最小。
5. 晶体学
除了对晶体的结构、生长和一般性质的研究, 人们还探索了有关晶体的其它问题, 从而形成了晶体学这门学科。其主要研究内容包括5 个部分: 晶体生长、晶体的几何结构、晶体结构分析、晶体化学及晶体物理。其中, 晶体生长是研究人工培育晶体的方法和规律, 是晶体学研究的重要基础晶体的几何结构是研究晶体外形的几何理论及内部质点的排列规律, 属于晶体学研究的经典理论部分, 但是, 近年来5 次等旋转对称性的发现, 对这一经典理论提出了挑战晶体结构分析是收集大量与晶体结构有关的衍射数据、探明具体晶体结构及X射线结构分析方法的晶体化学主要研究化学成分与晶体结构及性质之间的关系晶体物理则是研究晶体的物理性质, 如光学性质、电学性质、磁学性质、力学性质、声学性质和热学性质等。
二、晶体的性能、应用及进展
一位物理学家说过: “晶体是晶体生长工作者送给物理学家的最好的礼物。”这是因为,当物质以晶体状态存在时, 它将表现出其它物质状态所没有的优异的物理性能, 因而是人类研究固态物质的结构和性能的重要基础。此外, 由于能够实现电、磁、光、声和力的相互作用和转换, 晶体还是电子器件、半导体器件、固体激光器件及各种光学仪器等工业的重要材料, 被广泛地应用于通信、摄影、宇航、医学、地质学、气象学、建筑学、军事技术等领域。
按功能来分,晶体有20 种之多,如半导体晶体、磁光晶体、激光晶体、电光晶体、声光晶体、非线性
光学晶体、压电晶体、热释电晶体、铁电晶体、闪烁晶体、绝缘晶体、敏感晶体、光色晶体、超导晶体以及多功能晶体等。以下简单介绍其中重要的几种。
1. 半导体晶体
半导体晶体是半导体工业的主要基础材料, 从应用的广泛性和重要性来看, 它在晶体中占有头等重要的地位。半导体晶体是从20 世纪50 年代开始发展起来的。第一代半导体晶体是锗( Ge) 单晶和硅单晶
(Si) 。由它们制成的各种二极管、三极管、场效应管、可控硅及大功率管等器件, 在无线电子工业上有着 极其广泛的用途。它们的发展使得集成电路从只包括十几个单元电路飞速发展到含有成千上万个元件的超大规模集成电路, 从而极大地促进了电子产品的微小型化, 大大提高了工作的可靠性, 同时又降低了成本, 进而促进了集成电路在空间研究、核武器、导d、雷达、电子计算机、军事通信装备及民用等方面的广泛应用。
目前, 除了向大直径、高纯度、高均匀度及无缺陷方向发展的硅单晶之外, 人们又研究了第二代半导体晶体——Ⅲ—Ⅴ族化合物, 如(CaAs) 、磷化镓( GaP) 等单晶。近来, 为了满足对更高性能的需求,已发展到三元或多元化合物等半导体晶体。在半导体晶体材料中, 特别值得一提的是氮化镓( GaN) 晶体。由于它具有很宽的禁带宽度(室温下为3. 4eV) , 因而是蓝绿光发光二级管(LED) 、激光二极管(LD) 及高功率集成电路的理想材料,近年来在全世界范围内掀起了研究热潮, 成为炙手可热的研究焦点。目前, 中国科学院物理研究所在该晶体的生长方面独辟蹊径, 首次利用熔盐法生长出3mm×4mm的片状晶体 。一旦该晶体的质量得到进一步的提高, 它将在发光器件、光通讯系统、CD 机、全色打印、高分辨率激光打印、大屏幕全色显示系统、超薄电视等方面得到广泛的应用。
2. 激光晶体
激光晶体是激光的工作物质, 经泵浦之后能发出激光, 所以叫做激光晶体。1960 年, 美国科学家Maiman 以红宝石晶体作为工作物质, 成功地研制出世界上第一台激光器, 取得了举世瞩目的重大科学
成就。目前,人们已研制出数百种激光晶体。其中,最常用的有红宝石(Cr :Al 2O3) 、钛宝石( Ti :Al2O3) 、掺钕钆铝石榴石(Nd : Y3Al 5O12) 、掺镝氟化钙(Dy : CaF2) 、掺钕钒酸钇(Nd : YVO4) 、四硼酸铝钕(NdAl 3(BO3) 4) 等晶体。
近年来, 由于新的激光晶体的不断出现以及非线性倍频、差频、参量振荡等技术的发展, 利用激光
晶体得到的激光已涉及紫外、可见光到红外谱区,并被成功地应用于军事技术、宇宙探索、医学、化学
等众多领域。例如,在各种材料的加工上,晶体产生的激光大显身手, 特别是对于超硬材料的加工, 它具有无可比拟的优越性。比如, 同样是在金刚石上打一个孔, 用传统方法需要两小时以上的时间, 而用晶体产生的激光,连0. 1 秒的时间都不用。此外,用激光进行焊接, 可以高密度地把很多电子元件组装在一起, 并能够大大提高电路的工作可靠性, 从而大幅度地减小电子设备的体积。激光晶体还可以制成激光测距仪和激光高度计, 进行高精度的测量。令人兴奋的是, 法国天文台利用具有红宝石晶体的装置, 首次实现了对同一颗人造卫星的跟踪观察实验,精确地测定了这颗卫星到地面的距离。在医学上,激光晶体更是得到了巧妙的应用。它发出的激光通过可以自由弯曲的光导管进行传送, 在出口端装有透镜和外科医生用的手柄。经过透镜, 激光被聚焦成直径仅有几埃的微小斑点, 变成一把无形却又十分灵巧的手术刀, 不但能够彻底
杀菌, 而且可以快速地切断组织, 甚至可以切断一个细胞。对于极其精细的眼科手术, 掺铒的激光晶体是最合适不过的了。这种晶体可以产生近3μm波长的激光, 由于水对该激光的强烈吸收, 导致它进入生物组织后, 只有几微米短的穿透深度, 因此, 这种激光是十分安全的, 不会使患者产生任何痛苦。由于用这种激光可以快速而精确地进行切割, 手术时间极短, 因而避免了眼球的不自觉运动对手术的干扰,保证了手术的顺利进行。此外, 激光电视、激光彩色立体电影、激光摄影、激光计算机等都将是激动人心的激光晶体的新用途。
3. 非线性光学晶体
光通过晶体进行传播时, 会引起晶体的电极化。当光强不太大时, 晶体的电极化强度与光频电场之间呈线性关系, 其非线性关系可以被忽略但是, 当光强很大时, 如激光通过晶体进行传播时, 电极化强度与光频电场之间的非线性关系变得十分显著而不能忽略, 这种与光强有关的光学效应称为非线性光学效应, 具有这种效应的晶体就称为非线性光学晶体。
非线性光学晶体与激光紧密相连, 是实现激光的频率转换、调制、偏转和Q开关等技术的关键材料。当前,直接利用激光晶体获得的激光波段有限, 从紫外到红外谱区, 尚有激光空白波段。而利用非线性光学晶体, 可将激光晶体直接输出的激光转换成新波段的激光, 从而开辟新的激光光源, 拓展激光晶体的应用范围。常用的非线性光学晶体有碘酸锂(α - Li IO3) 、铌酸钡钠(Ba2NaNb5O15) 、磷酸二氘钾（KD2PO4) 、偏硼酸钡(β- BaB2O4) 、三硼酸锂(LiB3O5)等。其中,偏硼酸钡和三硼酸锂晶体是我国于20 世纪80 年代首先研制成功的, 具有非线性光学系数大、激光损伤阈值高的突出优点, 是优秀的激光频
率转换晶体材料,在国际上引起了很大的反响。另一种著名的晶体是磷酸钛氧钾晶体( KTiOPO4) ,它是迄今为止综合性能最优异的非线性光学晶体, 被公认为1. 064μm和1. 32μm激光倍频的首选材料, 它可以把1. 064μm的红外激光转换成0. 53μm的绿色激光。由于绿光不仅能够用于医疗、激光测距, 还能够进行水下摄影和水中通信等, 因此,磷酸钛氧钾晶体得到了广泛的应用。
4. 压电晶体
当晶体受到外力作用时, 晶体会发生极化, 并形成表面电荷, 这种现象称为正压电效应反之, 当晶体受到外加电场作用时, 晶体会产生形变, 这种现象称为逆压电效应。具有压电效应的晶体则称为压电晶体,它只存在于没有对称中心的晶类中。最早发现的压电晶体是水晶(α- SiO2) 。它具有频率稳定的特性, 是一种理想的压电材料, 可用来制造谐振器、滤波器、换能器、光偏转器、声表面波器件及各种热敏、气敏、光敏和化学敏器件等。它还被广泛地应用于人们的日常生活中, 如石英表、电子钟、彩色电视机、立体声收音机及录音机等。
近年来, 人们又研制出许多新的压电晶体, 如钙钛矿型结构的铌酸锂(LiNbO3) 、钽酸钾( KTaO3)
等,钨青铜型结构的铌酸钡钠(Ba2NaNb5O15) 、铌酸钾锂( K1 - xLiNbO3) 等以及层状结构的锗酸铋(Bi 12GeO20) 等。利用这些晶体的压电效应,可制成各种器件, 广泛地用于军事上和民用工业, 如血压计、呼吸心音测定器、压电键盘、延迟线、振荡器、放大器、压电泵、超声换能器、压电变压器等。
5. 闪烁晶体
这种晶体在X射线激发下会产生荧光, 形成闪烁现象。最早得到应用的闪烁晶体是掺铊碘化钠（Tl :NaI) 晶体。该晶体的发光波长在可见光区,闪烁效率高, 又易于生长大尺寸单晶, 在核科学和核工
业上得到广泛的应用。20 世纪80 年代初, 中科院上海硅酸盐研究所采用坩埚下降法成功地生长了大尺寸锗酸铋(Bi 4Ge 3O12) 单晶。由于这种晶体阻挡高能射线能力强、分辨率高, 因而特别适合于高能粒子和高能射线的探测, 在基本粒子、空间物理和高能物理等研究领域有广泛的应用, 并已十分成功地用于欧洲核子研究中心L3 正负电子对撞机的电磁量能器上。此后, BaF2 晶体成为又一新型闪烁材料。除了在高能物理中应用之外, 该晶体在低能物理方面已用于正电子湮没谱仪, 使谱仪的分辨率和计数效率
均得到很大的提高。此外, 它还可用于检查隐藏的爆炸物、石油探测、放射性矿物探测、正电子发射层
析照相(简称PET) 等方面,具有良好的应用前景。
6. 声光晶体
当光波和声波同时射到晶体上时, 声波和光波之间将会产生相互作用, 从而可用于控制光束, 如使光束发生偏转、使光强和频率发生变化等, 这种晶体称为声光晶体, 如钼酸铅( PbMoO4) 、二氧化碲（TeO2) 、硫代砷酸砣( Tl 3AsS4) 等。利用这些晶体,人们可制成各种声光器件, 如声光偏转器、声光调Q 开关、声表面波器件等, 从而把这些晶体广泛地用于激光雷达、电视及大屏幕显示器的扫描、光子计
算机的光存储器及激光通信等方面。
7. 光折变晶体
光折变晶体是众多晶体中最奇妙的一种晶体。当外界微弱的激光照到这种晶体上时, 晶体中的载流子被激发, 在晶体中迁移并重新被捕获, 使得晶体内部产生空间电荷场, 然后, 通过电光效应,空间电荷场改变晶体中折射率的空间分布, 形成折射率光栅,从而产生光析变效应。光折变效应的特点是, 在弱光作用下就可表现出明显的效应。例如,在自泵浦相位共轭实验中,一束毫瓦级的激光与光折变晶体作用就可以产生相 位共轭波, 使畸变得无法辨认的图像清晰如初。由于折射率光栅在空间上是非局域的, 它在波矢方向相对于干涉条纹有一定的空间相移, 因而能使光束之间实现能量转换。如两波耦合实验中, 当一束弱信号光和一束强光在光折变晶体中相互作用时, 弱信号光可以增强1 000 倍。此外, 凭借着光折变效应, 光折变晶体还具有以下特殊的性能: 可以在3cm3 的体积中存储5 000幅不同的图像, 并可以迅速显示其中任意一幅可以精密地探测出小得只有10 - 7米的距离改变可以滤去静止不变的图像, 专门跟踪刚发生的图像改变甚至还可以模拟人脑的联想思维能力。因此,这种晶体一经发现,便引起了人们的极大兴趣。
目前, 有应用价值的光折变晶体有钛酸钡(BaTiO3) 、铌酸钾( KNbO3) 、铌酸锂(LiNbO3) 、铌酸锶
钡(Sr1 - xBaxNb2O6) 系列、硅酸铋(Bi 12SiO20) 等晶体。其中,掺铈钛酸钡(Ce :BaTiO3) 是由中国科学院物理研究所于90 年代在国际上首次研制成功的。它的优异性能, 使光折变晶体在理论研究和实用化方面取得突破性进展。当前, 光折变晶体已发展成一种新颖的功能晶体, 在光的图像和信息处理、相位共轭、全息存储、光通讯和光计算机神经网络等方面展示着良好的应用前景。
三、晶体研究的发展趋势
随着人们对晶体认识的不断深入, 晶体研究的方向也逐步地发生着变化, 其总的发展趋势是: 从晶态转向非晶态从体单晶转向薄膜晶体从通常的晶格转向超晶格从单一功能转向多功能从体性质转向表面性质从无机扩展到有机,等等。此外, 鉴于充分认识到晶体结构—性能关系的重要性, 人们已经开始利用分子设计来探索各种新型晶体。而且, 随着光子晶体和纳米晶体的出现和发展, 人类对晶体的认识更是有了新的飞跃。可以相信, 在不久的将来, 晶体的品种将会更多、性能将会更优异、应用范围也将会越来越广。
总之,晶体不仅是美丽的,而且也是有用的。它蕴涵着丰富的内容, 是人类宝贵的财富。但迄今为
止, 人们对它的认识犹如冰山之一角, 还有许多未知领域等待着我们去探索。
(王皖燕 中国科学院物理研究所,博士北京100080)
参考资料：（王皖燕 中国科学院物理研究所,博士北京100080)
samsung内存具体含义解释：
例：samsungk4h280838b-tcb0
主要含义：
第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表dram。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10为10ns(66mhz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。
hynix(hyundai)现代
现代内存的含义：
hy5dv641622at-36
hyxxxxxxxxxxxxxxxx
123456789101112
1、hy代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=sdram，5d=ddrsdram)；
3、工作电压：空白=5v，v=3.3v,u=2.5v
4、芯片容量和刷新速率：16=16mbits、4kref；64=64mbits、8kref；65=64mbits、4kref；128=128mbits、8kref；129=128mbits、4kref；256=256mbits、16kref；257=256mbits、8kref
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、bank数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个bank，是2的幂次关系
7、i/o界面：1:sstl_3、 2:sstl_2
8、芯片内核版本：可以为空白或a、b、c、d等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：l=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：jc=400milsoj，tc=400miltsop-ⅱ，td=13mmtsop-ⅱ，tg=16mmtsop-ⅱ
11、工作速度：55:183mhz、5:200mhz、45:222mhz、43:233mhz、4:250mhz、33:300nhz、l:ddr200、h:ddr266b、 k:ddr266a
现代的mbga封装的颗粒
infineon（英飞凌）
infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128mbits的颗粒和容量为256mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
hyb39s128400即128mb/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：hyb39s128800即128mb/8bits；hyb39s128160即128mb/16bits；hyb39s256800即256mb/8bits。
infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133mhz；
-8——表示该内存的工作频率是100mhz。
例如：
1条kingston的内存条，采用16片infineon的hyb39s128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128mbits（兆数位）×16片/8=256mb（兆字节）。
1条ramaxel的内存条，采用8片infineon的hyb39s128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128mbits（兆数位）×8片/8=128mb（兆字节）。
kingmax、kti
kingmax内存的说明
kingmax内存都是采用tinybga封装（tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。kingmax内存颗粒有两种容量：64mbits和128mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
ksva44t4a0a——64mbits，16m地址空间×4位数据宽度；
ksv884t4a0a——64mbits，8m地址空间×8位数据宽度；
ksv244t4xxx——128mbits，32m地址空间×4位数据宽度；
ksv684t4xxx——128mbits，16m地址空间×8位数据宽度；
ksv864t4xxx——128mbits，8m地址空间×16位数据宽度。
kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7a——pc133/cl=2；
-7——pc133/cl=3；
-8a——pc100/cl=2；
-8——pc100/cl=3。
例如一条kingmax内存条，采用16片ksv884t4a0a-7a的内存颗粒制造，其容量计算为：64mbits（兆数位）×16片/8=128mb（兆字节）。
micron（美光）
以mt48lc16m8a2tg-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
mt——micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表sdram；46代表ddr。
lc——供电电压。lc代表3v；c代表5v；v代表2.5v。
16m8——内存颗粒容量为128mbits，计算方法是：16m（地址）×8位数据宽度。
a2——内存内核版本号。
tg——封装方式，tg即tsop封装。
-75——内存工作速率，-75即133mhz；-65即150mhz。
实例：一条micronddr内存条，采用18片编号为mt46v32m4-75的颗粒制造。该内存支持ecc功能。所以每个bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32m×4bit×16片/8=256mb（兆字节）。
winbond（华邦）
含义说明：
wxxxxxxxx
12345
1、w代表内存颗粒是由winbond生产
2、代表显存类型：98为sdram，94为ddrram
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为b和h；
4、代表封装，h为tsop封装，b为bga封装，d为lqfp封装
5、工作频率:0：10ns、100mhz；8：8ns、125mhz；z：7.5ns、133mhz；y：6.7ns、150mhz；6：6ns、166mhz；5：5ns、200mhz
mosel（台湾茂矽）
台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为v54c365164vdt45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8mb，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位t45可知颗粒速度为4.5ns
nanya（南亚）、elixir、pqi、pluss、atl、eudar
南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为nt5sv8m16ct-7k，其中第4位字母“s”表示是sdram显存，6、7位8m表示单颗粒容量8m，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7k表示速度为7ns。
v-data（香港威刚）、a-data（台湾威刚）、vt
内存颗粒编号为vdd8608a8a-6b h0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256m容量，0327代表它的生产日期为2003年第27周
人物经历于1981年、1986年和1994年分别在中国科学技术大学物理系、中国科大物理系和中国科大国家同步辐射实验室分别攻读学士、硕士和博士学位，分别研究非晶合金的结构驰豫和超导性质及比热、高温超导材料的掺杂和物性研究、及利用同步辐射研究超导材料的电子结构等课题。并曾分别在北京大学技术物理系、英国的Leeds大学做博士后，研究铁电材料在重离子辐照后其光折变回响速度的变化及其机理、新型非晶态磁性合金的性质及其电子结构，于2007年至2008年赴加拿大Saskatchewan大学做访问学者，开展X射线吸收、X射线发射以及非d性X射线散射等研究。曾经在英国Dare *** ury和美国Advanced Light Source、加拿大Canadian Light Source等国际上的同步辐射实验室开展实验研究。本人与国内多家研究单位具有良好的合作关系，如中国科学技术大学国家同步辐射实验室、中国科学院高能物理研究所北京同步辐射实验室、北京大学物理学院等并与国际上一些单位有良好的合作关系，如英国的Leeds大学物理系、英国的Salford大学物理系、英国的Dare *** ury同步辐射实验室等，加拿大Saskatchen大学和加拿大Canadian Light Source等。多年来一直从事材料的物性、电子结构和微结构的研究工作，并依此分析掺杂或离子辐照使材料改性(光折变回响速度提高)的机理，曾分别研究高温超导和磁性多层膜的界面问题，同时还具有多年的同步辐射套用研究的经历。
利用同步辐射开展庞磁电阻氧化物的原子结构和电子结构的研究，并曾与南京大学蒋树声教授合作研究纳米介电薄膜分别主持和参与国家自然科学基金项目多项近年来已发表SCI论文三十余篇，并有多篇论文被他人引用。
主要研究领域:同步辐射套用和凝聚态物理、材料的微结构和电子结构及其对物性的影响、分析材料物性的机理
主要研究技术:光电子能谱、俄歇电子能谱、X射线吸收、X射线磁性圆二色、热分析技术(DSC和DTA)及物性测试手段
主要研究对象:庞磁电阻氧化物、磁性薄膜、非晶态磁性合金、超导氧化物、稀释磁性半导体、铁电氧化物、多铁性氧化物等。
科研项目
正在主持以及曾经主持和参加的主要科研项目:
2010.1-2012.12 国家自然科学基金项目，批准号:10979016，主持《磁性离子掺杂对锰氧化物和钴氧化物的影响》
2007.1-2009.12 教育部新教师基金，主持《磁性相关材料电子态的同步辐射研究》
2006.1-2008.12 江苏省自然科学基金，批准号:BK2006106，主持《自镟电子器件的稳定性和失效之相关物理问题研究》
2004.10-2007.9 教育部回国人员科研基金，主持《磁性薄膜的界面研究》
2002.1-2004.12 国家自然科学基金项目，批准号:10174032，主持《巨磁电阻多层膜界面的同步辐射研究》
2003.1-2005.12 国家自然科学基金项目，批准号:10274029，主要参加者，主持人为南京大学校长蒋树声教授《纳米介电薄膜材料光和热输运性质的研究》
2001.4-2003.4 中英国际合作科研项目一项(项目号:EPSRC GR/N66582)
1999.1-2001.12 国家自然科研基金项目，批准号:19875003，主要参加者，主持人为北京大学技术物理系李正孝教授《用离子束混合技术研究薄膜的纳米化过程》
1998.10-1999.8 中国博士后科研基金项目，主持《重离子辐照后KN晶体光折变回响速度提高的机理研究》
主要论文以时间逆向为序:
1. Hao Liu, Qi Li ,Yongtao Li, Hongguang Zhang, Yuanyuan Chen, Lingshan Chen, Xueguang Dongand Kai Chen, The role of disorder in sodium doped LaMnO3, aepted by IVESC 2010 &NANOcarbon 2010 .
2. Hongguang Zhang, Yongtao Li, Lingshan Chen, Hao Liu, Yuanyuan Chen, Kai Chen, Xueguang Dong, Qi Li , Magization and electronic structure of polycrystalline La1-xCaxMnO3 (x=0.19, 0.17), aepted by IVESC 2010 &NANOcarbon 2010 .
3. Yongtao Li, Qi Li , Hao Liu, Hongguang Zhang, Qingyu Xu, Bo He and Shiqiang Wei, Local structure and magic properties study of Bi(Fe0.95Co0.05)O3 ceramics, aepted by IVESC 2010 &NANOcarbon 2010 .
4. Yuanyuan Chen, Qi Li , Mingguo Sun ,Yongtao Li, Hao Liu, Hongguang Zhang, Lingshan Chen, Kai Chen, Xueguang Dong, Zhiyun Pan, Bo He, and Shiqiang Wei, Yingxue Zhou, and Xinyi Zhang, Local Structure around Co in (Zn, Co)O Nanoparticles, aepted by IVESC 2010 &NANOcarbon 2010 .
5. Lingshan Chen, Hongguang Zhang, Yongtao Li, Hao Liu, Yuanyuan Chan, Kai, Chen, and Xueguang Dong, Qi Li , The study of thermal and electrical properties of Fe-based amorphous alloys Fe80-xCoxP12B4Si4, aepted by IVESC 2010 &NANOcarbon 2010 .
6. Yuanyuan chen, Qi Li , Mingguo Sun, Hao Liu, Hongguang Zhang, Lingshan Chen, Yongtao Li, Kai Chen, Xueguang Dong, Zhiyun Pan, Bo He, and Shiqiang Wei, Yingxue Zhou, and Xinyi Zhang, Study on structures and magic properties of Co-doped ZnO dilute magic semiconductor nanoparticles, The 6International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials , Aug. 5-7, 2010, Changchun, P. R. China.
7. Hongguang Zhang, Qi Li , Hao Liu, Lingshan Chen, Yuanyuan Chen and Yongtao Li, Observation of Griffiths phase in polycrystalline La1-xCaxMnO3 for x~0.20, IEEE Magics 46 , 1483 (2010).
8. Z. G. Dong, S. Y. Lei, Q. Li , et al., Non-left-handed tran *** ission and bianisotropic effect in a p-shaped metallic metamaterial, Phys. Rev. B 75, 075117 (2007).
9. Yongtao Li, Qi Li , Meilan Wen, Yi Zhang, Ya Zhai, Zhi Xie, Faqiang Xu, and Shiqiang Wei, Magic properties and local structure studies of Zn doped ferrites, J. Electr. Spec. Relat. Phenom. 160, 1 (2007).
10. Meilan Wen, Qi Li , Yongtao Li, Magic and electronic properties of ZnxFe3-xO4, J. Electr. Spec. Relat. Phenom. 153, 65 (2006).
11. Y. T. Li, Q. Li , M. L. Wen, Y. Zhang, Y. Zhai, F. Q. Xu, and S. Q. Wei, EXAFS study of ZnxFe3-xO4, 50 MMM conference , San Jose, USA, Oct. 31-Nov. 3, 2005.
12. Q. Li , D. Greig, J. A. D. Matthew, T. H. Shen, and G. Beamson, Lattice, magic property and Electronic Structure Studies on Pd-based Alloys, 50 MMM conference , San Jose, USA, Oct. 31-Nov. 3, 2005.
13. Q. Li , D. Greig, S. H. Kilcoyne, P. Hine, J. A. D. Matthew, and G. Beamson, Properties of the quaternary amorphous alloy Pd40Ni40B10P10, Mater. Sci. Eng.A408 , 154 (2005).
14. Y. X. Wang, B. You, W. Tian, Y. X. Wang, M. Sun, M. Lu, Q. Li ，Exchange bias and angular dependence in Co/Co3O4 bilayers, Internat. J. Mod. Phys. B 19 , 2580 (2005).
15. Y. X. Wang, W. Tian, J. Xiong, Y. X. Wang, L. Sun, Q. Li , B. You, A. Hu, M. Lu, The effect of nonmagic defects on magic behavior for multilayers Ta/Co/Co3O4/Ta, Appl. Surf. Sci. 252 , 3390 (2006).
16. Y. X. Wang, W. Tian, Y. X. Wang, L. Sun, Q. Li , B. You, A. Hu, H. R. Zhai, and M. Lu, The effect of capping layer Ta on magic behaviour for multilayers Ta/Co/Co3O4/Ta, Solid State Commun. 135 , 725 (2005).
17. Q. Li , D. Greig, J. A. D. Matthew, T. H. Shen, and G. Beamson, Auger parameters of Pd-Ni-P ternary alloys, Phil. Mag. B85 , 885 (2005).
18. X. B. Hu, H. Liu, J. Y. Wang, H. J. zhang, H. D. Jiang, S. S. Jiang, Q. Li , Y. L. Tian, Y. Y. Huang, W. X. Huang, and W. He, Comparative Study of KTiOPO4 crystals, Opt. Mater. 23 , 369 (2003).
19. Q. Li , D. Greig, J. A. D. Matthew, and G. Beamson, Auger parameters of bulk amorphous Pd-based alloys, Conference on Condensed Matter and Materials Physics , April 6-9, 2003, UK.
20. D. Greig, S. H. Kilcoyne, Q. Li , B. Hickey, and J. A. D. Matthew, Magic properties of Pd40Ni23Fe17P20 alloy, Conference on Condensed Matter and Materials Physics , April 6-9, 2003, UK.
21. Q. Li , D. Greig, J. A. D. Matthew, E. A. Seddon, and G. Beamson, Electron screening in bulk amorphous Pd-Ni-P and Pd-Ni-Fe-P alloys, Materials Research Society Symposium Proceedings, Metallic Glasses 754 , 433 (2003).
22. X. B. Hu, H. D. Jiang, H. Liu, S. S. Jiang, Q. Li , J. Y. Wang, C. Q. Zhang, B. Teng, Y. L. Tian, W. X. Huang, Observation of inhomogeneity in congruent LiTaO3 crystal, J. Crystal Growth225 , 6 (2001).
23. Q. Li , H. B. Pan, C. G. Zhu, P. S. Xu, and X. Y. Zhang, Doping effect of Sn on superconductivity in Bi2Sr2CaCu2-xSnxO8+d pound, J. Superconductivity13 , 137 (2000).
24. Q. Li , Z. H. Xia, X. T. Lu, F. Wang, Q. H. Gong, and D. Z. Shen, Photorefractive response time of B-ion-implanted KNbO3:Rb crystal, Electronics Letters36 , 961 (2000).
25. X. S. Wu, F. Z. Wang, S. Nie, Q. Li , and S. S. Jiang, Comparison of superconductivity and structure for YBa2Cu3Oy with potassium and sodium doping, J. Superconductivity13 , 653 (2000).
26. Q. Li , Z. H. Xia, X. T. Lu, F. Wang, Q. H. Gong, and D. Z. Shen, Photorefractive response time of proton-implanted KNbO3:Rb crystal, J. Modern Optics42 , 1707 (2000).
27. Q. Li , H. B. Pan, C. G. Zhu, P. S. Xu, and X. Y. Zhang, XRD and PES studies of Bi2Sr2Ca1-xPrxCu2O8+d system, J. Superconductivity13 , 603 (2000).
28. Q. Li , Z. H. Xia, X. T. Lu, F. Wang, Q. H. Gong, and D. Z. Shen, The Observation of photorefractive effect of KNbO3 crystal at mW illumination, Chinese Physics9 , 841 (2000).
29. Q. Li , H. B. Pan, C. G. Zhu, P. S. Xu, and X. Y. Zhang, XRD and XPS studies of Bi2Sr2CaCu2-xSnxO8+d system, Acta Physica Sinica49 , 2055 (2000). (in Chinese)
30. Q. Li , H. B. Pan, C. G. Zhu, P. S. Xu, and X. Y. Zhang, Substitution effect of Pr for Ca in Bi2Sr2CaCu2O8+d system, J. Superconductivity13 , 565 (2000).
31. Q. Li , H. B. Pan, C. G. Zhu, P. S. Xu, and X. Y. Zhang, Electronic Structure studies of Bi2Sr2CaCu2-xSnxO8+d system, Acta Physica Sinica (Overseas Ed.),8 , 927 (1999).
32. Q. Li , Z. H. Xia, X. T. Lu, F. Wang, Q. H. Gong, and D. Z. Shen, Response Time Characteristics of Proton-implanted KNbO3 Crystals, Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis35 , 655 (1999). (in Chinese)
33. Q. Li , H. B. Pan, C. G. Zhu, P. S. Xu, Y. X. Zhou, and X. Y. Zhang, Electronic structure studies on Bi2Sr2Ca1-xPrxCu2O8+d system superconductos, J. Univ. Sci. Techn. China29 , 55 (1999). (in Chinese)
34. Q. Li , H. B. Pan, C. G. Zhu, P. S. Xu, and X. Y. Zhang, XPS studies on superconductors of Y-123 doped with Sn for Cu, J. Low Temp. Phys.20 , 28 (1998). (in Chinese)
35. Q. Li , and X. Y. Zhang, Studies of ferroelectrics by synchrotron radiation, Prog. in Phys.18 , 76 (1998). (in Chinese)
36. X. H. Chen, T. F. Li, M. Yu, L. Z. Cao, Q. Li , P. S. Xu, and X. Y. Zhang, Effect of Ca substitution on the electronic structure of Nd2-x-yCexCayCuO4-d, Phys. Rev. B 56 , 5673 (1997).
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