面对比较复杂的科目，初学者可能会遇到这种情况——学了好几章，仍然云里雾里，不知自己在学什么，接下来又要学什么。等到学完，只记得一些零零散散的知识点，无法形成完整体系。这可能是因为忽略了一些内容，那就是这个科目的框架。
接下来以刘恩科《半导体物理学（第七版）》为参考书，讲讲半导体物理学的框架。当然，同样的知识可以有很多种分类方式，我非常鼓励大家按自己的理解去划分，以下内容可供参考借鉴。
这本《半导体物理学》共13章，但大部分本科课程及考研大纲，重点在1~8章（半导体的电效应），剩余章节仅对少量内容作要求。
按大的来分，就是两个部分：1~9章是半导体的电效应（核心）、10~13章是其他效应和拓展。再分细一点，我们可以把整本书分为四个部分：
第一部分：固体物理基础（1,2章）
第二部分：载流子的性质（3,4,5章）
第三部分：器件结构（6,7,8,9章）
第四部分：其他效应及拓展（10,11,12,13章）
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第1章 半导体中的电子状态
第2章 半导体中的杂质和缺陷能级
第一部分，主要解决【半导体是什么】、【半导体中有什么】这两个问题。
首先介绍半导体作为晶体的性质：晶格结构，以及晶体的能带。
然后介绍半导体中有什么：载流子（电子和空穴），以及杂质等缺陷。
电子和空穴这两种载流子，决定了半导体的电、光、热、磁等基本性质。而杂质，则是调控半导体这些性质最重要的手段。
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第3章 半导体中载流子的统计分布
第4章 半导体的导电性
第5章 非平衡载流子
第二部分中，主要解决【如何调控载流子浓度】、【如何调控半导体电学性质】这两个问题。
第3章介绍“温度、杂质浓度和载流子浓度的关系”。温度和杂质浓度对载流子浓度有决定性的影响，控制这两个量，就能控制载流子浓度，调控半导体的各种性质。
第4章介绍“温度、杂质浓度和导电性的关系”。从σ=nqμ知道，半导体导电性主要受载流子浓度、迁移率的影响，其中迁移率主要受散射影响。无论是载流子浓度还是散射，都由温度和杂质浓度控制。因此，确定了温度和杂质浓度，就能调控半导体的导电性。
第5章介绍“载流子的动态变化”。载流子不是静态的，它有产生、复合、扩散、漂移等活动，载流子浓度会因此发生动态变化。我们据此采取措施，可以进一步调控载流子浓度。
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第6章 pn结
第7章 金属和半导体的接触
第8章 半导体表面与MIS结构
第9章 半导体异质结构
第三部分主要解决【半导体有什么用】这个问题。
半导体最重要的性质就是电效应，1~9章都在讲电效应，后面的10~13章，研究方法与电效应是相通的。
半导体电效应的应用，最重要的就是6~9章对应的四种结构——pn结、肖特基结、MIS结构、异质结。重中之重是pn结和MIS结构，它们是信息时代的基石。
基于pn结的双极晶体管，是集成电路的滥觞，它的问世掀起了一场技术革命，让人类社会从工业时代进入了信息时代。
基于MIS结构的场效应晶体管，占今天所用晶体管的绝大部分（具体比例没查到，可能要高于99%）。你现在拿着的手机里，就有几十亿、上百亿个基于MIS结构的场效应晶体管。[1]
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第10章 半导体的光学性质和光电与发光现象
第11章 半导体的热电性质
第12章 半导体磁和压阻效应
第13章 非晶态半导体
第四部分，解决的是【半导体还有什么用】、【介绍特殊的半导体】这两个问题。
光、热、磁效应的研究方法，与电效应是相通的，也是从载流子、能带、温度、杂质这几个方面去研究。看看采取什么措施能调控这些性质，能做出什么有用的器件。
1~12章的内容都是基于半导体晶体，因为我们日常所用的绝大部分半导体，都是晶态半导体。但除此之外，还有一种特殊的半导体——非晶态半导体。
如果要对非晶态半导体进行研究，方法和1~12章是一样的，我们同样按以下顺序，解决非晶态半导体的问题即可：
【半导体是什么】
【半导体中有什么】
【如何调控载流子浓度】
【如何调控半导体电学性质】
【半导体有什么用（电效应）】
【半导体还有什么用（光热磁）】
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怎么样，现在对半导体物理学的框架有概念了吧？在接下来的学习过程中，一步步解决问题，就能学懂半导体物理了。加油！
怎样学好半导体物理？
武忠祥这个是在营销吗？
PS. 写干货好累啊，一不小心就到一两点了。真吃不消。少熬夜。休息一段时间。
参考文献：[1] 麒麟9000集成153亿晶体管
这个需要有一定的固体物理知识,其实也很好理解,你可以首先想象出一个空间直角坐标系.以硅举例,硅是由两个面心立方沿对角线方向也就是坐标(1,1,1)方向移动0.25对角线长度套构而成,所构成的复式格子,111方向只是一种观察方向而已,硅还可以从（1,0,0）（1,1,0）方向进行观察,如果要深究就去看固体物理的晶列指数和晶面指数和半导体物理的回旋共振实验.第二个1/3也很好理解,空间坐标点（1,1,1）关于三个坐标轴投影的余弦值,就是一个单位立方体,对角线长度根号三,边长为1,余弦值：根号三除一,平方就是1/3,三个余弦值之和为1（这个知识点可以看高等数学的空间解析几何）
1.波尔兹曼统计与价带和导带上电子的分布状态并不能形成因果关系。也就是说价带和导带上的电子数量的多少并不是由波尔兹曼统计所左右的。他们与半导体的掺杂浓度、温度、半导体的导电类型有关。半导体是N型还是P型与其本身和掺杂的材料有关，大体上可以理解为，掺入施主杂质多则为N型，受主杂质多则为P型。
波尔兹曼统计是在不满足费米分布的量子态上适用的载流子统计分布。
“价带上电子基本上是满的，而导带上基本上是没有电子”----它的前提是在绝对零度时，可以这样认为。
2.单纯对于N或者P，半导体的导电本质是少数载流子导电，导带电子与价带空穴分别是导带和价带中的少子，它们决定了半导体的导电特性，所以在研究过程中多数只考虑少子。
3.产生与复合是两个相对的过程。例如：在平衡状态下，半导体内的电子-空穴的产生与复合保持着动态平衡，宏观电流为零。
4.你需要读懂《半导体物理》中空穴的定义。粗略的理解：导带中的每一个电子对应于价带中的一个空穴，它们都是带电粒子；而其他量子态则是电子-空穴对的状态，是不带电的。
这两个概率分别表示量子态被电子和空穴占据的概率，而不是电子和空穴出现的概率。主语不同。
需要注意的是，在特定情况下，不只是允带中才会出现电子和空穴，禁带中也会出现。如果继续学《半导体物理》，你会在接下来的章节中了解到。
希望对你有所帮助。
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