当温度下降时,n型半导体的性能将会？

当温度下降时,n型半导体的电阻会升高

半导体材料的电阻率与温度有密切的关系。

温度升高，半导体的电阻率会明显变小。例如纯锗（Ge），温度每升高10度，其电阻率就会减少到原来的一半。

N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

其实无论降温和升温都是在发生能量作用，暗能量使物质保持不低于绝对0度的同时也物质温度降下来，原因是因为空间的各种电磁波使物质原子升温，但是这种力无法在原子中存留，是因为在与物质转化弦时只能在原子膜上增加电子层使物质质量体积增大，但是这种力无法与原子各种弦纠缠，使的暗能量会将温度弦排斥开，再度转化成辐射出去，因为电磁辐射会在原子表面停下来，而所有电磁波不与暗能量作用是因为暗能量和电磁波一样是开弦汤三维状态，而暗能量是光速宇宙澎胀开的，使电磁波不与之作用，而暗能量会使停止的电磁波力弦排斥开，使电磁波以光速在原子表面离开，如果没有暗能量催化，电磁波会停留在原子表面，产生冷凝聚态。所以这个原因使物质降温。而半导体通电降温原理，使用的是电磁力降温，原理是这一侧电磁力与另一侧电磁力产生纠缠反应，而这个纠缠反应产生电子，使得降温一侧的热辐射力被转化成电子，而产生的电子在另一侧升温的原子上电子碰撞，使半导体一侧降温。也就是说降温的一侧热力被转化电子消失了。而液态氮低温使物质降温原理，氮原子在地球上是以空气存在，是低温或压缩使氮原子为低温液态，而这个过程须要能量与物质作用，跟半导体材料相似，而液态氮能使其他物质降温原因是它会吸引其他物质辐射，只要物质有接触液态氮，氮原子会使物体最外辐射电层慢慢转化吸引到氮原子电子层，因为这有关一个新理论，所有正弦力的正能量都具有凝聚力同时，原子在绝对0对以上，都是原子外来能量造成的，而物质间对于这种能量是会相互转化，特别是两种相同物质或不同原子物质温度不同时，相遇时两原子的电磁热力造成相互转化，因为原子热辐射电磁层会被另一个低温原子冷凝聚力转化，这便是有关一个冷凝聚能物理学。目前冷凝聚态物理解释认为，物质无法收缩成冷聚变受到暗能量原子振荡作用，因为原子是无数电子磁单极粒子凝聚态，而组合成原子是圆球形8形磁极原子，而暗能量会受到8形力状态的空间降维，使原子各弦力与暗力弦暗能量产生能量作用，而这个作用是唯一种将暗能量转化成能量方法。使物质无法低于绝对0度。但是温度是会相互影响相互平恒一个关系，所以降温增温都是冷凝聚热扩散相互转化一个结果，说白了冷凝聚会接受能量吸引，降温是冷凝聚将热扩散吸引了。

请问是PTC热敏电阻吗?如果是的话,PTC的特性可能你还不懂.升温后又降温阻值会有一定的波动范围,都有上下限,热敏电阻阻值的测量与自身的温度以及环境温度有很大关系,就是你不升温也不降温它的阻值都会有一定的漂移.这是热敏电阻本身的性质决定的.

现正从是于PTC,NTC,传感器制造行业.有什么问题可以交流一下.lpgingko@163.com,这是我的邮箱.

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