芯片evb板是什么意思

是供电模板。集成电路英语：integrated circuit，缩写作 IC；或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、晶片/芯片（chip）在电子学中是一种将电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。

晶体管发明并大量生产之后，各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用，取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步，使得集成电路成为可能。

相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件，集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片，是一个巨大的进步。集成电路的规模生产能力，可靠性，电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化集成电路代替了设计使用离散晶体管。

　霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场EH。

电流IS通过N型或P型霍尔元件，磁场B方向与电流IS方向垂直，且磁场方向由内向外，对于N型半导体及P型半导体，分别产生的方向如左图和右图的霍尔电场EH（据此，可以判断霍尔元件的属性——N型或P型）。

　霍尔电势差EH阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场力FE与洛仑兹力FB相等时，霍尔元件两侧电荷的积累就达到动态平衡。

由于：

FE=eEH，FB=evB，

因此：

eEH=eVB （1）

设试样的宽为b，厚度为d，载流子浓度为n ，则：

IS=nevbd（2）

由（1）、（2）式可得：

霍尔电势差UH=EHb=(1/ne)(ISB/d)=RH(ISB/d)

RH=1/ne是材料的霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。

对于固定霍尔元件，厚度d固定，记KH为霍尔元件的霍尔系数，可得：

UH=KHISB（3）

即：霍尔电势差UH与电流IS及磁感应强度B成正比。

阿里巴巴网络技术有限公司是国内乃至全球的知名企业，集团经营的业务广泛，主要是电子商务、网上支付、B2B网上交易市场以及云计算业务，可能很多人都不知道，其实阿里巴巴也涉足半导体领域。

1月22日阿里巴巴旗下的平头哥半导体（T-Head）向 社会 公开宣布了一则喜讯，表示其已经成功将Android 10移植到自己的RISC-V芯片上，并且开源了全部的相关代码，这对于平头哥半导体来说是一次突破性的成就。

平头哥半导体有限公司于2018年10月31日正式成立，是阿里巴巴旗下的一家半导体公司，是一家旨在打造面向 汽车 、家电、工业等诸多行业领域的智联网芯片平台，自上市以来就受到了 社会 的广泛关注。这些年，平头哥半导体的发展也还算比较可观，它曾在2019年正式对外发布了含光800AI芯片。

完成安卓10对阿里自研的RISC-V的移植，意味着以后安卓10系统可以在玄铁910芯片上流畅运行，这对于平头哥半导体来说是一次巨大的进步，对阿里巴巴也具有重要的意义。

此前已有媒体对ICE EVB进行了简单的报道，ICE EVB是T-Head开发的基于玄铁C910的高性能SoC板。据悉，ICE SoC集成了3个玄铁C910内核和1个GPU内核，拥有高速、智能、高性价比等特点，可支持3D图形、视觉AI和多媒体处理等多种功能。

玄铁910作为阿里自研的RISC-V处理器是目前业界最强的RISC-V处理器，玄铁910的成功研发对于阿里和平头哥半导体而言都是一次具有突破性的进步。这款处理器于2019年7月正式向市场推出，运用领域较广，主要的运用领域为5G、人工智能、自动驾驶等。据了解，使用玄铁910处理器可以有效提高芯片性能，最高可提升一倍以上，不仅如此，芯片的成本还将降低一半以上。

此次平头哥半导体将玄铁910移植至安卓10，并实现其在安卓10上成功运行，这是阿里及其旗下半导体公司在技术研发领域难得的突破，但也有部分媒体认为这对Arm和安卓的联盟来说并不是一件值得高兴事，甚至是一个坏消息。快 科技 表示，未来平头哥半导体还将推出更高性能的RISC-V芯片，随着这类芯片的推出以及对软件进行移植，RISC-V无疑会给Arm带来更大的挑战。

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