快速热处理晶圆变形

快速热处理晶圆变形,第1张

在半导体工艺中,需要对晶圆做快速热处理,即在几秒或更短的时间内把晶圆加热到1000 ℃左右。

晶圆的加热一般使用大功率的灯泡或激光。高功率激光束按一定的路径在晶圆表面扫描,快速加热晶圆(laser scanning annealing,LSA)。这种快速热处理工艺主要用来激活掺杂(dopant activation)、热氧化(thermal oxidaton)等。

然而,RTP和LSA工艺的快速升温经常导致晶圆翘曲(warpage),给随后的光刻对准增加了困难。快速热处理工艺后晶圆的套刻误差增大,不能符合工艺指标的要求。


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