在半导体物理学中，类氢模型的优缺点

优点：基本上能够解释浅能级杂质电离能的小的差异，计算简单

缺点：只有电子轨道半径较大时，该模型才较适用，如Ge.相反，对电子轨道半径较小的，如Si，简单的库仑势场不能计入引入杂质中心带来的全部影响。

参考：叶良修《半导体物理学》

非线性模型

本文提出了一种新的非线性模型，用于研究半导体空间电荷面（SCD）的密度。该模型改变了传统模型中电子-空穴对的参数表示，使其可以有效地描述复杂的电荷面构型。新模型基于空间电荷密度张量的定义，可以在各向同性和各向异性条件下描述SCD。使用数值模拟结果证明，该模型可以更好地描述复杂SCD结构，并且可以更准确地预测电荷面的角度和深度。实验结果表明，该模型的精度明显优于传统的线性模型，表明本文提出的模型可以在半导体物理和电子学中得到有效的应用。

热缺陷是由于晶体中的原子(或离子)的热运动而造成的缺陷,从几何图形上看是一种点缺陷,热缺陷的数量与温度有关，温度愈高，造成缺陷的机会愈多。晶体中热缺陷有2种形态，一是肖脱基(Schotty)缺陷，2是弗仑克尔(Frenkel)缺陷。

1)肖脱基缺陷

由于热运动，晶体中阳离子及阴离子脱离平衡位置，跑到晶体表面或晶界位置上，构成一层新的界面，而产生阳离子空位及阴离子空位，不过，这些阳离子空位与阴离子空位是符合晶体化学计量比的。如：MgO晶体中，形成Mg2+和O2-空位数相等。而在TiO2中，每形成一个Ti4+离子空位，就形成两个O2-离子空位。肖脱基缺陷实际产生过程是：由于靠近表面层的离子热运动到新的晶面后产生空位，然后，内部邻近的离子再进入这个空位，这样逐步进行而造成缺陷。

2）弗仑克尔缺陷

弗仑克尔缺陷形成过程为：一种离子脱离平衡位置挤入晶体的间隙位置中去，形成所谓间隙（或称填隙）离子，而原来位置形成了阳离子或阴离子空位。这种缺陷的特点是间隙离子和空位是成对出现的。弗仑克尔缺陷除与温度有关外，与晶体本身结构也有很大关系，若晶体中间隙位置较大，则易形成弗仑克尔缺陷。如AgBr比NaCl易形成这种缺陷。

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