三星电子8月30日表示,建筑面积达16个足球场(12.89万平方米)的平泽2号半导体工厂已经产出首批D-RAM产品。该工厂将负责生产半导体行业首款应用EUV(极紫外光刻)工艺的尖端第三代10纳米级(1z) LPDDR5 Mobile D-RAM产品。
三星电子表示,“以量产D-RAM产品为起点,平泽2号工厂还将建成新一代V NAND、超精细代工产品生产线,成为高 科技 综合生产工厂,为公司在第四次工业革命时代拉开半导体技术的差距发挥核心作用”。
为应对市场对EUV工艺尖端产品的需求,三星电子从今年5月开始动工在平泽2号工厂建造代工生产线,并从6月份开始建造NAND闪存半导体生产线、应对市场对尖端V NAND产品的需求。这两条流水线都将在2021年下半年正式投产。
三星电子2018年8月公布180万亿韩元、创造4万个就业岗位的投资计划后,开始投资建造平泽2号工厂。
继平泽1号工厂之后,预计平泽2号工厂的总投资规模也将达到30万亿韩元以上。其中三星电子直接雇佣人数将达4000人,包括其供货商等合作伙伴和建设人员在内,共将创造3万多个就业岗位。
平泽1号工厂从2015年动工,占地289万平方米,2017年6月投产。
平泽2号工厂产出的16Gb LPDDR5 Mobile D-RAM产品是第一次利用EUV工艺量产的存储芯片。三星电子表示,这款产品拥有世上最大的容量和最快的运转速度,是业内第一款第三代10纳米(1z)级 LPDDR5产品。
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近期,LED龙头三安光电的重大投资项目陆续投产。
6月 23日,总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目正式点亮投产 ,这是国内首条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链。同时,也是国内LED芯片龙头三安光电向第三代半导体领域扩张的重要一步。
根据2020年6月公告,湖南三安半导体项目投资总额为160亿元,主要建设碳化硅等化合物第三代半导体等的研发及产业化项目,项目垂直整合了自衬底材料-外延生长-晶圆制造-到封装测试等环节,可实现月产3万片6寸碳化硅晶圆。
据悉, 湖南三安半导体基地全部建成达产后,预计将实现年销售额120亿元 ,年贡献税收17亿元,将促进第三代半导体行业加快发展,带动周边配套产业近万个就业机会。
湖北三安项目近期正式投产
湖北三安项目总投资120亿元,计划建设研发生产基地,生产Mini/Micro LED氮化镓芯片、Mini/ Micro LED砷化镓芯片、4K显示屏用封装三大产品系列。
2021年2月3日,项目一期主体建筑成功封顶;3月16日,项目变电站如期送电; 湖北三安光电项目Micro LED和Mini LED芯片生产线已于2021年4月16日开始试产,并 将于近期正式投产。
该项目投资120亿元,于2019年7月29日开工建设。当时的公告称,湖北三安光电项目争取48个月内实现达产,其中一期投资在24个月内完成项目建设并投产,预计年实现销售收入72亿元、利润总额17.84亿元、税收9.3亿元。
据湖北日报报道,鄂州葛店开发区招商局局长祝晓荣表示,三安光电生产的关键组件将供给光谷的天马微电子、华星光电等光电子信息企业。另外,作为三星的重要供应商之一,三安光电也将继续为三星供应Mini/Micro LED芯片。
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