半导体有哪些导电特征？

半导体主要有三个特性，即光敏特性.热敏特性和掺杂特性。所谓光敏特性是指某些半导体受到强烈光芒照射时，其导电性能大大增强；光芒移开后，其导电性能大大减弱。所谓热敏特性是指外界环境温度升高时，半导体的导电性能也随着温度的升高而增强。所谓掺杂特性是指在纯净的半导体中，如果掺入极微量的杂质可使其导电性能剧增。

半导体的四个特性：电阻率的负温度特性、光照导电效应、光伏现象、整流效应。

1833年，法拉第发现了硫化银的电阻随着温度的变化而显现出的特性与一般金属不同。通常情况下，金属的电阻随温度升高而增加，法拉第发现硫化银的电阻随着温度的上升而降低。这是人类首次发现的半导体现象。

1839年，法国科学家亚历山大·贝克雷尔（Alexandre Edmond Becquerel）发现了光伏现象。那是一个半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生电压，这是半导体的第二个特征。

1873年，英国科学家史密斯（W.Smith）发现了硒晶体材料在光照下电阻减弱的现象，这是半导体第三个特性。

1880年，半导体的霍尔效应被发现。

1874年，德国的布劳恩（Ferdinand Braun）发现了硫化物半导体的整流效应。同年，氧化铜的整流效应也被发现。

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