电子元器件ib是什么牌子

IB（国际整流器公司）是美国的

是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IB的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能运算设备及降低电机的能耗(电机乃全球最大之耗能设备)，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统及宇航系统的电源管理基准。

半导体激光治疗仪：半导体激光治疗仪也叫光量子激光治疗仪，是因为激光是可见光且都带有一定的能量，由此产生的粒子流就称为光量子激光。半导体激光治疗仪与传统的治疗仪结构不同，由于半导体激光治疗仪的电光转换率远高于传统的激光治疗仪，出光率高，不产生多余的热量；用低电压工作，不需要高电源；不需冷却，淘汰了水循环冷却装置，也避免了传统激光器经常因高热使闪光灯、激光棒损坏、水循环故障或高电压问题而引起的停机；半导体激光治疗仪具有体积小，成本低，使用寿命长，疗效显著等优点。

这个问题三言两语难以说清，看看元增民《模拟电子技术》第20页和21页，也许有助于解决您的疑问：逗以NPN型BJT为例，有如下四个因素影响各电流的形成。(1) 基区尺寸很小尺寸很小的基区好像狭窄的道路或山梁拥挤不堪。(2) 基区空穴浓度很低基区空穴浓度很低使得从发射区到达基区的电子中，只有少量电子有机会与基区的空穴复合而形成基极电流，相当于很逗荒凉地，兔子不拉屎，电子难安家。(3) 发射区自由电子浓度很高(4) 集电区尺寸较大并接有正电源集电区尺寸较大并接有正电源。集电极正电源Ucc对NPN型BJT中由发射区流到基区的大量电子是一个很强的吸引力。就是说，由于基区尺寸很小且空穴浓度很低，而发射区自由电子浓度很高，所以从NPN型BJT发射区流向基区的大量电子中，只有少数得以与基区的空穴复合(安家)而形成较小的基极电流Ib，多数电子横向越过狭窄的基区奔向广阔的集电区并到达集电极，被集电极正电源所俘获而形成较大的集电极电流Ic。基极电源本来是要形成基极电流ib，实际上却为集电极电流ic的形成帮了大忙。形象地说，NPN型BJT的基极和集电极加有正电源时，尺寸很小且掺杂很少的基区好像狭窄荒芜的山梁，容不得电子逗安家地，而与正电源连接的集电区好像陡峭广阔的山坡，从发射极出发的大量电子到达基区时拥挤在一道狭窄荒芜的山梁上，结果只有少数电子到达基极，多数电子顺势滚落在集电区这个山坡下，形成较大的集电极电流。基区尺寸很小、基区载流子浓度很低、发射区载流子浓度很高及集电区尺寸较大这样四个内在因素，加上集电极正电源的吸引力这样一个外部条件，最终使BJT集电极电流是基极电流的很多倍，这就是人们通常所说的BJT电流放大能力。地指明作者及书名，主要考虑尊重版权法。由于晶体管三个区的尺寸及掺杂浓度都是确定的，所以集电极电流与基极电流的比例也就固定了，这个比例就是电流放大倍数β。

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