半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件(热敏电阻);利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件,像光电池、光电管和光敏电阻等。
半导体还有一个最重要的性质,如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件,如半导体二极管、三极管等。
把一块半导体的一边制成P型区,另一边制成N型区,则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层,一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用(用黑色箭头表示)。中间部分为PN结的形成过程,示意载流子的扩散作用大于漂移作用(用蓝色箭头表示,红色箭头表示内建电场的方向)。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。
1、分子线エピタキシー(MBE)法:(ぶんしせんエピタキシーほう, MBEMolecular Beam Epitaxy)は现在、半导体の结晶成长に使われている手法の一つである。真空蒸着法に分类され、物理吸着を利用する:该方法现在是经常被使用在半导体的结晶成长中的手法之一。它被归类于针孔蒸着法,利用物理吸附原理。
2、如上,在下面的网站中有关于这些名词的具体解释。
http://www.jpo.go.jp/shiryou/s_sonota/map/kagaku16/hajime.htm
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)