听说半导体表现出区别于导体和绝缘体的电阻特性，天翔设计下图所示的电路来研究某半导体材料的电阻与温度

（1）由图可知，半导体电阻R与定值电阻R0串联，当半导体电阻越来越小的时候，根据欧姆定律可知，电路中的电流越来越大，应该给电路中串联一个定值电阻，这样就可以防止电路中的电流过大而烧坏仪表；

（2）由图示图象可知，50℃时R1=40Ω，

电路电流：I=

U

R1+R2

=

12V

40Ω+60Ω

=0.12A，

由I=

U

R

可知，R1两端电压：U1=IR1=0.12A×40Ω=4.8V；

（3）电路最大电流：I最大=200mA=0.2A，

由I=

U

R

可知，电路最小电阻：R1=

U

I最大

=

12V

0.2A

=60Ω，

由图示图象可知，电阻R1为60Ω时的温度为约为40℃；

答：（1）根据相关信息判断，实验中R2保护的对象是电流表．

（2）环境温度是50℃时，电压表示数为4.8V，电流表示数为0.12A．

（3）如果没有设计保护电阻R2，大约在40℃的环境温度下，电路会有损毁的危险．

锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

48IC笔划引脚与LED对应连接即可，48里面的上拉电阻是2k的因此LED可能亮度会低些，这时可以在各引脚外接一个上拉电阻，注意阻值不要过大，因为48电路是分流控制模式，LED不亮的字段是因为48相应引脚的内部三极管饱和为低。

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