mos管和晶闸管原理一样么？都是三个pn结，结构一样？

MOS管是单极性器件，晶闸管是半控器件。晶闸管的正极相当于MOS管的漏极，门极相当于MOS管的栅极，阴极相当于MOS管的源极。

控制是有所区别的，晶闸管是半控型器件，MOS管是全控型器件，至于要多了解，得从结构上去理解。并不是简单的三个PN结的。MOS管和晶闸管的PN结结构明显不一样。

半导体物理可以看刘恩科的；讲器件的书比较多，我看的陈星弼张庆中的《晶体管原理与设计》，公式推导很多，自学的话比较吃力

功率器件方面，看 Jayant Baliga 《Fundamentals of Power Semiconductor Devices》，很全面。如果觉得内容太多，可以看电子科大张波教授的精简版《Power Semiconductor Devices and Smart Power ICs》

IGBT是可控器件，即可通过开关信号控制它的门极实现CE间输出关断。现在热门的高铁、风电、光伏、电动汽车等新能源行业中DC-AC的开关器件，将母线上的直流电转化为交流输出，也就是常说的逆变单元。相近应用的元件比较，IGBT较GTO具备更高的开关频率，较MOS具备更高的耐压。

IGBT相对于MOSFET的缺点有二：

1）开关速度低。

2）同时有多子和少子起作用，这导致他工作的时候是内阻是负温度系数。这不利于多管并联，也不利于高可靠性工作。

优点，那就是应为是少子和多子同时起作用。所以导通压降小。

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