为什么硅半导体器件比锗半导体的器件工作温度高

因为硅的禁带宽度比锗的大，且在相同温度下，锗的本征激发强于硅，很容易就达到较高的本征载流子浓度，使器件失去性能。在通常情况下，要使硅激发的本征载流子浓度接近掺杂电离的载流子浓度，所需的温度就要高于同样情况下的锗。所以，硅半导体器件比锗半导体的器件工作温度高。

扩展资料：

半导体禁带宽度与温度和掺杂浓度等有关：半导体禁带宽度随温度能够发生变化，这是半导体器件及其电路的一个弱点（但在某些应用中这却是一个优点）。半导体的禁带宽度具有负的温度系数。例如，Si的禁带宽度外推到0K时是1.17eV，到室温时即下降到1.12eV。

禁带宽度对于半导体器件性能的影响是不言而喻的，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度；对于BJT，当发射区因为高掺杂而出现禁带宽度变窄时，将会导致电流增益大大降低。

参考资料来源：百度百科-锗半导体

参考资料来源：百度百科-半导体禁带宽度

早年或最初的半导体材料都是用锗。如我国锗类晶体管就是3A系列和3B系列。二极管是2A系列。上世纪6，7十年代有半导体收音机基本上都是锗材料。

锗材料的致命弱点就是温度稳定性很差。三极管漏电流很大，门限电压很低0.1V左右。当大规模集成电路时。这些都是致命的缺点。

至于题主用金属与非金属的概念套散热性能并不合适。锗虽属金属元素，但其导电性属于半导体。

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