半导体的基础：何谓前道、后道工序工艺

前道主要是光刻、刻蚀机、清洗机、离子注入、化学机械平坦等。后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA植球、检查、测试等。又分为湿制程和干制程。

湿制程主要是由液体参与的流程，如清洗、电镀等。干制程则与之相反，是没有液体的流程。其实半导体制程大部分是干制程。由于对Low-K材料的要求不断提高，仅仅进行单工程开发评估是不够的。为了达到总体最优化，还需要进行综合评估，以解决多步骤的问题。

扩展资料：

这部分工艺流程是为了在 Si 衬底上实现N型和P型场效应晶体管，与之相对应的是后道(back end of line，BEOL)工艺，后道实际上就是建立若干层的导电金属线，不同层金属线之间由柱状金属相连。

新的集成技术在晶圆衬底上也添加了很多新型功能材料，例如：后道(BEOL)的低介电常数(εr <2.4)绝缘材料，它是多孔的能有效降低后道金属线之间的电容。

参考资料来源：百度百科-后道工序

参考资料来源：百度百科-半导体

参考资料来源：百度百科-前道工艺

半导体工艺技术有很多，每种工艺都有其特定的优势和劣势，没有一种工艺能够满足所有的应用需求，因此，选择哪种工艺是根据应用的具体要求而定的。

常见的半导体工艺有：晶圆切割、晶圆研磨、光刻、掩膜、熔融清洗、热处理、化学镀、接极等。

其中，晶圆切割、光刻、掩膜、熔融清洗、热处理、化学镀、接极等是半导体八大工艺，这八种工艺是半导体制造过程中最重要的工艺，也是最常用的工艺。

每种工艺都有其优势和劣势，没有一种工艺能够满足所有的应用需求，因此，选择哪种工艺是根据应用的具体要求而定的，没有哪一种工艺是最好的。

IC的制备工艺相对复杂一点，但跟基本的晶体管、MOS工艺等差不多的。NPN管为例硅外延平面管的结构主要工艺流程:(1) 切,磨,抛衬底(2)外延(3)一次氧化(4)基区光刻(5)硼扩散/硼注入,退火(6)发射区光刻(7)磷扩散(磷再扩)(8)低氧(9)刻引线孔 (10)蒸铝(11)铝反刻(12)合金化 (13)CVD(14)压点光刻(15)烘焙(16)机减(17)抛光(18)蒸金(19)金合金(20)中测.

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