鲁汶大学(拉丁文:Universitas catholica Lovaniensis;荷兰文:Katholieke Universiteit Leuven;英文:Catholic University of Leuven)全称天主教鲁汶大学,缩写KU Leuven,是比利时最高学府、世界五十强名校 、欧洲十大名校之一,欧洲研究型大学联盟、同一个欧洲大学联盟、科英布拉集团、Europaeum、欧洲大学协会等高校联盟成员。
扩展资料
鲁汶大学处于领先地位的研究领域有:半导体、微电子及纳米技术、法学、哲学、神学及宗教学、建筑学及古建筑保护、电气与电子工程、生物信息学、统计学、干细胞研究。
临床医学、医学影像、神经系统、运动治疗和康复、心理学、教育学、遗传学、文化及艺术史、地质学、食品科技、金融和计量经济学、会计学、欧盟研究、汉学、机械工程、语言学以及密码学等。
参考资料来源:百度百科-鲁汶大学
探索HCD物理机制" img_height="237" img_width="1080" data-src="//imgq8.q578.com/ef/0705/8e85ab753c771965.jpg" src="/a2020/img/data-img.jpg">直击前线科研动态
尽在 芯片揭秘 科研前线
在第27届 IEEE IPCF 会议上,IMEC发表了与欧洲名校KU Leuven和TU Wien的联合研究成果,其团队拓展了HCD(热载流子退化)效应的研究模型,综合考虑了HCD效应与自热效应两种现象之间的关联和相互影响,并在对纳米线晶体管的实测中获得了验证。
在先进集成电路器件中,器件尺寸的缩小幅度大于工作电压和偏置应力电压的减小幅度,从而造成高电场;除此之外,晶体管的通道长度与载流子的平均自由程相当或更短,载流子因散射耗散的能量随之大减。综上因素因素会导致载流子的大幅加速,进而导致显著的 热载流子退化* (Hot-carrier degradation,以下简称HCD)。在 纳米线(Nanowire) 晶体管器件和FinFET等10nm和亚10nm尺寸的集成电路器件中,HCD效应因自热效应(Self-Heating Effect)而进一步加剧,被认为是最为损害器件可靠性的问题。
而与HCD密切相关的 偏置温度不稳定性 (Bias Temperature Instability,以下简称BTI)现象,在晶体管中相比HCD破坏性要小。在近年的研究中,控制和缓解BTI的技术手段被提出并得到了验证,这些工作大多基于两点,一是通过 调整功函数 将缺陷带转移到载流子无法达到的能量区域,二是在 SiO层 和 high-k 层之间引入偶极子。然而,到目前为止,尚无能有效减缓HCD效应的手段,更好地了解导致HCD的物理机制将有助于 探索 减缓HCD效应的手段。
自热增强了HCD效应,一个精确的HCD预测模型应该考虑自热效应的影响,但目前模拟自热对HCD影响的模型都基于实验经验和孤立猜想和假设,存在片面性。为加深对HCD诱发机制的理解,建立更接近电路实际工作条件的研究模型, IMEC 与 鲁汶大学 ( KU Leuven )和 维也纳工业大学 ( TU Wien )联合实验团队提出并验证了新的物理模型。相关成果以“ Physical Modeling the Impact of Self-Heating on Hot-Carrier Degradation in pNWFETs ”为题发表于2020年举办的第27届IEEE国际集成电路物理与失效分析会议(IPFA, International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits),来自IMEC及两所欧洲名校的Stanislav Tyaginov, Alexander Makarov等10名研究成员为本文共同作者,项目受到“ 欧盟地平线2020 ”科研规划下的“ 玛丽居里学者 ”项目资助。
*热载流子退化 :Hot-carrier degradation,也称热载流子降解,指器件内部的部分载流子受外部影响成为高能热载流子。这些热载流子会打断Si-H 键从而产生界面态,最终导致载流子平均自由时间减少,降低电子迁移率,从而使器件的源漏电流减小。器件关键电学特性的退化随着工作时间的增长而越来越明显,当退化量大于一定程度时便会引起器件乃至整个芯片的失效,带来严重的可靠性问题。
pNWFETs :p型纳米线(nanowire)场效应晶体管,GAA环栅晶体管器件结构的一种。
研究团队提出并验证了一个基于物理学基本原理的自热与热载流子退化(HCD)的建模框架。研究表明,自热对HCD的影响因素是多方面叠加的:一是分布式温度下载流子输运特性,二是温度对化学键振动寿命的依赖关系,三是键解离的热贡献。为了求解自热效应引起的晶格温度变化,团队综合求解了漂移-扩散方程和热流两公式;而温度的非均匀分布对载流子输运的影响表明了使载流子能量分布函数趋向高能量区。本研究团队所扩展得到的框架能够精确再现实验环境下pNWFETs的热载流子退化过程,同时也发现,如果忽视自热效应的影响,那么模型计算所得的HCD效应的严重程度将会大大低于实际观测值。
探索HCD物理机制" img_height="376" img_width="928" data-src="//imgq8.q578.com/ef/0705/6e8e92ed56fb5ca6.jpg" src="/a2020/img/data-img.jpg">
探索HCD物理机制" img_height="553" img_width="862" data-src="//imgq8.q578.com/ef/0705/175e7be8dc6ae6f4.jpg" src="/a2020/img/data-img.jpg"> 探索HCD物理机制" img_height="552" img_width="866" data-src="//imgq8.q578.com/ef/0705/499e6e679a9c6990.jpg" src="/a2020/img/data-img.jpg"> 探索HCD物理机制" img_height="527" img_width="800" data-src="//imgq8.q578.com/ef/0705/24a4fe86e409c77e.jpg" src="/a2020/img/data-img.jpg">
探索HCD物理机制" img_height="700" img_width="945" data-src="//imgq8.q578.com/ef/0705/25c859507db5e3d7.jpg" src="/a2020/img/data-img.jpg">
探索HCD物理机制" img_height="335" img_width="1080" data-src="//imgq8.q578.com/ef/0705/c1386e0c77366ccd.jpg" src="/a2020/img/data-img.jpg">
探索HCD物理机制" img_height="944" img_width="1360" data-src="//imgq8.q578.com/ef/0705/276feeab1dc474be.jpg" src="/a2020/img/data-img.jpg"> 探索HCD物理机制" img_height="944" img_width="1362" data-src="//imgq8.q578.com/ef/0705/0b78b9604e12f986.jpg" src="/a2020/img/data-img.jpg">
*Minimos-NT ,是一款通用型半导体器件模拟软件,可提供任意二维和三维器件几何形状的稳态、瞬态和小信号分析。该软件由维也纳工业大学微电子研究所自主研发,用于集成电路器件的物理特性研究。
IMEC与知名高校KU Leuven和TU Wien通过建立创新物理模型,深入研究纳米线晶体管的自热效应与热载流子退化物理机制间的联系,Nanowire晶体管即将进入量产阶段,预计该成果将会对于未来纳米线晶体管的良率与器件可靠性提升有重要意义,基于该成果的拓展性研发也将会惠及未来Nanosheet和Forksheet器件的工艺研发。
团队带头人Stanislav Tyaginov博士出生于俄罗斯圣彼得堡,于2006年获物理学博士学位,IIRW和IRPS的技术计划委员会成员。他曾主导建设TU Wien微电子研究所的HCD模型开发小组,在科学期刊和会议论文集上发表论文100余篇。目前Tyaginov博士的研究领域包括:晶体管物理模型仿真、基于Si和碳化硅晶体管中的HCD效应研究、BTI和经时击穿的建模以及MOS器件中的隧穿现象。
IMEC,全称:Interuniversity Microelectronics Centre,即比利时微电子研究中心,是一家成立于 1984 年的 科技 研发中心, 总部设在比利时鲁汶。IMEC 的战略定位为纳米电子和数字技术领域全球领先的前瞻性重大创新中心,IMEC 从 2004 年起参与了从45nm到7nm的芯片前沿技术的研发。
维也纳工业大学(TU Wien),前身是维也纳帝国皇家理工学院,是一所作为奥匈帝国皇家学院的 科技 学院建立起来的综合性大学,是德语国家中的第一所 科技 型学府大学。在教学领域和研究领域都得到国际和国内的认可,是欧洲顶尖学府之一。
鲁汶大学(KU Leuven),是比利时最高学府、世界百强名校、欧洲十大名校之一,集成电路相关学科在欧洲名列前茅,与同在比利时的IMEC在集成电路技术研发方面有着深入、全面的合作。
论文原文链接:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9260648
名校学习,是无数家长和同学心里的梦,海外名校学习,估计同学和家长们就更想去了,这样的成功并不是梦,和我来看看杜同学比利时世界名校鲁汶大学申请成功案例。
杜同学:河南大学,国际经济与贸易。
GPA80.雅思6.5分,2010年本科毕业
补充材料:雅思7分,GMAT680
成功亮点:被鲁汶大学录取
(成绩一开始并不是特别优秀,在我的专业指导下,后期补交了雅思成绩和GMAT专业选择到位:避开热门专业,关注现在社会稀缺的精算专业准备比较早,有充足时间来补充和提高必要的材料)
在大家看来,该学生具备优秀的成绩,申请鲁汶大学应该是很意料之中的事情。但是鲁汶大学作为全球前20的世界名校,申请竞争也是相当激烈。录取与不录取都是在一线之间,可是我们为了这一线之间的可能付出代价和辛劳现在已经没法用言语表达。
当收到鲁汶大学的录取的回复时,我一上午都无比激动,由于很多申请瑞典的优秀学生,今年都难逃厄运,尤其是商科,都面临着全军覆没的危险,当时我担心的几个晚上都不能黯然入睡。
这个学生是在放弃国内大学保研的情况下,把她留学的梦想交付到我的手里。所以压力和责任无比重大。要是万一申请落空,我真有成罪人的感觉。而且学生要求申请的学校是鲁汶大学。当时我看了她的条件,不算太好,也不算太差,当时我给她备了两方案,就是根特大学和安特卫普大学。
我说你要上鲁汶大学,光我的努力是不行的,你必须赶紧准备GMAT,如果GMAT成绩不错,你争取把雅思提高到7分,全力攻克鲁汶大学。但是万一你GMAT没考好,那雅思也要提高到7分。攻克鲁汶大学的其他专业,但是相对竞争会更加激烈。我把现实状况都给学生分析清楚了,学生也知道GMAT和雅思的重要性。于是再提交完基础材料后,她全力攻克这两项。并告诉她如何安排这个时间和考试。
一切进行得都很顺利,基本都是一次过关。APS认证在我的指导下,更是少有的一次性通过。因为每年APS认证都要卡很多人,很多人因为这个认证没过,而无缘比利时留学。
有付出就有回报,学生和我的密切配合和共同努力都是申请成功的关键。有些保险的方案备着不是什么坏处,大家永远都不希望用到这个备胎,但是在万一的情况下备胎也会起到一个很重要的作用。
鲁汶大学简介:
鲁汶大学 (KU Leuven(Katholieke Universiteit Leuven)) [简称 KUL] 是比利时最好的大学[4] ,拥有比利时国家大学的美誉,欧洲顶尖高等学府,也是世界著名大学之一。1425年由教皇马丁五世下令建立,是全球现存最古老的天主教大学,同时也是西欧“低地国家”(包括荷兰、比利时、卢森堡等国)中最古老大学。它创立于1425年,是一所拥有585年历史的欧洲最古老的宗教大学。1968年起分为两座大学,鲁汶大学 (荷兰语原校区)和新鲁汶大学(法语区),需要注意的是,官方译名中无荷兰语和法语的说法,目前鲁汶大学及其英文译名University of Leuven均指位于荷兰语区鲁汶市的KU Leuven(即荷语鲁汶大学),分裂出的法语鲁汶大学则称为新鲁汶大学(即法语鲁汶大学)。
鲁汶大学当今世界上最好的大学之一。近100多年来,它始终排名全球前20名。近50年来排名在第17位左右。它作为一所以国际为导向的大学,鲁汶大学继承了一个世纪来好客的传统。得益于大学间学生与教师的紧密合作与交流,鲁汶大学极大的促进了欧洲及至世界的文化与科学的发展和知识的传播。现今鲁汶大学在世界名校排行中为第17位(也有的机构将它排在第16位),在比利时乃至整个欧洲的学术界拥有绝对的权威。
有着比利时国家大学的美誉的天主教鲁汶大学是比利时最大,同时也是荷比卢地区最古老大学,拥有近600年的悠久历史。比利时国王继承人在继位时明确要求其要拥有KU Leuven鲁汶大学的硕士学位,比利时的政府多位部长也均在该校兼职任教。KU Leuven鲁汶大学的学生来自于世界各地,在这里可以深刻感受到世界多元文化。
鲁汶大学处于领先地位的研究领域有:半导体、微电子及纳米技术、生物信息和生物统计、干细胞研究、临床医学、医学影像、神经系统、运动治疗和康复、创伤心理学、遗传学、食品科学、金融和计量经济学、会计学、欧盟法律、建筑及古建筑保护、以及密码学。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)