半导体的电流与电压关系是怎么的？

在静态(且无光，热，辐射的影响)半导体的“等效电阻”与电流,电压的关系也是符合欧姆定律的。

只不过是这个“等效电阻”，它不是常量。它是随外加电压的改变而改变。

半导体PN结的电流I与电压U关系式:

I=i（e的qU/kT次方-1）

q:是电子的电荷量

T:是绝对温度，单位为K

k:常数=1.38*(10的负23次方)/K

i:是反向饱和电流

U:PN结外加电压

半导体器件中iso区是浅沟道隔离。能实现高密度的隔离，深亚微米器件和DRAM等高密度存储电路。在器件制作之前进行，热预算小，STI技术工艺步骤类似LOCOS，依次生长SiO2淀积Si3N4涂敷光刻胶，光刻去掉场区的SiO2和Si3N4。利用离子刻蚀在场区形成浅的沟槽。进行场区注入，再用CVD淀积SiO2填充沟槽，用化学机械抛光技术去掉表面的氧化层，使硅片表面平整化。工艺复杂，要回刻或者CMP。

这叫光伏效应。能产生光伏效应的材料有许多种，如：单晶硅，多晶硅，非晶硅，砷化镓，硒铟铜等。它们的发电原理基本相同，现以晶体为例描述光发电过程。P型晶体硅经过掺杂磷可得N型硅，形成P－N结。当光线照射半导体表面时，一部分光子被硅材料吸收；光子的能量传递给了硅原子，使电子发生了越迁，成为自由电子在P－N结两侧集聚形成了电位差，当外部接通电路时，在该电压的作用下，将会有电流流过外部电路产生一定的输出功率。这个过程的实质是：光子能量转换成电能的过程。这个原理多应用于太阳能电池里。

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