HBT为什么能提高注入效率

按异质结数目：单异质结晶体管（SHBT）---只有发射结为异质结的HBT 双异质结晶体管（DHBT）---发射结合集电结均为异质结的HBT 按发射结和基区结构： 突变发射结HBT缓变发射结HBT突发发射结缓变基区HBT缓变发射结缓变基区HBT2、工作原理 同质结双极管存在的主要问题：为提高电流增益，要求发射区重掺杂、基区轻掺杂，与为提高频率，又要求减小发射结电容、减少基区电阻而互相矛盾。为了解决该矛盾的根本途径是采用宽带隙半导体材料作成发射区，窄带隙材料作基区。由于降低了电子从发射区注入到基区的势垒，同时提高了空穴由基区向发射区反注入的势垒，提高了注入效率，进一步提高了电流增益，使器件在保持较高电流增益的条件下，提高晶体管的速度和工作频率。 3、特点 HBT与结构相近的同质结晶体管相比，具有以下特点：特征频率fT高；最高振荡频率fmax高；厄利（Early）电压较高（因基区掺杂浓度高，耗尽区不易在基区内扩展）；基区穿通电压较高；当输出功率大导热差时，Ic-UCE特性常出现负阻效应。

晶体管电子沟道并不一定是异质结形成的。

要判断导电沟道是否由异质结形成，需要了晶体管和半导体材料。

常用的双极型晶体管可以分为同质结结构和异质结结构。

①同质结晶体管

顾名思义，同质结晶体管电子沟道是由单一材质形成的。比如硅。常见的NPN和PNP都是这种结构。CMOS也属于同质结晶体管。

②异质结晶体管

异质结晶体管电子沟道是不同材质形成的。主要应用于射频高功率场合，造价昂贵，产量低。

常见的双极型晶体管有矽锗和砷化镓HBT。

矽锗HBT结构如下：

砷化镓HBT结构如下：

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