外层有6个电子,根据
能量最低原理
,电子从能量最低的层开始排布,1s能级最低,先填满两个,然后再是2s能级填满两个,还剩下两个电子,应该填充在2p能级,与s
不一样(是球形的),p电子云是
纺锤型
,而且还具有方向性,三个方向为xyz轴方向,因为电子云是描述电子概率的,所以说p能级上的两个电子在三个方向上都有可能存在,所以就有2px2py2pz这种写法。
碳基芯片就是石墨烯芯片,碳基芯片的制作工艺而碳基半导体芯片用到的是碳纳米管或石墨烯,碳纳米管和石墨烯的制备过程跟硅基晶体管的制备方法有着本质的差别,两者的主要原料是石墨,目前生产工艺可以通过电弧放电法、激光烧蚀法等多种方式制成。所以碳基芯片电路的加工一定不会用到光刻机。碳基芯片的性能将是普通芯片的10倍以上。众所周知我国的芯片技术是落后于国外的芯片技术,我国的电子控制核心得芯片大部分都需要进口,电子行业的现状就是,最好的芯片在美国,其次是日本,欧洲,再次是韩国,差一点的是台湾。什么华润,中芯之类的,人家是帮国外低端芯片作代工的。当然,在批发市场那些廉价的,用几个月就坏的小玩具或者遥控器里面,是有国产的芯片。不得不说我国的芯片技术还有很大一个提升空间。现在,我国在碳基芯片上取得了不小的成果,碳基芯片区别于传统硅基芯片,碳基芯片从一种高级的纳米工业技术中产生。碳基芯片和硅基芯片相比,性能或将提升 10 倍,据研究表明,同等工艺制造当中,碳基芯片表现出的优势要远远强于硅基芯片。碳基芯片的延展性非常强,它可以做到普通芯片难以做到的事,比如可以用于一些折叠设备,而且重要的一点是,碳基芯片不需要光刻机也能完成制造,而且碳基芯片的用处可用于更加广泛的领域当中。我国的芯片技术虽然落后于西方,但是在我们不断的努力和坚持下,我们也研发了了碳基芯片,国外对于碳基芯片还没有一丝的进展,对于碳领域上,我国已经领先于西方国家,而且碳基芯片可能超过他们。希望我国的技术越来越发达,争取超越西方国家,打击他们嚣张的气焰。
硅、锗是半导体元素.金属元素锗(Ge),是德国化学家文克勒尔在1886年用光谱分析法首先发现的。由于科学技术水平的限制,人们长期不知道这种又脆又硬的浅灰色金属究竟有什么作用。40多年以后,人们才发现锗具有优异的半导体性能,可以用来制造晶体管,代替电子管使用。从此,锗开始进入电子工业及其他行业,发挥自已的作用。
高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素,形成p型硅半导体;掺入微量的第VA族元素,形成n型和p型半导体结合在一起,就可做成太阳能电池,将辐射能转变为电能。在开发能源方面是一种很有前途的材料。另外广泛应用的二极管、三极管、晶闸管和各种集成电路(包括我们计算机内的芯片和CPU)都是用硅做的原材料。
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