一般多晶硅碳含量的单位有两个,1、ppma;2、at/cm3。没有你说的那个吧。at/cm3是
原子密度半导体工业里定义硅每立方厘米硅中有5e22个硅原子ppmw、ppbw是以质量计的
浓度,w是weight(重量)ppma、ppba是以原子数计的浓度,a是atom(原子)如果要将高纯硅中痕量杂质的原子密度转换为质量浓度(ppmw或者ppbw)可以用:杂质的原子密度×杂质元素的原子量/(5e22×28)=杂质的质量浓度(ppmw或者ppbw)其中5e22是每立方厘米硅中硅的原子数,28是硅的原子量如果要将高纯硅中痕量杂质的原子密度转换为原子数浓度(ppma或者ppba)可以用:杂质的原子密度/5e22=杂质的原子数浓度(ppma或者ppba)其中5e22是每立方厘米硅中硅的原子数1ppma=1*10-6=C的原子密度/5e22=5*1016at/cm3Si原子密度为5 x 1022/cm3,每百万个Si原子掺入1个磷原子,则掺杂浓度为5 x 1016/cm3,则多数
载流子与掺杂磷原子数相当,所以多数载流子为5 x 1016/cm3。少数载流子浓度为4.5x103 /cm3。硅的原子密度为5*10^22cm-3,掺入1%的As后,若杂质全部电离,则室温下载流子浓度为:
多数载流子(电子)n=5*10^22cm-3*1%=5*10^20cm-3
少数载流子(空穴)p=ni^2/n=0.45cm-3
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