请教工艺中的 FUSE制程

你说的应该是芯片上面的钝化层吧？metal fuse或poly上面的氧化层是必须有的，要不，金属还没有编程就全部氧化掉了。只是在fuse上面加pad opening 去掉钝化层。方便散热以及污染物逸出。metal fuse和poly fuse要求的电流脉冲时间不一样。由于poly的熔点比metal的高，所有要求电流脉冲的上升时间极短，让瞬间的电流烧断poly。

半导体中铝湿法腐蚀铝残留的原因有：

1、掩膜材料（主要指光刻胶）显影不清和曝光强度不够，会使显影时留有残胶，通常会使腐蚀不净。

2、须腐蚀膜的类型（指如SIO2，POLY，SILICON等）。

3、腐蚀速率。腐蚀速率的变化会使腐蚀效果发生改变，经常会导致腐蚀不净或严重过腐蚀，从而造成异常，影响腐蚀速率的因素可见下面的影响因素。

4、浸润与否。由于在湿法腐蚀时由于腐蚀液与膜间存在表面张力，从而使腐蚀液难于到达或进入被腐蚀表面和孔，难于实现腐蚀的目的。

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