中国芯片技术的“瓶颈”是什么？

中国芯片技术的“瓶颈”是中国在芯片技术领域没有核心技术和自主研发能力，没有主导芯片从材料、设计到生产制备的全套技术中任何一个环节。

中国科学院院士、湖南先进传感与信息技术创新研究院院长彭练矛16日在湖南湘潭表示，针对中国半导体材料、制造工艺和芯片设计落后的状况，碳基电子大有所为，其对国产芯片技术突围具有重要价值和意义。

“没有芯片技术，就没有中国的现代化。实现由中国主导芯片技术的‘直道’超车，就是碳基电子的定位和使命。”彭练矛表示，碳基电子的终极使命就是在现有优势下扬长避短，从材料开始，全面突破现有的主流半导体技术，研制出中国人完全自主可控的芯片技术，在主流芯片领域产生重要影响。

扩展资料：

15日至17日，由湖南先进传感与信息技术创新研究院承办的“碳基材料与信息器件研讨会”在湘潭召开，北京大学、清华大学、浙江大学、国防科技大学、中国科学院微电子研究所、电科集团等中国高校、科研机构以及企业的170余名代表参会。

彭练矛在会上作了题为“碳基电子的定位和使命”的主题报告。

参考资料来源：和讯网－中科院院士彭练矛：碳基电子是国产芯片技术突围利器

我认为中国的半导体行业必然会崛起，任何国家都无法阻挡中国的崛起。要想在半导体行业有所突破，我认为预计需要10年的时间。

我国一直以来都致力于芯片行业的生产和制造，但是在芯片领域方面，我们已经落后欧美国家太多地方了。归根结底，是因为我们起步时间晚于欧美国家，而且欧美国家不愿与我们进行技术分享，甚至进行了全面的技术封锁。这也直接导致了我国的芯片领域方面存在很多技术性短板，在短时间之内还是无法实现超越。

被卡了脖子的中国半导体行业会崛起吗？

至于中国的半导体行业是否会崛起，我的答案是肯定的。但是要想在一两年之内恢复，关键是不太可能的。一起来美国等西方国家总是制裁我国，尤其是喜欢在芯片领域方面。当然这也是美国等西方国家一贯的做法，芯片也是我们为数不多的短板之一。因此，我国的芯片以及半导体行业的发展已经被欧美国家卡脖子。

预计10年之内可以实现。

至于中国半导体行业何时能够崛起，我认为时间需要在10年之内。因为我们与西方欧美国家的技术差距，相差整整10年左右。不过这也是由于当前现状所决定的，一方面我国没有先进的人才，另一方面也是没有更加高端的精密仪器。无论是哪一方面，我们都存在很多的缺陷。因此我国也正在不断的努力，改善我国芯片方面的不足，也正在进一步缩小双方之间的差距。

中国芯片已经取得了很大的进步。

其实中国的芯片在很短的时间之内已经取得了很大的进步，即使与欧美国家仍然具有一定的差距。但是要相比较，上个世纪而言，我国的芯片产业在很短的时间之内有了很大的突破。这在西方欧美国家看来完全是一个奇迹，因为从无到有，一直以来都是中国的做法。

首先澄清一个容易混淆的概念，在半导体物理中的“电子”一般理解为“电子载流子”，即位于导带上的电子。所以这里的”正离子填隙“不是提供了电子，而是提供了位于导带的电子。

两个角度去理解：

设问题中的半导体为本征半导体。首先考虑电中性条件，设正离子填隙密度为N，电子载流子密度为n，空穴载流子密度为p。有p+N=n再考虑热平衡条件，np==ni^2联立即可解得n>ni, 即掺杂后电子密度大于原电子密度。注意这里电中性条件适用范围是整个半导体，热平衡条件成立等价于Fermi-Dirac分布适用。

物理直观上，正离子填隙提供了正电中心。这些正电中心破坏了周围价电子形成的共价键（这里假设讨论的半导体是硅），使得他们更容易被激发到导带变成电子载流子，起到了施主杂质的作用。

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