半导体电导率计算公式

如果σ是电导（单位西门子），I是电流（单位安培），E是电压（单位伏特），则：σ = I/E

电导是电阻的倒数，即 G＝L/R 式中R—电阻，单位欧姆(Ω) G—电导，单位西门子(S) 1S＝103mS＝106µS 因R＝ρL/F，代入上式，则得到： G＝IF/（ρL）对于一对固定电极来讲，二极间的距离不变，电极面积也不变，因此L与F为一个常数。

令：J＝L/F，J就称为电极常数，可得到 G＝I2/（ρJ）式中：K=1/ρ就称为电导率，单位为S/cm。1S/cm＝103mS/cm＝106µS/cm。

电导率K的意义就是截面积为lcm2，长度为lcm的 导体的电导。当电导常数J=1时，电导率就等于电导，电导率是不同电解质溶液导电能力的表现。

电导率K，电导G，电阻率ρ三者之间的关系如下： K＝JG＝I/ρ 式中J为电极常数，例如：电导率为O.1µS/cm的高纯水，其电阻率应为： ρ＝I/K＝1/0.1×106＝10MΩcm。

硅的比热容量为：700 J/（kg·K）。

比热容，简称比热，亦称比热容量，是热力学中常用的一个物理量，用来表示物质提高温度所需热量的能力，而不是吸收或者散热能力。它指单位质量的某种物质升高（或下降）单位温度所吸收（或放出）的热量。

其国际单位制中的单位是焦耳每千克开尔文[J/( kg· K )]，即令1KG的物质的温度上升1开尔文所需的热量。硅的比热容量为：700 J/（kg·K），也就是说硅使1KG的物质的温度上升1开尔文所需的热量为700 J。

扩展资料：

上海交通大学教授金贤敏说：“采用硅晶体管开发量子位，还有一个原因在于，相对于超导材料，硅量子位的可靠性更高。所有的量子位都容易出错，因为它们使用的量子效应非常脆弱，即使对设备的噪音加以控制，也能在远不足一微秒的瞬间扰乱量子叠加。”

首台采用传统计算机硅芯片制造技术的量子计算机已由英特尔公司研制成功，并交付给了合作伙伴——位于荷兰代尔夫特理工大学的研究机构。英特尔的这台低调设备或许就像一朵羞答答的迎春花，昭示硅量子技术春天的到来。

一些科学家也表示，在“硅路线”上看到了希望。澳大利亚新南威尔士大学米歇尔·西蒙斯的团队也在开发用硅制造量子计算机的方法。去年5月，西蒙斯创办了初创企业“硅量子计算”，澳大利亚政府提供了资金支持。

参考资料：百度百科-硅

参考资料：百度百科-比热容

参考资料：人民网-硅量子计算机研发渐入佳境

q是电子的电荷量，T是绝对温度，单位为K，k常数=1、38*(10的负23次方)/K，i是反向饱和电流，U是PN结外加。

电压在静态（且无光，热，辐射的影响）半导体的“等效电阻”与电流，电压的关系也是符合欧姆定律的