为什么to252功率器件要测雪崩

为什么to252功率器件要测雪崩，因为在一些极端的边界条件下的实际应用中，如系统的输出短路及过载测试，输入过电压测试以及动态的老化测试中，有时会发生过压的损坏。过压损坏通常直接理解为雪崩失效损坏，因为雪崩的过程伴随着过压的现象。因此，在功率MOSFET的数据表中，定义了在非箝位感性负载开关条件下，雪崩电流和雪崩能量的额定值，有些公司还给出了大单脉冲和多脉冲条件下，参考雪崩电流和雪崩能量的额定值考查功率MOSFET抗过压雪崩的能力。

数据表中雪崩电流和雪崩能量的额定值对应着一定的测试条件，特别是不同的公司有时候使用不同的测量电感值，导致工程师无法在相同的条件下进行比较；即便是使用相同的测量电感值，系统的工作条件和数据表中给定的测试并不相同。功率MOSFET管数据表中，所使用的电感比实际应用的电感值要大很多，如对于低压功率MOSFET，额定电压低于30 V，行业内采用的测试雪崩能量的电感值为0.1 mH。过去，只有在低工作频率和大电流的电机驱动中，才会发生非箝位感性负载开关的雪崩现象，而在这种使用中，电机的电感比较大，行业内就采用大电感来评估功率MOSFET管的雪崩能力。因此，数据表中雪崩能量只具有参考的价值，本文将详细地讨论这些问题，从而更加明确地理解功率MOSFET的雪崩能量。

1 数据表中雪崩能量值

雪崩电流在功率MOSFET的数据表中标示为IAV，雪崩能量代表功率MOSFET管抗过电压冲击的能力。在测试雪崩能量过程中，选取一定的电感值，然后将电流增大，也就是功率MOSFET开通的时间增加，电流也就越大，然后关断，重复这个开通和关断的过程，直到功率MOSFET损坏，对应的最大电流值就是最大的雪崩电流。注意到在测量雪崩能量时，功率MOSFET工作在非箝位感性负载开关UIS状态下，具体的测试电路及其工作原理可以参考文献[1-7]。

在数据表中，标称的IAV通常要将前面的测试值做70%或80%降额处理，因此它是一个可以保证的参数。功率MOSFET供应商会对这个参数在生产线上做100%全部检测，因为在实际的测试中，雪崩的电流有降额，因此不会损坏功率MOSFET管。

采用的电感值不同，雪崩的电流值也不同，因此雪崩能量也不同。对于不同的工艺和平台，经常出现这样的现象：在大电感的时候，其中一个功率MOSFET管的雪崩能量比另一个大，但是，在小电感的时候，前者的雪崩能量反而小于后者。不同的电子系统中，负载的电感值并不相同，因此，对于一个功率MOSFET管，需要研究在不同的电感条件下雪崩的能力。

雪崩和浪涌的区别如下。

1、浪涌电流是指电源接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流。

2、雪崩耐量即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩。

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