太阳能电池工作原理的基础,是半导体PN结的“光生伏特”效应。所谓光生伏特效应,简单地说,就是当物体受到光照时,其体内的电荷分布状态发生变化而产生电动势和电流的一种效应。在气体、液体和固体中均可产生这种效应,但在固体尤其是在半导体中,光能转换为电能的效率特别高,因此半导体中的光电效应引起人们的格外关注,研究的最多,并发明制造出了半导体太阳能电池。
当太阳光照射PN结时,在半导体内的电子由于获得了光能而释放电子,相应地便产生了电子-空穴对,并在势垒电场的作用下,电子被驱向N型区,空穴被驱向P型区,从而使N区有过剩的电子,P区有过剩的空穴于是就在PN结的附近形成了与势垒电场方向相反的光生电场。光生电场的一部分抵消势垒电场,其余部分使P型区带正电、N型区带负电于是就使得N区与P区之间的薄层产生的电动势,即“光生伏打”电动势。当接通外电路时,便有电能输出。
这就是PN结接触型硅太阳能电池发电的基本原理。若把几十个、几百个太阳能电池单体串联、并联起来封装成为太阳能电池组件,在太阳光的照射下,便可获得具有一定功率输出的电能。
太阳电池是利用半导体光生伏特效应的半导体器件。当太阳光照射到由p型和n型两种不同导电类型的同质半导体材料构成的p-n结上时,在一定条件下,光能被半导体吸收后,在导带和价带中产生非平衡载流子——电子和空穴。它们分别在p区和n区形成浓度梯度,并向p-n结作扩散运动,到达结区边界时受p-n结势垒区存在的强内建电场作用将空穴推向p区电子推向n区,在势垒区的非平衡载流子亦在内建电场的作用下,各向相反方向运动,离开势垒区,结果使p区电势升高,n区电势降低,p-n结两端形成光生电动势。晶体硅包括单晶硅和多晶硅,晶体硅的制备方法大致是先用碳还原
SiO2
成为Si,用HCl反应再提纯获得更高纯度多晶硅,单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。
太阳能光伏发电的基本原理是利用太阳能电池(一种类似于晶体二极管的半导体器件) 的光生伏打效应直接把太阳的辖射能转变为电能的一种发电方式,太阳能光伏发电的能量转换器就是太阳能电池,也叫光伏电池。当太阳光照射到由p、n型两种不同导电类型的同质半导体材料构成的太阳能电池上时,其中一部分光线被反射,一部分光线被吸收,还有一部分光线透过电池片。被吸收的光能激发被束缚的高能级状态下的电子,产生电子一空穴对,在p-n结的内建电场作用下,电子、空穴相互运动(如图,n区的空穴向p区运动,p区的电子向n区运动,使太阳电池的受光面有大量负电荷〔电子)积累, 而在电池的背光面有大量正电荷〔空穴)积累。若在电池两端接上负载,负载上就有电流通过,当光线一直照射时,负载上将源源不断地有电流流过。
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