现代颗粒：
作为全球几大内存颗粒生产厂家的现代公司自从进入中国以后假货也随之而来并且花样之多令人发寒。以往所谓的现代原厂内存不过是使用些小伎俩比如贴塑料纸，喷漆等下三滥的REMARK手段，而现在真正的仿冒品出来了，不仔细看的话真的会被假货所蒙骗。同时HY公司的内存颗粒一直以来算的上中规中矩，除了稳固TSOP II封装的颗粒外，根本没有生产过其他封装的产品，这里就暴露了假货的致命点。虽然外观漂亮，但是最终难逃假货的命运。
目前现代主流的内存颗粒有两种，默认频率在200MHz的D-43颗粒以及250MHz的D-5颗粒。
海力士（Hynix）颗粒：
与英飞凌的情况类似，海力士以前是韩国现代电子公司的子公司现代半导体公司，后来从母公司中独立，改名为Hynix，所以严格的说，它的产品不能再称之为“现代内存”了。
KINGSTON系列：
虽然他比KINGMAX出道晚，但是他却以迅雷不及掩耳的速度在国内走红，可能最主要的原因就是内存质量了。同样市场上也就出现了仿冒的盒装KINGSTON。辨别是否是正品非常的简单。首先，正品的封口贴纸印刷色彩丰富。假冒的产品则逊色很多。
如果不能通过包装外表来识破真假，那么就看看内存颗粒，假货为了节省成本通常使用廉价的杂牌内存颗粒，而正品则是以SAMSUNG，HY等为主的。但是必须要提防打磨的颗粒。还有一招就是拨打内存上的800电话来辨别真假。
三星原厂颗粒：
三星与现代原厂内存一直都是比较崇尚的，自从去年进入市场以来也都没有过的清闲，频繁受到了仿冒品的骚扰。
现在的所谓三星原厂的仿冒品如同以前的散装条，做工较为粗糙，PCB质量较为低劣，并且分量也不及原厂条来的重。内存颗粒的激光字体原厂的非常清晰，而仿冒品则有摩擦过的痕迹。
内存的背面也可以看到真品的走线比较清晰自然，而仿冒品则比较零乱，包括焊点的质量，谁真谁假一目了然。
为了防止仿冒品三星原厂内存的代理商未雨绸缪的使用了防伪技术，在真品的内存中贴上了一张镭射三星金条的贴纸，同时整体原厂的包装中也附带有了一张质量保证卡。相信这些仿冒者除非下血本，不然还是难以与真品的附件质量相抗衡的。
三星内存颗粒上的编号“TC”，其中的“T”代表采用TSOP封装方式。
一、三星DDR系列内存芯片：
三星TCB3颗粒：
TCB3是三星推出的6ns DDR颗粒，可以稳定地工作在PC2700, 2-2-2-X的时序，参数非常优秀，此外它同样可以工作在PC3200，但是不能继续维持这么高的时序，200MHz时的时序为2-3-3-6，不过也已经很不错了。TCB3的频率极限在230MHz左右，对于对于默认为166MHz的内存来说超频幅度很大，TCB3对于电压并不太敏感，3.0V电压下频率提升也不是很大。现在来看这种颗粒有些过时。
三星TCCC颗粒：
TCCC是三星TCC系列（PC3200）里面编号为“C”的颗粒，表示其PC3200时预设CAS值为3。TCCC可以工作在250-260MHz，3-4-4-8的时序，而默认200MHz时可以保持2.5-3-3-6的时序，由于TCCC颗粒的售价比较便宜，因此和现代的D43一起成为性价比出色的代表。此外不少DDR500内存同样采用了TCCC颗粒，不过由于已经接近极限频率，留给这款内存的超频空间已经很小了。电压对于TCCC颗粒的超频有一定的影响，不过在2.8V时已经基本可以达到最高频率。
三星TCC4颗粒：
TCC4：TCC4是三星的另外一款5ns的DDR400内存颗粒，不过并不常见，在一些品牌的PC3200低端内存甚至是PC2700内存上面可以看到它。TCC4并不太适合超频用户，因为在加压情况下最高也只能稳定在210-220MHz，3-3-3-X的时序模式下，对电压很不敏感，只适合追求容量和性价比的用户。
三星TCC5颗粒：
TCC5：TCC5是三星TCC系列的一款新产品，在各方面比它的前辈TCC4都要优秀很多，一般多用在DDR466内存产品上，超频性能很不错。这款内存的默认工作频率为233MHz，初始频率比TCC4要高，默认工作时序可以达到2.5-3-3-X，在超频模式下，可以工作在250MHz和3-4-4-X的时序下，对于电压也不太敏感。这款颗粒相比TCCC和现代的D43来说并不常见，售价相对较高，对于AMD,Intel的平台都比较适应，200MHz下可以提供不错的时序，而超频状态下可以提供不错的频率，是一个不错的选择。
三星TCCD颗粒：
TCCD：TCCD是另一款经典高频颗粒，可以在2-2-2-X的时序下稳定工作在220MHz,也可以在2.5-4-4-X的时序下以超过300MHz的频率稳定运行，是目前工作频率最高的DDR内存芯片。TCCD对于电压的比较敏感，但是并不需要太高的电压就可以完全进入高效状态，在2.8V或者更低电压下即可达到，几乎适用于所有的主流主板。目前采用TCCD颗粒的内存产品在绝大多数主板上可以轻松达到DDR600的水准，可以满足不同用户的需要。TCCD和BH-5相比在高频时候的参数不足可以通过更高的工作频率来弥补。目前几乎所有的内存频宽记录都是由TCCD创造的，不少采用TCCD颗粒的品牌内存已经成为超频玩家们追捧的对象。
三星UCCC颗粒：
此外三星UCCC内存颗粒低延迟特性也为玩家所追捧，选用UCCC颗粒的DDR400内存条，默认工作时序为3-3-3-6，在不加电压超频模式下，可以工作在240MHz和2.5-3-3-X下。相对价格也要便宜一些，非常适合大众选择。
三星DDR2系列内存芯片
GCCC是目前最常见的三星颗粒，多用于DDR2-400产品
使用三星ZCD5颗粒的三星金条DDR2-533内存在不加电压超频情况下，能够以4-4-4-X的时序稳定工作在DDR2-667模式，更具备挑战DDR2-900的实力。
目前全球速度最快的三星金条DDR2-800采用三星ZCE7颗粒
最近生产的三星颗粒上，厂家标识已经从原来的“SAMSUNG”改为“SEC”了
DDR2时代，三星全面进入到GC和ZC(G为FBGA封装方式,Y为FBGA-LF)系列，另外还有SC和YC，并采用90nm生产工艺，使相同晶元可以生产出更多的颗粒，从而降低了成本。YC是外形最小的一种封装方式，性能表现也最好，现在市面上很少见到。
目前较常见到的有GCCC(多用于DDR2-400)、***5/ZCD5(多用于DDR2-533)、***6/GCE6(多用于DDR2-667)、GCF7/GCE7(多用于DDR2-800)等；这些内存颗粒在超频方面同样有着不容小视的实力，且仍保持低延迟风格。不过经过编号更改后(由SAMSUNG改为SEC)，默认时序参数已设定得较为保守，不过某些DDR2-533默认延迟仍设定在4-4-4-10上。通常情况下三星DDR2-533内存时序参数可以稳定在3-3-3-4上，优势明显，这也是为什么三星金条内存品质非常好的一个原因。GCCC和***5颗粒大都具备在5-5-5-15参数下超频至DDR2-800以上水平。三星金条作为韩国三星电子的原厂原装内存，多选用这种颗粒。
KINGMAX系列：
KINGMAX的产品以他的TINYBGA封装形式得以闻名，同时因为技术的独特性也一定程度抑制了假货的生存。在去年KINGMAX为了丰富自己的产品线推出了一个SUPER-RAM的系列，这个系列采用了TSOP封装技术，当然这也给仿冒工厂带来了又一个利润点。
不过KINGMAX公司也意识到了这一点，对这个系列的内存使用了非常多的防伪手段。最另人值得注意的就是PCB板正面SPD下方新设计一颗ASIC芯片(特殊用途芯片)，该颗粒采用KINGMAX专利的TinyBGA技术进行封装，内部存储了ID CODE，具有全球统一识别码，也就是说拥有唯一性，同时还附上了800电话的查询贴纸，这样假货就无处藏身了。
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
Winbond(华邦)系列
Winbond(华邦)是台湾著名的内存芯片生产商，该公司生产的DDR内存颗粒在玩家心目中的地位是其他任何厂商没办法取代的，该公司的BH-5内存芯片已经成为高档内存的代名词。
1、BH-5
BH-5是华邦公司最出名的内存颗粒，也可以称得上到目前位置最出名的内存颗粒！这些颗粒以其超强的内存参数而著称，并且对于电压相当地敏感；大多数的BH-5颗粒可以工作在2-2-2-X的参数下，当然在3.2-3.4V高压下，部分采用BH-5颗粒的极品内存甚至工作在280MHZ的频率，并且仍然维持2-2-2-x这样的时序。
当然这样体质的BH-5颗粒还比较少见，对于内存的整体要求也相当高。如果你的主板不支持2.8V以上的内存电压调节，采用BH-5颗粒的内存或许不太适合你，但是对于那些狂热的超频玩家来说，OCZ的DDR booster可以帮助他们榨干BH-5的所有能量，最高3.9V的电压可以轻松让你的BH5达到DDR500，2-2-2-X以上，当然笔者不推荐正常使用中采用这么高的电压(毕竟大多数采用BH5颗粒的内存默认电压为2.5-2.6V之间)。
2003年是BH-5颗粒产量最多的一年，但目前华邦已经宣布停产BH-5颗粒，因此现在的市面上新售内存中采用BH-5的比例非常少，多数出现在售价超贵的高端内存中，如Mushkin Black Level ram，Kingston Hyper X，Corsair XMS，TwinMos，Buffalo以及极少数低端内存产品中；当然另外一种寻找BH-5内存的方法就是在销售商的库存产品中，或二手市场，网友之间的交易来获得。
2、CH-5
CH-5颗粒是华邦公司继BH-5以后推出的另外一款试用于DDR400内存产品的内存芯片，可以称之为BH-5的缩水版，为什么这样说呢？因为CH-5超频后工作参数一般只能达到2-3-2-X，频率在220-230MHZ左右，和BH-5相差甚远；并且对于电压的敏感程度比不上BH-5，高于3V的电压通常也起不到太明显的效果，这种现象虽然主要还是内存颗粒的本身体质来决定的，但是和内存厂商的PCB板设计，用料还是脱不了干系的。
不同批次的CH-5颗粒的差别也很大，一些少数CH-5颗粒同样可以达到BH-5所能够达到的成绩，当然几率非常小。目前华邦仍然在继续生产CH-5颗粒，在BH-5停产后，缩水版的CH-5也逐渐被很多高端内存所选购，成为新一代的“极品”，不少采用CH-5颗粒的内存在适当的加压后可以工作在200MHZ 2-2-2-X的模式下，目前Corsair XMS，Kingston Hyper X以及其他几个高端品牌的内存产品的一些型号均采用了CH-5颗粒。
3、BH-6
BH-6作为BH-X系列的6ns版本，同样具有非常不错的性能，某些批次的BH-6的超频性能甚至能够比得上同门大哥BH-5，大多数BH-6同样可以工作在2-2-2-2X的参数下，并且在3.2-3.4V电压下可以稳定工作在240-250MHz。
不过由于华邦在推出BH-6颗粒不久后由于产能不足停止了该型号颗粒的生产，因此相比BH-5颗粒来说BH-6颗粒数量更为稀少。Mushkin Special 2-2-2，Corsair XMS，Kingston Hyper X，Kingston Value Ram PC2700等型号的内存产品上采用了BH-6颗粒。
4、CH-6
CH-6是华邦CH-X系列的6ns版本，虽然大家对这款华邦低端DDR颗粒不是很看好，但是它仍然继承了华邦系列一贯的优秀品质。CH-6在大多数情况下和CH-5很相似，不过不太容易稳定在2-2-2-X的时序，和CH-5一样同样对于电压不是很敏感，最高的工作频率应该是220MHz，2-3-2-X的时序。CH-6面对的是性价比比较高的市场，在一些较低端的内存产品上比较常见，如Kingston Value Ram，Corsair Value Ram以及Mushkin Basic系列。
5、UTT
UTT是华邦最新推出的DDR内存颗粒，可以说和BH-5颗粒非常相似，无论是能够达到的极限频率以及工作时序，和BH5不同的是UTT颗粒需要稍高的电压才能做到这些，因此大多数超频玩家选择让UTT在3.4-3.6V的电压下工作。
UTT在一点上做的要比BH-5颗粒出色，那就是UTT颗粒无论是双面还是单面分布超频性能几乎相同，但BH-5更偏爱单面分布的方式，因此BH-5系列内存的最好超频搭配为2x256MB,但UTT无论是2x256mb或者是2x512MB的搭配都同样出色，这一优势在1GB内存成为主流容量的今天显得特别重要，512MB的容量在对付主流的3D游戏和软件应用已经捉襟见肘。
UTT颗粒在辨认上显得有点困难，可以通过印刷在颗粒表面的商标很容易地辨认出上面介绍的华邦其他四款内存芯片，但是UTT的颗粒印刷种类比较多，在寻找的时候会带来不小的难度。UTT常见的颗粒表面印着M.Tec或者Twinmos的商标，并且拥有华邦系列内存的特征(颗粒正面左右对称分布2个凹进去的小圆圈，内存的侧面可以看到两个短距离的金属横片)。
一般具备华邦内存颗粒特征但是没有印刷BH-5/CH-5的DDR400颗粒通常就是UTT颗粒了。一但拥有了采用UTT颗粒的内存，你会发现拥有1GB容量并且可以工作在275MHz 2-2-2-X时序的内存是多么值得兴奋的事。目前你可以在OCZ Gold VX系列 OCZ Value VX系列, TwinMos Speed Premium 系列以及其他多种品牌的低价内存上看到它的身影。1GB容量的售价在150美元左右，非常超值。
华邦系列内存颗粒的特征－颗粒正面左右对称分布2个凹进去的小圆圈，内存的侧面可以看到两个短距离的金属横片。
镁光(Micron)系列颗粒
镁光系列DDR内存颗粒以出色的超频性能以及兼容性好而著称，好多超频玩家称之为“中庸内存”，在中端领域镁光的颗粒无人能敌。目前常见的DDR颗粒包括-5B C/-5B G系列。
1、-5B C
说实话镁光的5B系列颗粒本来应该十分热卖才对，这款-5B C颗粒不仅能够达到很高的频率并且同时拥有很棒的时序，通常可以稳定工作在230MHz，2.5-2-2-X，虽然CAS延迟不能达到2.0或者更低，但是TRD和TRP却很低，均可稳定在时序2，当然工作频率还可以上的更高。-5B C对于电压同样很敏感，在3.0V电压下基本上可以达到最高频率250MHz以上。
镁光的颗粒的效能非常好，CAS2.5可以和BH-5系列CAS2相聘美，此外该款内存的异步性能非常好，对于高端的Athlon64，Intel平台处理器FSB的提升尤其有帮助。目前多家厂商推出的PC3200内存均采用了镁光的这款芯片，其中最引人注目的就是日本的Buffalo品牌，此外还包括Crucial，OCZ和其他品牌。
-5B G
-5B G颗粒是镁光针对前者-5B C的改进版，虽然同样为5ns芯片，但是所能达到的最高频率要高于前者，著名的Crucial Ballistix系列内存就采用了这款型号的内存颗粒，不仅工作频率高，内存时序也相当出色。
-5B G颗粒可以在保持较高频率的同时拥有出色的时序，大多数-5B G可以工作在250-260MHz，2.5-2-2-X的时序，比大多数现代的D43/D5颗粒都要出色，目前1GB容量Crucial Ballistix的售价在250美元左右，此外你还可以在镁光原厂DDR400上发现这款颗粒的身影。
美光内存芯片编号的说明如下：
美光科技的编号相当详细，这是因为它将所有的DRAM芯片编号进行了统一，包括久远的EDO（在一些专用设备上仍然会使用到它）和未来的DDR-2芯片，所以也显得参数很多，甚至在封装类型中还体现出有铅和无铅（Lead Free）封装，但好在分类还是比较清楚的。值得注意的是芯片的版本，其规则也基本与三星的一样，越靠后越新，但会有一些特殊的规定，如果是LF、S2、SF、T2等标识则代表了该产品集成了两个内核，可以认为是堆叠式（Stack）封装）。而特殊功能则是指产品所具备的一些功能可选项，但自刷新（Self Refresh）自从16Mb的SDRAM以后就是标准的设计，所以这一项是无关紧要的。
在芯片结构方面，表示容量单位的字母（K、M、G，这三个字母大家应该很熟悉了吧）后面的数字就是芯片的位宽，它乘以前面的字母与数字组合的结果就是芯片的容量，单位是Bit。比如图中的例子是32M8，代表的是位宽为8bit，乘以32M，总容量为256Mbit。
Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
以上面的芯片图为例，可以看出它的容量是256Mbit，位宽8bit，采用TSOP-II封装，产品版本应该是第一代（没有版本编号）、速度为DDR-400（3-3-3）。
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
Infineon(英飞凌)系列颗粒
Infineon(英飞凌)科技作为内存界的元老，其在SD时代的超频性能无人能敌，并且具备完美的兼容性能。有人将Infineon称为西门子（Siemens），事实上英飞凌的前身是西门子半导体公司，在SDRAM时代，我们经常看到Siemens字样的内存，但如今Infineon早已独立，所以今后不再叫它是西门子内存了。目前英飞凌常见的几款DDR内存颗粒在超频上都有不错的表现。
1、B5
这是英飞凌的5ns内存颗粒，不过并不多见，因为仅有Corsair XMS3200 rev. 3.1这款内存使用了B5颗粒，默认设置为200MHz，2-3-3-6时序，相当不错，总体特征和华邦的CH-6颗粒很类似。B5颗粒对电压同样敏感，不过没有华邦的颗粒那么明显，即使加压后超频幅度也很一般，在2.9-3.0V的电压下只能工作在220-230MHz，尝试超过这个电压更是在浪费时间。
2、BT-6
这款是英飞凌的6ns颗粒，主要使用在PC2700内存产品上，和B5很类似，仅是在超频幅度上略逊于后者。Kingston的KVR2700就是采用了BT-6颗粒，可以稳定工作在215MHz，2.5-3-3-11的时序；目前6ns的BT-6算是比较落伍了，不过可以轻松达到200MHz，CAS2.5的水准，如果想要达到更高的频率和参数，就要在电压上下功夫了。综合来说，BT-6的好处就是以PC2700的价格带给你PC3200的体验。
3、BT-5
目前最常见的英飞凌DDR400芯片就是BT-5，默认工作频率为200MHz,3.0-3-3-8,DDR400通常优化时序为2.5-3-2-X,显得一般，不过BT-5擅长的是频率制胜，并且对于电压敏感程度很高，在2.8V以上电压，BT-5颗粒大多可以工作在240MHz以上，少数可以达到275MHz，3-4-4-X的工作状态。目前在很多品牌包括英飞凌原厂的PC3200内存都采用了这款BT-5颗粒，是一款性价比不错的产品。
4、CE-5/BE-5
在BT-5 200MHz下的时序遭人诟病以后，英飞凌的另外一款5ns DDR颗粒进入了市场，CE-5颗粒可以稳定工作在200MHz 2-3-2-X时序，此外部分产品还可以上到260MHz以上的频率，不过目前采用CE-5颗粒的内存品质参差不齐，一部分产品甚至不能稳定在225MHz以上。此外最新推出的BE-5颗粒，可以单面实现512MB容量，在参数和极限速度上相比CE-5又有进步。
英飞凌内存芯片编号的说明如下：
在以前，有些人一看开头是HYB就以为是现代（HYUNHAI）的内存芯片，现在可就不要再出这种错误了。在最新的编号中，英飞凌将DDR和DDR-2的产品编号进行了统一，比如DDR-2 400与DDR-400的速度编号是一样的，但在具体的产品上所代表的含义并不一样。英飞凌的编号比较简明（由于DDR内存目前都是4个逻辑Bank，所以英飞凌也就取消了该编号，但估计到了DDR-2时代，由于多了8Bank的选项，估计还会有该编码）
西门子内存颗粒(实际上还是上面的英飞凌)
目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。
南亚科技（Nanya）
南亚内存芯片编号说明如下：
南亚的编号也是SDRAM、DDR SDRAM与DDR-2 SDRAM统一在起，而且也比较简明，在芯片结构方面，规则与美光的一样，并且也没有逻辑Bank数量的编码，在此不再详细说明了。不过，南亚代工的内存产品也非常多，如Elixir、PQI等，但这些产品已经非常少见，并且也没有对外公布明确的编码规则。
尔必达（ELPIDA）
尔必达是日立与NEC各自的内存分部合并的结果，也因此在产品的编号会有两种截然不同的规则与标识，早期以HM为开头的很可能就是原日立分部的延续，而目前则基本转移到了DD开头的编号规则。近期，尔必达的声势比较大，产销形势有明显的好转，采用其芯片的金士顿模组已经在国内上市，相信今后我们能见到越来越多采用尔必达芯片的产品。
尔必达内存芯片编号说明如下：
尔必达的编号也是比较简单的，需要指出的是，在速度编号的后面还有可能出现其他的编码，比如L，就代表低能耗，I则代表工业级产品，具有宽广的工作温度范围（-40至85°C），不过它们很不常见，在此就不多说了。另外，编码中的第一个字母E，一般不会有，在芯片上直接以DD形状，而E则变成了尔必达的英文名称——ELPIDA。
茂矽（MOSEL VITELIC）
茂矽内存芯片编号说明如下：
茂矽的编号也比较详细，而且比较明确，只是芯片结构一栏比较难以理解，我们可以这样看：前面的三位数是总容量，后面的两位数则是位宽（80=8bit、40=4bit、16=16bit、32=32bit），其他的就很好理解了。
2003年世界最大十家DRAM厂商排名：
从中可以看出，排名前十的厂商是三星（SAMSUNG，韩国）、美光（Micron，美国）、英飞凌（Infineon，德国）、Hynix（韩国）、南亚（Nanya，中国台湾）、尔必达（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中国台湾），力晶（Powerchip，中国台湾）、华邦（Winbond，中国台湾）、冲电气（Oki，日本）。
最后要强调的是，所谓的主流厂商，就是指DRAM销售额世界排名前十位的厂商，有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。但请注意，他们并不是真正的生产，而只是封装！像胜创（KingMax）、金士顿（Kingston）、威刚（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出过打着自己品牌的芯片，不过它们自己并不生产内存晶圆，而是从那些大厂购买晶圆再自己或找代工厂封装。
硅 粉 的 加 工介绍：安全、低耗、高效、优质的硅粉加工技术常 森 一、对硅的了解与认识：硅在地壳中分布很广，约占地壳总量的四分之一。硅的用途很广泛，日常生活中离不开它，现代高科技尖端领域也离不开它，将来科学技术不断发展，硅的适用价值就更加显得神通广大，如将粗硅提炼出高纯度的单晶硅是等量黄金价格的数倍，硅的适用性与经济性是可想而知的。硅是由硅石SiO2+2C→Si+2CO2↑，这样制得的硅是含少量杂质的粗硅，也叫金属硅，其中Si约占98%，Fe、Al、Ca、Zn、Cu、Ni、Sn、Pb、Mn、Ti等约占2%，金属硅的外观是灰褐色而具有金属光泽、硬而脆的硅块，硅元素符号Si，原子序数14，原子量：28.0355，硅的原子半径是1.17μm，主要化合价：+2、+4，硅原子外层电子的结构为382，3P2，硅晶体的每个硅原子跟另外4个硅原子形成4个共介健，晶体硅的键长是2.35×10-10μm，Si—Si的键能是42.5千米/摩尔，硅的密度是2.32~2.34g/cm3或2.32~2.4g/cm3，熔点是1410℃，沸点是2355℃；硅的导电性能介于金属和绝缘体之间，硅是良好的半导体；在常温下，硅的化学性质不活泼；在加热条件下，硅能跟许多非金属起反应；硅不溶于水；如：硅粉的热燃烧生成二氧化硅，同时放出大量的热。Si+O2→SiO2二、成品硅粉的用途：将硅块进行工业加工制成的成品硅粉，分级为粗粉、细粉、微细粉、超微细粉，可用于高温耐火材料、铁、铝合金、硅溶胶、有机硅等主要原料。目前有机硅新型材料制品发展前景看好，市场空间大，获得利润可观，如美国道康宁、GE公司，德国瓦克公司，法国罗地亚，日本信越公司和泰国有机硅公司近些年来，企业发展速度较快，产品越做越多。我国有机硅事业也在迅速发展。有机硅企业生产甲基混合粗单体，以Si粉作为主要原料，其主反应为：Si+2CH3Cl→（CH3）2SiCl2付反应为：Si+3CH3Cl→（CH3）SiCl3+2CH3+Si+CH3Cl+2CH3→（CH3）SiCl自从我国加入WTO国际商贸组织以来，国内的硅业对外贸易份额也逐渐增长，并在快速做大、做强、做优。据有关消息报道：浙江元通硅业有限公司正在兴建全国最大的硅粉生产厂（5万吨/年）；美国道康宁与瓦克化学公司今年计划在上海合资组建数亿美元的微硅粉产品生产园区。于是硅粉的生产技术也成为相关方面的注视重点，本文就是针对有机硅行业制取硅粉的技术，作一番评论，提供大家参考。三、硅粉生产方法简介：以硅块为原料生产成品硅粉，有多种方法。效果较好，应用较多的是：球磨法、辊磨法、冲旋法，其主要设备：球磨机、辊磨机、冲旋机在制粉中对达到质量技术要求是有区别的。前两种是在重力下挤压辗磨粉碎，后一种是冲击细碎。各种磨机对非易燃易爆，莫氏硬度低于7.0级的矿物均可加工粉碎。成品粒度通过工艺调节，控制在30目（0.613mm）至425目（0.033mm）范围内。表1：硅粉各种生产方法比较：序号项目制粉法球磨法辊磨法盘磨法冲旋法1产品质量比表面积m3/g0.260.360.420.57粒度范围mm0~0.350~0.350.0150~0.4<0.05粉量%<30%<18%<20%<25%颗粒形貌扁平光面少裂纹扁平光面少裂纹扁平光面少裂纹峰窝表面多裂纹2成品产量 t/h1.51.02.523单机能耗 kWh/t25/8544/12044/10822.5/354加工成本 元/t1802703001205工艺设备使用可靠性可靠性较好控制较困难可靠性较好可靠性较好检修工作量大可靠性好检修方便6环保噪音大超标劳动条件差粉尘大噪音大需要隔音噪音大粉尘较大环保达标噪音小粉尘少注：①各制粉法使用设备主机为：φ500mm球磨机（22kW/60kW），辊磨机（37kW/170kW），中径1250盘磨机（132Kw/270kW），ZYF430型冲旋式粉碎机（45Kw/70kW）。②形貌：根据电子扫描显微照片。③能耗和加工成本等属一个确定的制粉机组，从原料硅块投入至排出成品粉料。④加工成本计算包括电耗，人工，折旧，大、中、小修4项费用。电价：0.7元/度，折旧率7%。 *** 作定员（两班总数）5人。四、硅粉生产技术及要求：①物料平衡图：1吨包袋装硅块→破碎→磨机制粉→分筛出粉 1000kg 收率>98%→布袋除尘→尾气放空（每立方米小于100毫克）细粉收率<2%②产品技术规格：表2：硅粉技术指标：名称规格分析方法国家标准含水量堆积比平均粒径μm硅粉100%通过60目筛干筛分法CB/T1480-1995<200PPM1.34~1.4250~100注：粒度组成按工艺确定。表3：硅粉主要物性参数：名称分子量熔点℃沸点℃闪点℃自燃点℃在空气中爆炸极限(V%)国家环保标准下限硅粉 2814202355<7%02表4：硅粉的化学成份：SiFeAlCaZnCaNiSnDbMhTi798.5<0.4<0.2%0.1微量微量微量微量微量微量微量注：总杂质<1.5%（一级品），其中Fe<0.3，Al<0.15，Ca<0.1五、硅粉生产工艺流程简述：①袋装硅块→行吊或叉车吊卸→颚式破碎机→斗式提升机→≤15mm硅块贮仓→电磁振动给料机→磨制粉机→旋风分离器→集粉仓→筛分机→成品硅粉→布袋过滤器→收尘罐→尾气放空抽风机。②硅块→破碎→皮带→斗提→制粉机→气固分离→分筛→成品仓 放空←抽风机←布袋过滤←鼓风机← →粗粉回制粉机↑进N2 →细粉回收 ③原料硅块仓→皮带称→一级破碎→分筛→二级破碎冲旋式粉碎←给料机电磁振动←斗提←↑→筛分→粗粉回斗提中粉贮存→二级筛分→细粉仓→布袋过滤→抽风机→尾气放空包装微细粉←六、硅粉设备组成：根据工艺条件与技术要求，匹配以ZYF430型冲旋式制粉机组为核心，前后系统配置的定型设备及非标设备见表5。表5：序号设备名称型号规格数量材质1原料仓L2非标1A3碳钢2振动给料机GZ2F定型1碳钢3颚式破碎机PE-400-250定型1铸钢4冲旋式粉碎机GCF430定型1铸钢 高温锰钢5斗式提升机D200 1m/s定型1A3碳钢6振动筛φ400×12001外克碳钢 白钢网7离心风机9-19No.6.3A1外壳碳钢8布袋式收尘器FGM64-61外壳碳钢 防静电材料七、活性好的硅粉：不同的制粉方法得到的硅粉活性是有区别的，判定活性的因素为：粉粒的微观结构，比表面积、粒径级配、表面保护和设备钢耗等。①微观结构：化学成份符合要求指标的硅，炼制中已获得最佳微观结构，保证其拥有参与反应的最佳活性，即其天性或自然性能，制粉时一定要尽量降低对其天然微观结构的劣化作用，减少其晶粒及晶粒群间的变形，使绝大部分硅粉（99.8%以上）仍保持住原有的天然微观结构。表1中列举四法中，以冲旋法为最佳。因为它利用凌空打碎硅块的方式，让其自身循着体内最薄弱环节碎裂，没有挤、压、碾引起的结构变形。②比表面积：粉粒的表面积是单位质量所占有的表面积以m2/g为单位。它是参与化学反应能力的重要指标。硅粉比表面积大，参与反应速度加快，反应更完善，硅的利用率高，反应区域流化态更理想，硅耗率最低，从而显示其活性高。因此表面积已成为硅粉活性的一个重要指标。表1中列出各类粉的比表面积，其中以冲旋粉为最佳。③粒度级配：直接合成法是流化态中分步完成的，物料粒度逐步变化，其表面不断进行更新，反应完全，硅的单耗也明显下降。所以，硅粉粒径粗细搭配成粒级，以便获得最佳效果，来制定相应的最适宜的粒度级配。因此制粉方法必须保证粒度组成可调，而且得率更高。如制取1t硅粉的粒级0.1mm~0.4mm约占85%以上是最适宜合成反应的，这是国外某家10万t/a有机硅粗单体流化床使用的Si粉原料指标。④表面保护：生产出符合质、粒指标要求的合格成品硅粉，表面需要活性保护，其原则有三：1、有利于化学反应；2、有利于预防燃烧；3、有利于保持松散干燥。硅的氧化性能较强，尤其是微细粉状态，在空气中遇到明火能燃烧，生成二氧化硅同时放出大量的热：Si+O2→SiO2。由此可以采取两种制粉保护方法：1、氮气保护，在制粉过程中进行氮气循环和不断地补充新鲜N2，控制循环N2含量≥93%，O2的含量≤7%。2、大气条件下，封闭系统，比较干燥的空气同原料硅块同时进入制粉系统，定量给料，空气和碎硅块在机内形成微负压运行，随后制取硅粉，排放空气不循环使用。如：冲旋机制取硅粉。在成品硅粉贮存和运输、输送中，一般都采用封闭、N2封和N2输送，这也是保护Si粉活性的有效措施。硅粉表面活性高低的最终判定还是生产实践，参与化学反应后的效果如何以及在市场竞争中的能力表现。当然，为获得高活性，还有一个掌握制粉方法的问题，需要一个认识过程，要经得起时间的检验。辊磨法在制粉过程中，需要高能耗N2保护，其保持制粉系统内N2≤93%，每吨产品需要耗N2量>300m3，由于循环N2在制粉系统温度升高，达到60℃~70℃，其中还含有7%氧气，微硅粉表面N2、O2化也就难免了。而且制粉过程中，钢耗也较高，大约在0.15kg/t，钢耗（铁粉）及易沾附在细硅粉的表面，辊磨法制得的硅粉，外观呈暗黑色。无保护N2气的冲旋法制得的硅粉，外观却是亮晶晶的。就其冲旋机制粉系统内温度一般<40℃，钢耗主要在刀片上，每吨粉耗钢约0.1kg~0.05kg以下。从中可以看出：两种生产方法得出两种差距较大的制造成本与获得不同的硅粉表面活性。八、结论：1、硅制粉应选择硅粉质量（活性、粒径、化学成份等）最适宜的条件。2、硅制粉应选择制粉方法、安全稳定可靠、环保的的国家标准等条件。3、硅制粉应选择单机加工能力大、成本低的条件。从以上3点得出，推荐使用冲旋机制取硅粉的方法...................欢迎分享，转载请注明来源：内存溢出
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