GaAs集成电路与硅集成电路相比的优点是什么？

砷化镓集成电路是以砷化镓（GaAs）半导体材料为基片制作的集成电路，其有源器件主要是金属基场效应晶体管和结型场效应晶体管，同时还包含了用高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管等器件所制的集成电路。

GaAs集成电路包括超高速集成电路、微波单片集成电路和光电集成电路。GaAs是一种重要的化合物半导体材料。GaAs集成电路与硅集成电路相比的优点是：电子迁移率比硅大5倍；GaAs工作温度范围宽，可以扩展到-70℃～300℃；抗辐照性能比硅高1～3个数量级。

GaAs集成电路主要应用于通信卫星、电视卫星接收机、移动通信、高清晰度电视、微波毫米波数字频率源、光通信、超高速率信号处理、微型超级计算机、高性能仪器、微波传感器以及国防军用电子装备等。

常见的半导体材料有硅（si）、锗（ge）,化合物半导体，如砷化镓（gaas）等掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（b）、磷（p）、锢（in）和锑（sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。

有以下共同特点：

1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间

2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。

3．在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。

硅  四氟化硅   二氧化硅   硅酸钠硅酸

由硅元素的特征性质推断。

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