纳米技术怎样制作纳米芯片?

纳米技术怎样制作纳米芯片?,第1张

2002年7月份,曾在几年前宣布摩尔定律死刑的这一定律的创始人戈登·摩尔接受了记者的采访。不过,这次他表现得很乐观,他表示:“芯片上晶体管数量每18个月增加二倍的速度虽然目前呈下降趋势,但随着纳米技术的发展,未来摩尔定律依然会继续生效。”看来,摩尔本人也把希望放到了纳米技术上。下面就让我们来看看纳米技术怎样制造纳米芯片。

我们知道目前的计算机芯片是用半导体材料做的。20世纪可以说是半导体的世纪,也可以说是微电子的世纪,微电子技术是指在半导体单晶材料(目前主要是硅单晶)薄片上,利用微米和亚微米精细结构技术,研制由成千上万个晶体管和电子元件构成的微缩电子电路(称为芯片),并由不同功能的芯片组装成各种微电子仪器、仪表和计算机。芯片可以看做是集成电路块。集成电路块从小规模向大规模发展的历程,可以看做是一个不断向微型化发展的过程。20世纪50年代末发展起来的小规模集成电路,集成度(一个芯片包含的元件数)为10个元件;20世纪60年代发展成中规模集成电路,集成度为1000个元件;20世纪70年代又发展了大规模集成电路,集成度达到10万个元件;20世纪肋年代更发展了特大规模集成电路,集成度超过100万个元件。1988年,美国国际商用机器公司(1BM)已研制成功存储容量达64兆的动态随机存储器,集成电路的条宽只有0.35微米。目前实验室研制的新产品为0.25微米,并向0.1微米进军。到2001年已降到0.1微米,即100纳米。这是电子技术史上的第四次重大突破。今天,芯片的集成度已进一步提高到1000万个元件。集成电路的条宽再缩小,将出现一系列物理效应,从而限制了微电子技术的发展。为了解决这个挑战,已经提出纳米电子学的概念。这一现象说明了:随着集成电路集成度的提高,芯片中条宽越来越小,因此对制作集成电路的单晶硅材料的质量要求越来越高,哪怕是一粒灰尘也可能毁掉一个甚至几个晶体管,这也是为什么摩尔本人几年前宣判摩尔定律“死刑”的原因。

据有关专家预测,在21世纪,人类将开发出徽处理芯片与活细胞相结合的电脑。这种电脑的核心元件就是纳米芯片。芯片是电脑的关键器件。生命科学和材料科学的发展,科学家们正在开发生物芯片,包括蛋白质芯片及DNA芯片。

蛋白质芯片,是用蛋白质分子等生物材料,通过特殊的工艺制备成超薄膜组织的积层结构。例如把蛋白质制备成适当浓度的液体,使之在水面展开成单分子层膜,再将其放在石英层上,以同样方法再制备——层有机薄膜,即可得到80~480纳米厚的生物薄膜。这种薄膜由两种有机物薄膜组成。当一种薄膜受紫外光照射时,电阻上升约40%左右,而用可见光照射时,又恢复原状。而另一种薄膜则不受可见光影响,但它受到紫外光照射时,电阻便减少6%左右。据介绍,日本三菱电机公司把两种生物材料组合在一起,制成了可以光控的新型开关器件。这种薄膜为进一步开发生物电子元件奠定了实验基础,并创造了良好的条件。

这种蛋白质芯片,体积小、元件密度高,据测每平方厘米,可达1015~1016个,比硅芯片集成电路高上万倍,表明这种芯片制成的装置其运行速度要比目前的集成电路快得多。由于这种芯片是由蛋白质分子组成的,在一定程度上具有自我修复能力,即成为一部活体机器,因此可以直接与生物体结合,如与大脑、神经系统有机地连接起来,可以扩展脑的延伸。有人设想,将蛋白质芯片植入大脑,将会出现奇迹。如视觉先天缺陷或后天损伤可以得到修复,使之重现光明等。

虽然目前生产与装配上述分子元件还处于探索阶段,而且天然蛋白质等生物材料不能直接成为分子元件,必须在分子水平上进行加工处理,这有很大难度,但前途是光明的。据介绍,日本已制定了开发生物芯片的10年计划,政府计划投入100亿日元做各项研究。世界上一些大公司,如日立、夏普等都看好生物芯片的前景,十分重视这项研究工作。

人的大脑约有140亿个神经细胞,掌管着思维、感觉及全身的活动。虽然电脑已面世多年;但其精细程度和人脑相比,仍然差一大截。为了使电脑早日具有人脑的功能和效率,科学家近年致力研究开发人工智能电脑,并已取得不少进展。人工智能电脑是以生物芯片为基础的。生物芯片有多种,血红蛋白集成电路就是新型的生物芯片之一。

美国生物化学家詹姆士·麦克阿瑟,首先构想把生物技术与电子技术结合起来。他根据电脑的二进制工作原理,发现血红蛋白也具有类似“开”和“关”的双稳态特性。当改变血红蛋白携带的电荷时,它会出现上述两种变化,这就有可能利用生物的血红蛋白构成像硅电子电路那样的逻辑电路。麦克阿瑟首先利用生物工程的重组DNA技术,制成了血红蛋白“生物集成电路”,使研制“人造脑袋”取得了突破性进展。此后,生物集成电路的研究便逐步展开。美国科学家在硅晶片上重组活细胞组织获得成功。它具有硅晶片的强度,又有生物分子活细胞那样的灵活和智能。德国科学家所研制成的聚赖氨酸立体生物晶片,在1立方毫米晶片上可含100亿个数据点,运算速度更达到10皮秒(一千亿分之一秒),比现有的电脑快近100万倍。

DNA芯片又称基因芯片,DNA是人类的生命遗传物质脱氧核糖核酸的简称。因为DNA分子链是以ATGC(A-T、G-C)为配对原则的,它采用一种叫做“在位组合合成化学”和微电子芯片的光刻技术或者用其他方法,将大量特定顺序的稤NA片段,有序地固化在玻璃或者硅片上,从而构成储存有大量生命信息的DNA芯片。DNA芯片,是近年来在高新科技领域出现的具有时代特征的重大技术创新。

每一个DNA就是一个微处理器。DNA计算速度是超高速的,理论上计算,它的运算速度每小时可达1015次数,是硅芯片运算速度的1000倍。而且,DNA的存储量是很大的,每克DNA可以储存上亿个光盘的信息。不过,目前的主要难点是解决DNA的数据输出问题。

DNA芯片有可能将人类的全部约8万个基因集约化地固定在1平方厘米的芯片上。在与待测样品的DNA配对后,DNA芯片即可检测出大量相应的生命信息。例如寻找基因与癌症、传染病、常见病和遗传疾病的关系,进一步研究相应药物。目前已知有6000多种遗传病与基因相关,还有环境对人体的影响,例如花粉过敏和对环境污染的反应等都与基因有关。已知有200多个与环境影响相关的基因,对这些基因的全面监测,对生态、环境控制及人类健康均有重要意义。

DNA芯片技术既是人类基因组研究的重要应用课题,又是功能基因研究的崭新手段。例如单核苷酸的多态性,是非常重要的生命现象,科学家认为,人体的多样性和个性取决于基因的差异,正是这种单核苷酸多态性的表现,如人的体形、长相与500多个基因相关。通过DNA芯片,原则上可以断定人的特征,甚至脸形、长相、外貌特点,生长发育差异等。

“芯片巨人”英特尔公司于2000年12月公布,英特尔公司用最新纳米技术研制成功30纳米晶体管芯片。这一突破将使电脑芯片速度在今后5~10年内提高到2000年的10倍,同时使硅芯片技术向物理极限更近一步。新型芯片的运算速度已达目前运算速度最快芯片的7倍。它能在子d飞行30厘米的时间内运算2000万次,或在子d飞行25毫米的时间内运算200万次。晶体管门是计算机芯片进行运算的开关,新芯片是以3个原子厚度的晶体管“门”为基础,比目前计算机使用的180纳米晶体管薄很多。要制造这种芯片的障碍是控制它产生的热量。芯片的运行速度越快,产生的热量就越多。过多的热量会使制造计算机芯片所用的材料受到损坏。英特尔公司经过了长期的研究,解决了这一问题。这种原子级晶体管是用新的化学合成物制成的,这种新材料可以使芯片在运行时温度不会过高。这种芯片的出现将为研制模拟以人的方式,可以和人进行交流的电脑创造条件。英特尔公司说,他们开发出的这种迄今世界上最小最快的晶体管,厚度仅为30纳米。这将使英特尔公司可以在未来5~10年内生产出集成有4亿个晶体管、运行速度为每秒10亿次,工作电压在1伏以下的新型芯片。而目前市场上出售的速度最快的芯片“奔腾4代”集成了4200万个晶体管。英特尔公司称,用这种新处理器制造的产品最早将在2005年以后投放市场。

英特尔公司的一位工程师说:“30纳米晶体管的研制成功使我们对硅的物理极限有了新看法。硅也许还可以使用15年,此后会有什么材料取代硅,那是谁也说不准的事。”他又说:“更小的晶体管意味着更快的速度,而运行速度更快的晶体管是构筑高速电脑芯片的核心模块,电脑芯片则是电脑的‘大脑’。”英特尔公司预测,利用30纳米晶体管设计出的电脑芯片可以使“万能翻译器”成为现实。比如说英语的人到中国旅游,就可以通过随身携带的翻译器,将英语实时翻译成中文,在机场、旅馆或商店不会有语言障碍。在安全设施方面,这种芯片可以使警报系统识别人的面孔。此外,将来用几千元人民币就可以买一台高速台式电脑,其运算能力可以跟现在价值上千万元的大型主机媲美。

单位面积上晶体管的个数是电脑芯片集成度的标志,晶体管数量越多,说明集成度越高,而集成度越高,处理速度就越快。30纳米晶体管将开始出现在用0.07微米技术产品上,目前英特尔公司使用的是0.18微米技术,而1993年的“奔腾”处理器使用的是0.35微米技术。在芯片上“刻画”电路,0.07微米技术用的是超紫外线光刻技术,比2001年最先进的深紫外线光刻技术更为先进。如果在纸上画线,深紫外线光刻使用的是钝铅笔,而超紫外线光刻使用的是削尖了的铅笔。

晶体管越来越小的好处主要有两方面:一是可以用较低,的成本提高现有产品性能;二是工程师可以设计原来不可能的新产品。这两个好处正是推动半导体技术发展的动力,因为企业提高了利润,就有可能在研发上投入更多。看来,纳米技术的确可以延长摩尔定律的寿命,这也正是摩尔本人和众多技术人员把目光放到纳米技术之上的原因所在。

纳米"纳米"是英文nano的译名,是一种长度单位,原称毫微米,就是10的-9次方米(10亿分之一米),约相当于45个原子串起来那么长。纳米结构通常是指尺寸在100纳米以下的微小结构。 从具体的物质说来,人们往往用细如发丝来形容纤细的东西,其实人的头发一般直径为20-50微米,并不细。单个细菌用肉眼看不出来,用显微镜测出直径为5微米,也不算细。极而言之,1纳米大体上相当于4个原子的直径。假设一根头发的直径为0.05毫米,把它径向平均剖成5万根,每根的厚度即约为1纳米。编辑本段纳米技术 纳米科学与技术,有时简称为纳米技术,是研究结构尺寸在0.1至100纳米范围内材料的性质和应用。 1981年扫描隧道显微镜发明后,诞生了一门以0.1到100纳米长度为研究分子世界,它的最终目标是直接以原子或分子来构造具有特定功能的产品。因此,纳米技术其实就是一种用单个原子、分子射程物质的技术。 纳米技术是一门交叉性很强的综合学科,研究的内容涉及现代科技的广阔领域。纳米科学与技术主要包括:纳米体系物理学、纳米化学、纳米材料学、纳米生物学、纳米电子学、纳米加工学、纳米力学等 。这七个相对独立又相互渗透的学科和纳米材料、纳米器件、纳米尺度的检测与表征这三个研究领域。纳米材料的制备和研究是整个纳米科技的基础。其中,纳米物理学和纳米化学是纳米技术的理论基础,而纳米电子学是纳米技术最重要的内容。 从迄今为止的研究来看,关于纳米技术分为三种概念: 第一种,是1986年美国科学家德雷克斯勒博士在《创造的机器》一书中提出的分子纳米技术。根据这一概念,可以使组合分子的机器实用化,从而可以任意组合所有种类的分子,可以制造出任何种类的分子结构。这种概念的纳米技术还未取得重大进展。 第二种概念把纳米技术定位为微加工技术的极限。也就是通过纳米精度的"加工"来人工形成纳米大小的结构的技术。这种纳米级的加工技术,也使半导体微型化即将达到极限。现有技术即使发展下去,从理论上讲终将会达到限度,这是因为,如果把电路的线幅逐渐变小,将使构成电路的绝缘膜变得极薄,这样将破坏绝缘效果。此外,还有发热和晃动等问题。为了解决这些问题,研究人员正在研究新型的纳米技术。 第三种概念是从生物的角度出发而提出的。本来,生物在细胞和生物膜内就存在纳米级的结构。编辑本段纳米技术的内容 纳米技术包含下列四个主要方面: 1、纳米材料:当物质到纳米尺度以后,大约是在0.1—100纳米这个范围空间,物质的性能就会发生突变,出现特殊性能。 这种既具不同于原来组成的原子、分子,也不同于宏观的物质的特殊性能构成的材料,即为纳米材料。 如果仅仅是尺度达到纳米,而没有特殊性能的材料,也不能叫纳米材料。 过去,人们只注意原子、分子或者宇宙空间,常常忽略这个中间领域,而这个领域实际上大量存在于自然界,只是以前没有认识到这个尺度范围的性能。第一个真正认识到它的性能并引用纳米概念的是日本科学家,他们在20世纪70年代用蒸发法制备超微离子,并通过研究它的性能发现:一个导电、导热的铜、银导体做成纳米尺度以后,它就失去原来的性质,表现出既不导电、也不导热。磁性材料也是如此,象铁钴合金,把它做成大约20—30纳米大小,磁畴就变成单磁畴,它的磁性要比原来高1000倍。80年代中期,人们就正式把这类材料命名为纳米材料。 为什么磁畴变成单磁畴,磁性要比原来提高1000倍呢?这是因为,磁畴中的单个原子排列的并不是很规则,而单原子中间是一个原子核,外则是电子绕其旋转的电子,这是形成磁性的原因。但是,变成单磁畴后,单个原子排列的很规则,对外显示了强大磁性。 这一特性,主要用于制造微特电机。如果将技术发展到一定的时候,用于制造磁悬浮,可以制造出速度更快、更稳定、更节约能源的高速度列车。 ⒉纳米动力学,主要是微机械和微电机,或总称为微型电动机械系统(MEMS),用于有传动机械的微型传感器和执行器、光纤通讯系统,特种电子设备、医疗和诊断仪器等.用的是一种类似于集成电器设计和制造的新工艺。特点是部件很小,刻蚀的深度往往要求数十至数百微米,而宽度误差很小。这种工艺还可用于制作三相电动机,用于超快速离心机或陀螺仪等。在研究方面还要相应地检测准原子尺度的微变形和微摩擦等。虽然它们目前尚未真正进入纳米尺度,但有很大的潜在科学价值和

东京大学的研究小组1日发表消息称,在氮化硅薄膜上观测到了热传导率越高的现象。其特征在于,使用了将负责热传导的晶格振动(声子)与光联系起来的“表面声子波里顿”。氮化硅被用于半导体元件的绝缘膜和保护膜,此次的成果在集成化和精细化中有助于促进容易发热的元件的散热。

表面声子波拉里顿散热的概念图(东京大学提供)

以往,已知在薄膜的表面上声子以高频率散射,热传导率大幅度变小。东京大学生产技术研究所特聘研究员和野村政宏教授等研究团队制作了与速度比声子快10万倍的光相结合的表面声子波里顿,调查了厚度不同的4种薄膜的热传导率。“-”

在厚度为200纳米的薄膜中,热导率随着温度的升高而降低。在100纳米的薄膜中,减少的趋势减缓了。研究表明,在50纳米和30纳米的薄膜中,随着温度的提高,热传导率变大,在塞氏约500度的高温下,大约是常温的两倍。

氮化硅薄膜的导热率。在厚度为100纳米和200纳米的薄膜(绿色和蓝色的点)中,导热率逐渐降低,而在30纳米和50纳米的薄膜(黑色和红色的点)中,导热率反而增加(东京大学提供)

此外,理论计算表明,表面声子波里顿薄膜越薄,又温度越高,则越大。据了解,表面声子波拉里顿在不散射的情况下推进的平均距离比单独声子要长得多。

这是首次在产业应用的氮化硅薄膜中定量地确定了热传导率的增加。野村副教授说:“我们得到了确凿的证据,表面声子波拉里顿已经在薄膜上成为重要的热传导载体。”?

从物质表面散热传导、辐射、对流这三种机制早已为人所知。如果表面声子波拉里顿产生的散热确立为第四种散热机制,将为进一步开发高集成元件铺平道路。研究成果于9月30日(美国东部时间)刊登在科学杂志“科学高级”上。


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