“双11”晚间，格力对外公告以20亿元参与了三安光电的定向增发，投资方向正是三安光电正在聚焦的化合物半导体领域。当时很多媒体都批评格力董事长董明珠不懂半导体，乱投资。而如今看来，三安光电市值已破千亿，保守估计，3年下来，格力持股收益超60%，不得不承认，董明珠又“赌”对了。
那么，董明珠为何要投资三安光电，化合物半导体产业又有何魅力呢？
2014年，三安光电设立全资子公司——三安集成，致力于成为一个集化合物半导体研发、制造和服务的平台。说到三安集成，就不得不提到其产品线外延的基石，移动终端射频的理想材料——砷化镓。
砷化镓有抗辐射、耐高温、良好的光电特性，以及高电子迁移率等优势。
比如，砷化镓应用的工作频率主要在8赫兹以内，所以很适合应用于低频率器件，比如微基站和手机。另外，LED、激光器也是砷化镓的主要应用领域。
据了解，三安集成砷化镓射频2021H1扩产设备已逐步到位，每月能生产出8000片，出货产品在2G~5G手机功率放大器、WIFI等应用领域全面覆盖，海内外客户累计接近100家。如今，三安光电已成为国内射频技术的主力供应商。
另外，三安光电在第三代半导体材料——氮化镓方面，也有不俗的表现。
相比于砷化镓，氮化镓同样具有熔点高、硬度高等特点，而由砷化镓制造的半导体材料更具有宽带隙、高热导率等特点，应用在电子产品上可提高充电效率。不过造价过高，成了砷化镓的主要劣势。不过碳化硅的出现，对这一缺陷进行了补足。
碳化硅具有良好的衬底导热性，非常适用于高温、高频领域，而且硅在地球上储量极高。因此，性能强、造价低的碳化硅基氮化镓成为了半导体产业的新“宠儿”。在雷达、卫星以及5G基站等大功率输出领域，碳化硅基氮化镓都有广泛的应用。据了解，目前三安光电是我国少数能够大规模生产碳化硅基氮化镓的企业，并成功打造了国内首台6英寸氮化镓外延芯片产线，并实现量产。
从整体上来看，三安光电在制造氮化镓外延和芯片方面，具有明显的行业稀缺优势。而集三安光电化合物半导体之大成的，便是其旗舰产品——声表面波滤波器（SAW）。
声表面波滤波器是射频前端中的重要芯片，一直以来，以村田，太阳诱电，京瓷等为代表的日本企业垄断全球声表面波滤波器40%的市场份额。不过，这一垄断如今已经被三安光电所打破。
目前，三安光电子公司——三安集成已经拥有了集声表面波滤波器产品研发、生产和销售为一体的产业集群。另外，通过对压电材料晶圆、可靠封装以及表面波谐振器结构等研究领域的整合，三安集成能够提供无线通讯系统射频前端应用的单频段及多频段的滤波器、双工器产品。
此外，三安集成还持续扩大了SAW滤波器产品的选型库，其频率范围可以覆盖600~2690兆赫兹，通带带宽范围可覆盖15~194兆赫兹。
当然，滤波器相关应用包括但不限于蜂窝系统频段，非授权频段以及其他无线射频前端应用。在芯片级、晶圆级等封装技术加持下，三安集成致力于持续供应高可靠性与高性能的SAW滤波器市场。
2021年，已有41家愿意使用三安集成滤波器产品，其中有17家是国内手机和通信模块的主要客户。毫不客气地说，三安光电的产品已成功导入手机模块产业供应链。另外，三安光电开发的自主知识产权温度补偿型滤波器，性能已经与国际厂商的同类产品性能相当，其优势是能够快速导入客户端。
截至2021年，已经有多家手机终端厂商与三安光电接洽，随着手机终端厂商对三安光电的不断认可，以及三安光电产能的提升，未来在该领域的市场份额将得到进一步提升。
目前，三安光电已经是国内乃至全球化合物半导体领域的领头羊。在提升我国化合物半导体的国际地位和产业定价权方面，做出了贡献。
作为早早布局三安光电的格力来说，不但获得了资本溢价，更巩固了半导体产业的布局。在如今各个产业深受“芯片荒”所困的时候，能够让格力平稳前行。
不得不承认，董明珠的商业智慧的确让很多人当时看不懂，过后追不上。
中国氮化镓生产十大企业如下：
1、中国苏州能讯
2007年成立，能讯半导体采用整合设计与制造（IDM）的模式，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术。
产品：氮化镓射频功率晶体管、无线通信氮化镓射频功放管、氮化镓HEMT管。
芯技术和应用：能讯氮化镓功放管产品在宽带信号下输出高效率和高增益，应用简单，适合LTE、4G、5G等移动通信的超宽带功放应用。
氮化镓HEMT管芯可支持客户DC-6GHz以内的超宽带应用，功率密度、效率及可靠性业内领先，适合应用于紧凑型射频放大模块、通用或个人通讯子系统。
2、苏州晶湛
2012年成立，位于苏州纳米城，致力于氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化。 截至目前，晶湛半导体已完成A+轮融资，用于扩大生产规模。
产品：GaN-on-Si、GaN-on-SiC、GaN-on-Sapphire。
技术及应用：硅基、蓝宝石基和碳化硅基氮化镓外延片产品有着极高的电子迁移率和二维电子气浓度、极小的缓冲层漏电。应用于微波射频和电力电子领域；目前已可以提供6英寸、8英寸硅基氮化镓晶圆材料。
3、珠海英诺赛科
成立于2015年12月，引进美国英诺赛科公司SGOS技术。
产品：单管GaN FET，半桥GaN FET、GaN IC。
技术及应用：8英寸硅基氮化镓产业化平台，具有完善的氮化镓外延生长、无金硅CMOS兼容工艺制造、自有可靠性测试与失效分析能力。应用于激光雷达、无线充电和快充、数据中心、5G通信、人工智能、新能源汽车。
4、重庆华润微
2000年成立，以销售额计，公司是2018年前十大中国半导体企业中唯一一家以IDM模式为主运营的半导体企业。
产品：8英寸硅基氮化镓生产线，国内首个8英寸600V/10A GaN功率器件产品技术及应用：聚焦于功率半导体、智能传感器领域，为客户提供系列化的半导体产品与服务。
5、杭州士兰微
成立于1997年9月，总部在中国杭州。
2003年上市产品：国内知名IDM企业，建设6英寸硅基氮化镓功率器件中试线。
6、重庆聚力成
2018年9月成立，于重庆市大足区建设硅基氮化镓（GaN-on-Si)外延片基地。
产品：GaN-on-Si和GaN-on-SiC外延晶圆材料、GaN功率器件。
技术及应用：目前，GLC於重庆市大足区建设第一期硅基氮化镓（GaN-on-Si)外延片工厂，现今外延片已进入量产阶段，整个项目计划建成年产能12万片的氮化镓外延片产线和年产能36万片的氮化镓芯片生产和封测产线。
7、台湾积体电路制造
成立于1987年，2019年，台积公司及其子公司所拥有及管理的年产能超过一千二百万片十二吋晶圆约当量。
产品技术：6英寸的GaN-on- Si。
8、三安集团
于2000年11月成立，坐落于厦门。
产品：650V 0.5um GaN/Si，200V/100V0.5um GaN/Si。
技术及应用：三安集成的氮化镓（GaN）E-HEMT技术服务于消费者和工业应用，如适配器／充电器，电信／服务器smp，无线电源，车载充电器（OBC)和成本有效的解决方案。
9、苏州捷芯威
成立于2013年，海外归国人员创办于苏州工业园区，捷芯威子公司在氮化镓电力电子技术领域，拥有百余项国内外发明专利。专利布局包括材料、器件、工艺和应用；区域覆盖中国、美国、欧洲、日本等。
产品：硅基氮化镓电力电子器件、蓝宝石基氮化镓电力电子器件技术及应用：650V GaN FET，其BVds≥650V，Ids＞10A，导通电阻Ron＜0.15Ω。可以应用于PFC、DC-DC、DC-AC、AC-DC、无线电能传输、电源适配器、无线电源和快充领域。
单管耐压超过2000V的蓝宝石基氮化镓高压保护开关器件，单管耐压2000V，开态时导通电阻低于1Ω，且关态时漏电低于1uA/mm。
10、大连芯冠
2016年3月17日成立于大连高新区，公司采用整合设计与制造（IDM）的商业模式。
产品：硅基氮化镓外延片、硅基氮化镓电力电子器件。
技术及应用：已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月，芯冠科技在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品（通过1000小时HTRB可靠性测试），并正式投放市场。
半导体行业的产业链主要是由芯片设计 、 代工制造 、 封装测试三部分 ， 以及产业链外部的材料 ， 设备供应商组成 。
半导体细分领域
【设计工具】
EDA软件
半导体设计： 民德电子、欧比特（IC设计）、寒武纪（SOC芯片设计）、格科微、华微电子、力合微（芯片设计原厂）
【芯片设计】
集成电路包括存储芯片（NANDFlash、NORFlash、DRAM）、CPU、GPU、MCU、FPGA、DSP、触控与指纹识别芯片、射频前端芯片、模拟芯片。
存储芯片： 兆易创新、北京君正、国科微、聚辰股份（NORFlash）
CPU（中央处理器）： 、中科曙光、长电 科技
GPU（图形处理器）： 景嘉微
MCU（微控制器）： 兆易创新、富满微、芯海 科技 、*ST大唐、力合微
FPGA（半定制电路芯片）： 紫光国微、复旦微电、安路 科技
DSP（数字信号处理器）： 国睿 科技 、四创电子、力合微
触控与指纹识别芯片： 汇顶 科技 、兆易创新
射频前端芯片： 卓胜微、三安光电、富满微、立昂微（6英寸砷化镓微波射频芯片）、艾为电子
模拟芯片： 圣邦股份、韦尔股份、汇顶 科技 、北京君正、芯海 科技 （模拟信号链）、亚光 科技 （孙公司华光瑞芯是模拟芯片研发生产商）、艾为电子
数字芯片： 晶晨股份、乐鑫 科技 、瑞芯微、全志 科技
功率芯片： 斯达半导、捷捷微电、晶丰明源
WiFi芯片： 华胜天成、博通集成
2.光电器件
LED： 三安光电（砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及的外延片、芯片）、洲明 科技 、华灿光电（LED外延片及全色系LED芯片）、聚灿光电（GaN基高亮度LED外延片、芯片）、乾照光电（全色系LED外延片和芯片）、利亚德
Miniled： 京东方A、TCL
3.分立器件包含IGBT、MOSFET、功率二极管、晶闸管、晶振、电容电阻
IGBT： 斯达半导、时代电气、台基股份、士兰微、扬杰 科技 、紫光国微、华微电子、新洁能
MOSFET： 华润微、士兰微、富满微、立昂微、扬杰 科技 、银河微电、捷捷微电、苏州固锝、新洁能
功率二极管： 扬杰 科技 、台基股份（整流管）、士兰微（快恢复二极管FRD、瞬态抑制二极管TVS、发光二极管）、银河微电、华微电子、苏州固锝
晶闸管： 捷捷微电、台基股份、捷捷微电、派瑞股份（高压直流阀用晶闸）
晶振： 泰晶 科技
电容电阻： 风华高科
4.传感器
敏芯股份（MEMS传感器）、华润微（智能传感器）、士兰微（MEMS传感器）、光莆股份（半导体光电传感器）
【代工制造】
晶圆加工： 中芯国际
开放式晶圆制造： 华润微
MEMS晶圆制造： 赛微电子
【封装测试】
长电 科技 、通富微电、华天 科技 、晶方 科技 、康强电子、华润微、大港股份、气派 科技 、华微电子、兴森 科技 （半导体测试板）、苏州固锝
【晶圆制作材料】
硅片： 沪硅产业、中环股份、立昂微（半导体硅片）、神工股份（单晶硅材料）、中晶 科技
光刻胶： 南大光电、容大感光、飞凯材料、晶瑞股份、雅克 科技 、安泰 科技
特种气体： 华特气体、雅克 科技
湿电子化学品： 江化微
靶材： 江丰电子、隆华 科技 、有研新材、阿石创（溅射靶材）、江丰电子（高纯溅射靶材）
CMP抛光材料： 安集 科技 、鼎龙股份
高纯试剂： 上海新阳、晶瑞股份、
【第三代半导体】
氮化镓GaN ：富满电子、奥海 科技 （氮化镓充电器）、聚灿光电（GaN基高亮度LED外延片、芯片）、闻泰 科技 、赛微电子[6-8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）、碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）]、海能实业（快充氮化镓产品）、兆驰股份[兆驰半导体生产蓝绿光（GaN）与红黄光（GaAs）外延及芯片]、亚光 科技
碳化硅Sic： 露笑 科技 （碳化硅衬底片、外延片）、楚江新材、闻泰 科技 、天富能源（Sic衬底环节，参股天科合达）、三安光电（砷化物、氮化物、磷化物及碳化硅等化合物半导体新材料所涉及的外延片、芯片）、时代电气、捷捷微电、温州宏丰(碳化硅单晶研发)、紫光国微、晶盛机电（碳化硅长晶设备）、甘化科工（参股苏州锴威特半导体）、东尼电子、易事特
【设备】
光刻机：
刻蚀机： 中微公司（等离子体刻蚀设备、CPP，ICP）、芯源微（湿法刻蚀机）、北方华创
离子注入设备： 万业企业
炉管设备： 北方华创、晶盛机电
清洗设备： 北方华创、至纯 科技 （半导体湿法清洗设备研发）、芯源微
检测设备： 精测电子、华峰测控、长川 科技
物理气相沉积设备PVD： 北方华创、华亚智能（半导体设备领域结构件）
化学气相沉积设备CVD： 北方华创、晶盛机电、华亚智能（半导体设备领域结构件）
涂胶/显影机： 芯源微
喷胶机： 芯源微
原子层沉积设备ALD： 北方华创
MOCVD设备： 中微公司
半导体微组装设备： 易天股份
【其他】
华为海思半导体供应商： 铭普光磁
掩膜版： 清溢光电
PVD镀膜材料： 阿石创
镀膜设备： 立霸股份（参股拓荆 科技 ）
印刷电路板PCB： 澳弘电子、协和电子、华正新材[覆铜板（CCL）]、兴森 科技 、金安国纪、迅捷兴、本川智能、胜宏 科技 、四会富仕、超声电子、奥士康、沪电股份、明阳电路、广东骏亚
单晶拉制炉热场系统： 金博股份
工业视觉装备： 天准 科技
石英晶体： 惠伦晶体、东晶电子
电容器： 江海股份、艾华集团、铜峰电子
FPC线路板： 风华高科、*ST丹邦
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