因为半导体材料的分子一般排列的比较有序,才导致可以用半导体材料做成二极管,具有单向导电性。
随着温度的升高,分子排列的无序性变大,导电性能变好。电阻率将会减小。
因为材料的电阻率与材料的“载流子浓度n 与 载流子迁移率u ”的乘积成反比.所以,当温度改变时:对于金属材料.n 不随温度的升高而变化,但u 由于载流子的热运动而减小,所以“金属材料的电阻率随温度的增大而增大”.
对于半导体材料(比如硅).
在温度较低的范围内,温度升高时杂质不断电离,使n 的增加为主,所以这时“材料的电阻率随温度的升高而降低”;
在温度的中温区,温度升高i时杂质已全部电离,本征电离尚未开始,使n 基本不变,这时u 的降低为主,所以这时“材料的电阻率随温度的升高而增加”;
在温度的高温区,温度升高时本征电离开始,使n 的增加强于u 的降低,所以这时“材料的电阻率随温度的升高而降低”.
这样看来,如题的说法,前一句不正确;后一句不完善.
(供参考)
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