半导体三极管是一种电压控制电流的器件吗

普通三极管是电流控制电流器件

用基极电流控制集电极电流

两者之比就是电流放大系数，是三极管的主要性能参数

场效应管

也就是fet

才是电压控制电流器件

用反向电压控制导电沟宽度，控制漏极电流，进而改变输出电压

还有一种是晶闸管也就是可控硅

是电压控制电压器件

可以用单片机的PWM信号控制mos管的开通和关断，然后mos管后端接负载。

一个MOS管，PWM的占空比变化（比如从50到100%），MOS管输出电压（比如100V）会变化（在这样的情形下，比如在纯阻性负载上，其峰值电压还是100V，平均值为50V）。

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

该电路如图17-9 所示。电路中用半导体三极管代替了充电电阻R，在三极管的基极上加有控制电压Ui，当Ui 改变时， VT1的集电极电流IC也随之改变。当IC增加时，触发脉冲前移当IC减小时，触发脉冲后移，从而达到了移相的目的。