半导体电阻过大怎么解决，请赐教

（1）决定电阻率的因素：

电阻率与晶向有关。对于各向异性的晶体，电导率是一个二阶张量，共有27个分量。特别，对于Si之类的具有立方对称性的晶体，电导率可以简化为一个标量的常数（其他二阶张量的物理量都是如此）。

电阻率的大小决定于半导体载流子浓度n和载流子迁移率μ：ρ=1/ nqμ。对于掺杂浓度不均匀的扩散区的情况，往往采用平均电导率的概念；在不同的扩散浓度分布（例如高斯分布或余误差分布等）情况下，已经作出了平均电导率与扩散杂质表面浓度之间的关系曲线，可供查用。

相同杂质浓度下，P型半导体电阻率是小于N型半导体电阻率的，因为P型半导体主要依靠空穴导电，N型半导体主要依靠电子导电。而在半导体内，空穴的迁移率远远小于电子的迁移率，常温下，硅中空穴迁移率为450cm/V/S，电子迁移率为1450cm/V/S，所以P型半导体表现出的电阻率比N半导体大得多。举例来说，硅体内掺相同剂量的磷和硼，比如1E15cm-3，则掺磷的N型半导体的电阻率为3~5欧姆厘米，而掺硼的P型半导体电阻率则为10~15欧姆厘米。

半导体，具有负电阻温度系数，其电阻值是随温度的升高而减小，随温度的降低而增大，虽然温度升高粒子的无规则运动加剧，引起自由电子迁移率略为下降，然而自由电子的数目随温度的升高而增加得更快，所以温度升高其电阻值下降。

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