现在被称作
半导体器件的种类如下所示。按照其制造技术可分为分立
器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、
存储器等大类,一般来说这些还会被再分成小类。此外,IC除了在制造技术上的分类以外,还有以应用领域、设计方法等进行分类,最近虽然不常用,但还有按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其规模进行分类的方法。此外,还有按照其所处理的信号,可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。\x0d\x0a半导体器件的种类: \x0d\x0a一、分立器件\x0d\x0a1、 二极管\x0d\x0aA、一般整流用\x0d\x0aB、高速整流用:\x0d\x0a①FRD(Aast Recovery Diode:高速恢复二极管)\x0d\x0a②HED(Figh Efficiency Diode:高速高效整流二极管)\x0d\x0a③SBD(Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管)\x0d\x0aC、定压二极管(齐纳二极管)\x0d\x0aD、高频二极管\x0d\x0a①变容二极管\x0d\x0a②PIN二极管\x0d\x0a③穿透二极管\x0d\x0a④崩溃二极管/甘恩二极管/骤断变容二极管\x0d\x0a2、 晶体管\x0d\x0a①双极晶体管\x0d\x0a②FET(Fidld Effect Transistor:场效应管)\x0d\x0aⅠ、接合型FET\x0d\x0aⅡ、MOSFET\x0d\x0a③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)\x0d\x0a3、 晶闸管\x0d\x0a①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端双向可控硅\x0d\x0a②GTO(Gate Turn off Thyristor:栅极光闭晶闸管) \x0d\x0a③LTT(Light Triggered Thyristor:光触发晶闸管)\x0d\x0a\x0d\x0a二、光电半导体\x0d\x0a1、LED(Light Emitting Diode:发光二极管)\x0d\x0a2、激光半导体\x0d\x0a3、受光器件\x0d\x0a①光电二极管(Photo Diode)/太阳能电池(Sola Cell)\x0d\x0a②光电晶体管(Photo Transistor)\x0d\x0a③CCD图像传感器(Charge Coupled Device:电荷耦合器)\x0d\x0a④CMOS图像传感器(complementary Metal Oxide Semiconductor:互补型金属氧化膜半导体)\x0d\x0a4、光耦(photo Relay)\x0d\x0a①光继电器(photo Relay)\x0d\x0a②光断路器(photo Interrupter)\x0d\x0a5、光通讯用器件\x0d\x0a\x0d\x0a三、逻辑IC\x0d\x0a1、通用逻辑IC\x0d\x0a2、微处理器(Micro Processor)\x0d\x0a①CISC(Complex Instruction Set Computer:复杂命令集计算机)\x0d\x0a②RISC(Reduced instruction SET Computer:缩小命令集计算机)\x0d\x0a3、DSP(Digital Signal processor:数字信号处理器件)\x0d\x0a4、AASIC(Application Specific integrated Circuit:特殊用途IC)\x0d\x0a①栅陈列(Gate-Array Device)\x0d\x0a②SC(Standard Cell:标准器件)\x0d\x0a③FPLD(Field programmable Logic Device:现场可编程化逻辑装置)\x0d\x0a5、MPR(Microcomputer peripheral:微型计算机外围LSI)\x0d\x0a6、系统LSI(System LSI)\x0d\x0a\x0d\x0a四、模拟IC(以及模拟数字混成IC)\x0d\x0a1、电源用IC\x0d\x0a2、运算放大器(OP具Amp)\x0d\x0a3、AD、DA转换器(AD DA Converter)\x0d\x0a4、显示器用驱动器IC(Display Driver IC)\x0d\x0a\x0d\x0a五、存储器\x0d\x0a1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:动态随机存取存储器)\x0d\x0a2、SRAM(Static Random Access Memory:静态随机存取储器)\x0d\x0a3、快闪式存储器(Flash Memory)\x0d\x0a4、掩模ROM(mask Memory)\x0d\x0a5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:强介电质存储器)\x0d\x0a6、MRAM(Magnetic Random Access Memory:磁性体存储器)什么是Flash Memory存储器
介绍关于闪速存储器有关知识 近年来,发展很快的新型半导体存储器是闪速存储器(Flash Memory)。它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言,Flash Memory属于EEPROM(电擦除可编程只读存储器)类型。它既有ROM的特点,又有很高的存取速度,而且易于擦除和重写, 功耗很小。目前其集成度已达4MB,同时价格也有所下降。
由于Flash Memory的独特优点,如在一些较新的主板上采用Flash ROM BIOS,会使得BIOS 升级非常方便。 Flash Memory可用作固态大容量存储器。目前普遍使用的大容量存储器仍为硬盘。硬盘虽有容量大和价格低的优点,但它是机电设备,有机械磨损,可靠性及耐用性相对较差,抗冲击、抗振动能力弱,功耗大。因此,一直希望找到取代硬盘的手段。由于Flash Memory集成度不断提高,价格降低,使其在便携机上取代小容量硬盘已成为可能。 目前研制的Flash Memory都符合PCMCIA标准,可以十分方便地用于各种便携式计算机中以取代磁盘。当前有两种类型的PCMCIA卡,一种称为Flash存储器卡,此卡中只有Flash Memory芯片组成的存储体,在使用时还需要专门的软件进行管理。另一种称为Flash驱动卡,此卡中除Flash芯片外还有由微处理器和其它逻辑电路组成的控制电路。它们与IDE标准兼容,可在DOS下象硬盘一样直接 *** 作。因此也常把它们称为Flash固态盘。 Flash Memory不足之处仍然是容量还不够大,价格还不够便宜。因此主要用于要求可靠性高,重量轻,但容量不大的便携式系统中。在586微机中已把BIOS系统驻留在Flash存储器中。
http://bbs.zol.com.cn/index20060220/index_17_241442.html
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