为什么利用azo薄膜来代替ito导电薄膜

【ITO膜在LED中的作用】为了提高LED芯片的出光效率，人们想了许多办法。比如，当前市场上出现了许多亮度较高的ITO芯片的LED，GaN基白光LED中如果用ITO替代Ni/Au作为P型电极芯片的亮度要比采用通用电极的芯片高20％－30％。在众多可作为透明电极的材料中，ITO是被最广泛应用的一种，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，通常有两个性能指针：电阻率和透光率。主要是由于ITO可同时具有低电阻率及高光穿透率的特性，符合了导电性及透光性良好的要求。在氧化物导电膜中，以掺Sn的In2O3(ITO)膜的透过率最高和导电性能最好，而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形。

【ITO薄膜】是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。

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什么是AZO偶氮化合物 AZO偶氮化合物是偶氮基-N=N-与两个烃基相连接而生成的化合物，其通式为R-N=N-R。生活中与AZO偶氮化合物有关的名词有：azo free，azo free certificate，azo free test，azo燃料，azo dye 等。 AZO偶氮化合的材料主要有：布料、皮革、油漆、塑料、橡胶、着色剂等 AZO偶氮化合物的结构及形成 偶氮化合物具有顺、反几何异构体；反式比顺式稳定，两种异构体在光照或加热条件下可相互转换。偶氮化合物主要通过重氮盐的偶联反应制得；氢化偶氮化合物和芳香胺在氧化剂(如NaOBr、CuCl2、MnO2和Pb(OAc)4等)存在下，可被氧化为相应的偶氮化合物；氧化偶氮化合物和硝基化合物在还原剂(如(C6H5)3P、LiAlH4等)存在下，也可被还原为偶氮化合物。偶氮基是一个发色团，偶氮染料是品种最多、应用最广的一类合成染料。有些偶氮化合物可用作分析化学中的酸碱指示剂和金属指示剂。有些偶氮化合物可用作聚合反应的引发剂，如偶氮二异丁腈等。 AZO检测流程 1.咨询---申请人提供产品资料图片及描述。 2.报价---根据申请人提供的资料，技术工程师将作出评估，确定须测试的项目，并向申请方报价 3.申请方接受报价 4.申请方填写测试申请表和测试样品一起提交 5.样品测试——测试将依照所适用的标准进行 6.实验室出检测报告 7.实验室签发符合AZO测试的合格报告 AZO偶氮的危害及限制 很多偶氮化合物有致癌作用，如曾用于人造奶油着色的奶油黄能诱发肝癌，属于禁用；作为指示剂的甲基红可引起膀胱和乳腺肿瘤。有些偶氮化合物虽不致癌，但毒性与硝基化合物和芳香胺相近。 为保护人类健康，提供消费者安全，荷兰、奥地利和德国已经先后采取了强制性规则以禁止在消费品中使用含偶氮的着色剂。根据各国指令要求提供相关AZOI检测服务。2002年9月11日和2003年1月6日，欧洲议会和欧盟委员会也公布了2002/61/EC与2003/3/EC指令，限制在某些纺织品和皮革制品中使用具有致癌作用的偶氮着色剂，禁止销售用受限制含偶氮着色剂着色的商品。2002/61/EC与2003/3/EC指令逐步被编入各国法律，并分别已经于2003年9月11日和2004年6月30日生效。在22种芳烃胺中，一种或多种芳烃胺内的偶氮着色剂(芳烃胺)含量应低于30mg/kg。此外，索引编号为611-070-00-2的蓝色着色剂在任何产品中的含量应限定在1000mg/kg以内。 目前AZO FREE偶氮控已成为国际纺织品服装贸易中最重要的品质监控项目一，也是生态纺织品最基本的质量指标之一。德国政府于1994年颁布的法令规定，凡是进入德国的皮革、纺织品必须进行AZO检测，紧接着欧盟部分国家纷纷效法。 目前欧盟禁用的二十四种致癌芳香胺染料包括： 1、4-氨基联苯 2、联苯胺 3、4-氯-2-甲基苯胺 4、2-萘胺 5、4-氨基-3，2‘-二甲基偶氮苯 6、2-氨基-4-硝基甲苯 7、2，4-二氢基甲醚 8、4-氯苯胺 9、4，4‘-二氨基二苯甲烷 10、3，3‘-二氯联苯胺 11、3，3‘-二甲氧基联苯胺 12、3，3‘-二甲基联苯胺 13、3，3‘-二甲基-4，4‘-二氨基二苯甲烷 14、2-甲氧基-5-甲基苯胺 15、4，4‘-亚甲基-二(2-氯苯胺) 16、4，4‘-二氨基二苯醚 17、4，4‘-二氨基二苯硫醚 18、2-甲基苯胺 19、2，4-二氢基甲苯 20、2，4，5-三甲基苯胺 21、2-甲氧基苯胺 22、4-氨基偶氮苯 23、2，4-二甲基苯胺 24、2，6-二甲基苯胺

本发明涉及一种TFT基板及TFT基板的制造方法，特别地，涉及一 种具备作为TFT (薄膜晶体管)的有源层的氧化物半导体(n型氧化物半 导体层)的顶栅型的TFT基板及TFT基板的制造方法。此外，此TFT基 板及TFT基板的制造方法通过利用第二氧化物层(氧化物导电体层)形成 源布线、漏布线、源电极、漏电极及像素电极，就能够削减制造工序，并 能够降低制造成本。

背景技术：

基于显示性能、节约能源等的理由正广泛地利用LCD(液晶显示装置) 和有机EL显示装置。特别是，这些作为携带电话和PDA (个人携带信息 终端)、电脑和膝上型电脑、电视机等显示装置，基本上成为主流。在这 些显示装置中，通常使用TFT基板。例如，液晶显示装置在TFT基板和对置基板之间填充有液晶等的显示 材料。此外，此显示材料对每个像素选择地施加电压。在此，TFT基板是 配置由半导体薄膜(也称为半导体膜)等形成的TFT (薄膜晶体管)的基 板。由于TFT基板通常以阵列状配置TFT，所以也称为「TFT阵列基板J。再有，在液晶显示装置等中使用的TFT基板中，在玻璃基板上纵横地 配设TFT和液晶显示装置的画面的1像素的组(将这称为1单元)。在TFT 基板中，在玻璃基板上，例如在纵向上以等间隔配置栅布线，在横向上以 等间隔配置源布线或漏布线的一个布线。此外，源布线或漏布线的另一个 布线、栅电极、源电极及漏电极分别被设置在构成各像素的上述单元中。<TFT基板的现有制造方法>现在，作为此TFT基板的制造方法，通常已知有使用5片掩模的5 片掩模工艺、和通过半色调曝光技术使用4片掩模的4片掩模工艺等。 当前，在这样的TFT基板的制造法中，由于使用5片或4片的掩模，所以其制造工艺需要很多工序。例如，4片掩模工艺需要超过35步骤(工 序)的工序，5片掩模工艺需要超过40步骤(工序)的工序。像这样，工 序数量增多时，就会担心制造合格率下降。此外，工序数量多时，就会担 心工序变复杂，制造成本增大。 (使用5片掩模的制造方法)图54是用于说明现有例相关的TFT基板的制造方法的示意图，(a) 表示形成有栅电极的剖面图。(b)表示形成蚀刻停止层的剖面图。(c)表 示形成有源电极及漏电极的剖面图。(d)表示形成有层间绝缘膜的剖面 图。(e)表示形成有像素电极的剖面图。在图54 (a)中，在玻璃基板9210上，使用第一掩模(未图示)形成 栅电极9212。即，首先在玻璃基板9210上通过溅射堆积金属(例如Al (铝)等)。接着，使用第一掩模通过光刻法形成抗蚀剂。接着，通过按 规定的形状进行蚀刻，形成栅电极9212，灰化抗蚀剂。接着，如图54 (b)所示，在玻璃基板9210及栅电极9212上依次层 叠由SiN膜(氮化硅膜)形成的栅绝缘膜92B、及a-Si:H(i)膜9214。接 着，堆积作为沟道保护层的SiN膜(氮化硅膜)。接着，使用第二掩模(未 图示)通过光刻法形成抗蚀剂。接着，是用CFH气体以规定的形状干蚀 刻SiN膜，形成蚀刻停止层9215，灰化抗蚀剂。接着，如图54 (c)所

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