CMOS中 cox是什么意思

这个我不是很懂啦，但是看到问题想说下自己想法，具体的Cox意义和推导是半导体器件物理中的内容。

在一般的模拟集成电路设计中，在设计电路时有指定的工艺模型，里头Cox是一个给定的参数，不同的工艺里Cox的大小都会有区别。所以设计电路的孩纸对这样的参数不用过于深究，但要知道是啥（这算是学习指引啦，哈哈）

我试着解释一下吧，栅极和衬底之间之间有一层氧化层（相当于介质），G和B（衬底）之间会有电容，电容的大小和栅极面积有关，栅极面积 = W*L，所以Cox = Cgb/WL。

其实CMOS的物理模型里有好多电容，什么Cgd，Cgs，Csb...（把g、d、s、b排列组合一遍），Cgb是里头比较大的，然后又和W、L密切相关，所以比较重要

利用I对V的偏导求。

注意，这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。

例子：VdsMOS处于线形区。

Id=u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）*Vds-0.5(Vds^2)]。

然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）。

以上partial为偏导算符，打不出来，只能这么写了，u是载流子迁移率，Cox是单位栅电容大小，W和L分别是MOS的宽和长。

放大器

1、跨导放大器

跨导放大器（gm放大器）推出的电流正比于它的输入电压。在网络分析中，跨导放大器被定义为电压控制电流源（VCCS）。看到这些放大器安装在共源共栅配置，这是常见的，这提高了频率响应。

2、跨阻放大器

跨阻放大器输出正比于它的输入电流的电压。跨阻放大器通常被称为跨阻放大器，特别是半导体制造商。