代工与IDM：中国半导体制造业如何选择？

全球芯片制造工业的运行有两种模式，即IDM及代工，各有特点。 “代工”的价值在哪里？在十多年的历史进程中，全球代工业得到了长足的进步。从初始到成熟，今天已成为全球半导体工业中的一支中坚力量，充分反映代工业能适应市场的需求。分析中国半导体业初创期都采用代工模式，而不走IDM道路，是由以下因素造成的。首先，代工业的入门门槛低，这是与IDM相比较而言。通常代工业，一般在5年内就应该能赢利。然而IDM模式，从产品选择、设计、芯片加工、封装测试，包括可靠性及客户使用产品的反馈等,周期需要更长，而且市场瞬间变化，要同时兼顾时效、性能及价格，IDM的风险更大。IDM模式，设计能力一定要强，才能不断地推出有特色的产品。而中国的现状，IC设计业弱小，真正能独立创新设计的IC产品，受IP 及经验等限制，尚需一段时间磨炼，所以开始以代工模式更符合中国的现状。代工与IDM仅仅是工业发展的类型，本身不存在高低之分。在中国的IDM可能再分两类。一类以终端产品为龙头，需要什么品种就做什么，以自用为主。这种模式如果产品适销对路，加上自己设计的IC 又有IP，产品有竞争力。别人很难模仿。此类企业在中国有如中兴、华为及青岛的海信等。另一类如杭州的士兰。目标以中国本土市场为主，比较现实。尽管每年销售额在6亿元左右，但很有特色。强大的设计队伍，能满足中低档集成电路的需求。从以上看，目前中国芯片产业的绝大部分投资，90%以上都集中在代工模式。可以相信，随着代工市场的竞争加剧，利润越来越薄以及全球IDM大厂，如IBM、Samsung等也纷纷加入高档代工阵营，下一步中国的IDM工厂，一定也会突起，成为另一支中坚力量。全球代工业其年平均增长率高出全球半导体工业的增长率约一倍。吸引了众多投资者的加盟。但是代工业的发展有其自身的规律，能提供全面有价值的服务是关键。在代工业的发展中必须持续投入和加大研发，才能体现其特色。不过代工厂的管理是一门科学。台湾省的一位CEO曾经说过，“能管理好代工厂的人才在台湾，这是代工业制胜的关键”。全球代工业在兴旺的同时，竞争也相当激烈，风险依旧存在。不管代工是属于那个档次，只要具备特色及满足市场的需求，就能立于不败之地。中国半导体工业的发展不可能只走一种“代工”模式。下一步随着IC设计业的成熟，中国不会放弃偌大的市场，相信IDM模式一定会成为另一支中坚力量。

扬杰科技在功率半导体细分领域国内领先，扬杰科技有自己的核心技术，并且坚持扩大研发技术，下面一起了解一下。

扬杰科技是国内少数集单晶硅片制造、芯片设计制造、器件设计封装测试、终端销售与 服务等纵向产业链为一体的规模企业，是一家垂直一体化（IDM）的半导体厂商。其产品已在诸多新兴细分市场具有领先的市场地位及较高的市场占有率。

其核心技术包括：SiC/IGBT/MOSFET/Clip封装和晶圆设计等研发技术平台等；主要产品：分立器件芯片、整流器件、保护器件、小信号、MOSFET、功率模块、碳化硅等，广泛应用于电源、家电、照明、安防、网通、消费电子、新能源、工控、汽车电子等多个领域。

扬杰科技自 2015 年开始探索第三代半导体方向，2015 年 3 月，扬杰科技与西安电子科技大学签约开展第三代半导体材料与器件的产业化应用研究工作。

公司的PSBD芯片、 TSBD芯片已实现全系列量产并持续扩充新规格； FRED芯片、 PMBD 芯片已实现多规格量产，并逐渐向全系列扩展； LBD芯片、 TMBD芯片、 ESD防护芯片、 LOW VF等新产 品开发成功并实现了小批量生产；同时，全面提升TVS芯片的产品性能，有助于进一步提升公司在细分市 场的领先地位。

并不断优化碳化硅功率器件的产品参数与工艺技术，目前可批量供应 650V、1200V 碳化硅 JBS 器件，积极研发碳化硅 MOSFET 器件；同时，持续增强碳化硅领域的专利布局，加大碳化硅芯片工艺相关的自主知识产权储备。

公司有八大研发中心，分别是SiC JBS研发团队、 IGBT研发团队、 MOSFET研发团队、晶圆设计研发团队、 WB封装研发团队、 Clip封装研发团队、汽车电子研发团队、技术服务中心这8大核心团队，形成了从晶圆设计研发到封装产品研发，从售前技术支持到售后技术服务的完备的研发及技术服务体系。

扬杰科技在第三代半导体相关产品上领先布局，目前已经开始批量生产第三代化合物半导体。

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