半导体镀膜工艺是什么

镀膜工艺一般是PVD和CVD。PVD：物理气相沉积。通过plasm轰击金属靶材（金靶，铜靶，Al，Cr.....），金属原子脱离靶材，落在wafer表明，形成薄膜。CVD：化学气相沉积。这个是通过化学反应，在晶圆表面张氧化薄膜。

是真空的，半导体主要是镀膜工艺，镀膜工艺需要在真空环境中进行。真空腔体是保持内部为真空状态的容器，真空腔体的制作要考虑容积、材质和形状。真空腔体是为减少了半导体应用中真空腔的个数而研发的一种结构，其晶圆容量几乎不变。

真空腔体的内壁表面吸附大量的气体分子或其他有机物，成为影响真空度的放气源。为实现超高真空，要对腔体进行150—250℃的高温烘烤，以促使材料表面和内部的气体尽快放出。烘烤方式有在腔体外壁缠绕加热带、在腔体外壁固定铠装加热丝或直接将腔体置于烘烤帐篷中。

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