单斜相钒酸铋(BiV04)是一种新型的半导体材料,具有独特的电子分布,特殊的片层状结构和合适的禁带宽度,具备良好的光学性质和催化性能。
目前制备的BiVO4,因其导带电位低载流子迁移困难,可见光光电子产率低,因此有必要对BiVO4催化剂进行了一些改性修饰的探究,以提高其吸附能力,降低其光生电子和空穴简单复合几率,从而增强其光催化氧化性能。
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