2022年信阳市投资十亿的重点项目有哪些

2022年信阳市投资十亿的重点项目有今上半导体项目。根据查询相关公开信息，今上功率半导体公司位于浉河区金牛物流产业集聚区内，主要生产半导体功率器件、半导体分离器、集成电路电子应用产品和其他电子产品，广泛应用于物联网、智能家居、半导体照明等领域。项目占地120亩，总投资10亿元。

行业主要上市企业：目前国内第三代半导体行业的上市公司主要有华润微(688396)三安光电(600703)士兰微(600460)闻泰科技(600745)新洁能(605111)露笑科技(002617)斯达半导(603290)等。

定义

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体材料，目前发展较为成熟的是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。

与传统材料相比，第三代半导体材料更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件，因此，其为基础制成的第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热率，以及更强的抗辐射能力等诸多优势，在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。

行业发展现状

1、产值规模逆势增长

随着5G、新能源汽车等市场发展，第三代半导体的需求规模保持高速增长。同时，中美贸易战的影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机。2020年以来，在国内大半导体产业增长乏力的大背景下，我国第三代半导体产业实现逆势增长。

2021年我国第三代半导体产业电力电子和射频电子两个领域实现总产值达127亿元，较2020年增长20.4%。

其中SiC、GaN电力电子产值规模达58亿元，同比增长29.6%。GaN微波射频产值达到69亿元，同比增长13.5%，较前两年稍有放缓。

2、产能大幅增长但仍供应不足

根据CASA数据显示截至2020年底，我国SiC导电型衬底折算4英寸产能约40万片/年，SiC-on-SiC外延片折算6英寸产能约为22万片/年，SiC-onSiC器件/模块(4/6英寸兼容)产能约26万片/年。

GaN-on-Si外延片折算6英寸产能约为28万片/年，GaN-on-Si器件/模块折算6英寸产能约为22万片/年。

2021年，第三代半导体产能建设项目如火如荼开展，据CASA不完全统计，2021年大陆地区SiC衬底环节新增投产项目7项，披露新增投产年产能超过57万片。三安半导体、国宏中能、同光科技、中科钢研、合肥露笑科技等企业相继宣布进入投产阶段。此外，微芯长江、南砂晶圆、泽华电子三家宣布SiC项目工程封顶。

但随着新能源汽车、5G、PD快充等市场的发展，我国国产化第三代半导体产品无法满足庞大的市场需求，目前有超过八成产品以来进口。可见第三代半导体产品国产化替代空间较大。

3、电力电子器件市场规模超70亿元

2017-2021年，中国SiC、GaN电力电子器件应用市场快速增长。2021年我国SiC、GaN电力电子器件应用市场规模达到71.1亿元，同比增长51.9%，第三代半导体在电力电子领域渗透率超过2.3%，较2020年提高了0.7个百分点。

目前，GaN电力电子器件主要应用在快充领域。SiC电力电子器件重点应用于新能源汽车和充电桩领域。我国作为全球最大的新能源汽车市场，第三代半导体器件在新能源汽车领域的渗透快于整车市场，占比达57%PD快充占9%PV光伏占了7%。

2021年，我国GaN微波射频器件市场规模约为73.3亿元，同比增长11%。其中国防军事与航天应用规模34.8亿元，成为GaN射频主要拉动因素。

全国各地5G基站建设在近几年达到高峰，2021年无线基础设施是我国GaN微波射频器件的主要应用领域，占比约50%，其次为国防军事应用，市场占比约为43%。

更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业发展前景预测与投资战略规划分析报告》。

中科院半导体所2022年度“科创计划”项目已经开始申请，我在系统中提交了三个题目：1硅光探测器与激光器的设计与优化 2 机器学习与半导体光电子器件 3 光电子仿真平台开发。我同事提交的题目：1 智能检测机器人 2 可穿戴电子 3 新型生化传感器 。有兴趣的可以报名，也可以直接联系我，咨询详细的情况。联系方式：微信同手机号：15652189835。我同事手机号：19901209106。科创计划的实际通知如下：

一、资助方式及资助对象

“科创计划”以科研项目的形式进行资助，项目执行期一般为6-12个月。

资助全国高校二年级或三年级本科学生。申请者需要具有一定的创新意识和科研探索精神，具有浓厚科研兴趣和扎实的基础理论知识。

二、项目开展程序

（一）学生网上填报项目申请

有意向的学生在与项目指导教师充分沟通后，登录中国科学院大学科教结合协同育人行动计划（http://kjxt.ucas.ac.cn/index.php/zh/），选择科创计划进行注册，然后在网上进行项目填报，请注意随时保存信息。全部填报完毕并确认无误后，点击提交，下载并打印申请表，请学籍所在学校（或学院）签字盖章后于2022年6月17日前寄至半导体所研究生部。

注意：

1.项目申请学生需要获得学籍所在学校（或学院）的同意。

2.学生递交研究所的签字盖章后项目申请表需要与网上保存提交的申请表版本完全一致。

3.项目申请指南和系统使用说明在系统登录后可查询。

（二）研究所审核与立项

研究所主管部门收到学生报送的纸质版《科创项目申请表》，联系相关指导教师进行审核并签字确认。

研究生部将组织专家进行评审，并在科教协同系统的科创计划内填报项目执行期限和项目经费额度，完成项目审核立项。

系统维护项目立项信息后，学生将自动收到项目立项的邮件通知，同时学生也可在系统中查询到立项信息。

（三）项目结题总结

学生在项目完成1个月内，需要在科教结合协同育人行动计划科创计划内登录原报名账号提交项目总结，并打印自动生成项目总结。签字后报指导教师审核签字，研究生部签署意见后归档

---