焊接电路时,元器件安放应该注意些什么?

焊接电路时,元器件安放应该注意些什么?,第1张

用电烙铁焊接元件是基本的装配工艺,它对保证电子产品的质量起着关键的作用。下面介绍一些元器件的焊接要点。 1. 焊接最好是松香、松香油或无酸性焊剂。不能用酸性焊剂,否则会把焊接的地方腐蚀掉。 2. 焊接前,把需要焊接的地方先用小刀刮净,使它显出金属光泽,涂上焊剂,再涂上一层焊锡。 3. 焊接时电烙铁应有足够的热量,才能保证焊接质量,防止虚焊和日久脱焊。 4. 烙铁在焊接处停留的时间不宜过长。 5. 烙铁离开焊接处后,被焊接的零件不能立即移动,否则因焊锡尚未凝固而使零件容易脱焊。 6. 对接的元件接线最好先绞和后再上锡。 7. 在焊接晶体管等怕高温器件时,最好用小平嘴钳或镊子夹住晶体管的引出脚,焊接时还要掌握时间。 8. 半导体元件的焊接最好采用较细的低温焊丝,焊接时间要短

半导体焊线是一种特殊的焊料,它由一种熔融性金属和一种半导体材料组成,可以在半导体元件与电路板之间创造出高导电性能的连接,并能够有效的降低电子设备的故障率。使用半导体焊线工作起来更加顺畅,可以提高焊接效率,也更易于 *** 作,能够更好地保证电子设备的正常运行。

对于功率半导体器件,芯片焊接材料必须在这些器件工作的较高温度下能够保持可靠焊接,同时为工作中的器件提供一个高导热的散热路径。如果芯片粘接材料能够承受比高铅焊料更高的工作温度,这将意味着它在宽禁带半导体器件如SiC功率二极管和晶体管应用中会有优势。由于更高的热导率、更高的击穿电压和更高的饱和载流子速度,SiC器件的功率密度可以实现大幅度增长。更宽禁带的SiC允许更高的结温,而不影响性能[1]。高铅焊料的传统冶金替代品如金锡共晶合金,有较高的作业温度,超过了半导体可以容忍的性能不退化温度;另一种替代品为填银的环氧树脂,但是这种环氧树脂又存在热导率不够的问题,不能保持芯片以最高效率工作所需的温度[1,2]。纳米颗粒具有较高的表面活性,这意味着将会有比块状银熔点961.8 ℃更低的熔点(图1),例如2.4 nm银子熔点为350 ℃[3]。这样的粒子外层在较低的温度下有类似于熔融状态的移动性,使它们在远低于传统的银粉烧结所需温度下,通过润湿和扩散彼此结合或与其他兼容材料相结合。虽然烧结过程中施加外部压力增加了粒子的接触面积,但是在纳米银粒子烧结中这并不是必须的。即使温度低于回流高铅焊料的温度,银表面的移动原子所产生的毛细管作用力也足以保证相邻粒子接触的润湿力。由于银比焊料具有更高的强度,实现本应用中所需的强度不要求高密度银。事实上,多孔结构较低的d性模量有利于减小热循环过程中由于热膨胀系数差异产生的芯片应力。当正确配制时,基于纳米银粒子的焊膏可在高铅焊料所要求的类似温度和更低的温度范围内形成可靠焊点。纳米银将高活性的纳米银粒子递送到焊接区域,并使其结合形成一个满足电气和热导率要求的结构强健的焊点,还是有许多挑战的。


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