clipbond和wirebond工艺主要差异

1、Clip bond为全铜片键合方式，Source pad是Clip方式，这个键合方法成本比较高，它的工艺较复杂，能获得更好的Rdson以及更好的热效应。

2、Wire bond为铜片加线键合方式，Gate为Wire方式，这个键合方式与全铜片的相比较要稍便宜，节省晶圆面积（适用于Gate极小面积），工艺较全铜片简单一些，能获得更好的Rdson以及更好的热效应。

与传统的键合封装方式相比，Clip Bond技术优点：

1、芯片与管脚的连接采用铜片，一定程度上取代芯片和引脚间的标准引线键合方式，因而可以获得独特的封装电阻值、更高的电流量、更好的导热性能。

2、引线脚焊接处无需镀银，可以充分节省镀银及镀银不良产生的成本费用。

通俗的讲，bumping跟bonding，是目前芯片贴装用到的两种工艺。

wire bond，也就是将芯片底部粘在基板或框架上，正面打线（金线，铝线等等），通过金线与外面的引脚连通电信号。

bumping指凸点。在wafer表面长出凸点（金，锡铅，无铅等等）后，（多用于倒装工艺封装上，也就是flip chip）。将本来要打金线的芯片正面长上凸点，倒过来扣在基板上，与基板相连，同时电信号通过bump导通。

英语是一门普通高等学校本科专业，属外国语言文学类专业，基本修业年限为四年，授予文学学士学位。该专业学科基础包括外国语言学、外国文学、翻译学、国别与区域研究、比较文学与跨文化研究，具有跨学科特点。还可与其他相关专业结合，形成复合型专业，以适应社会发展的需要 。

该专业培养具有扎实的英语语言基础，丰富的英语语言文化知识，熟练的英语语言技能，较高的语言运用能力、研究能力和专业素养，思想政治素质好，具有严谨治学的学风和勇于创新的精神，能够进一步从事英语语言、文学与翻译等领域学术研究的研究型创新人才，或相关专业领域的应用复合型人才 。