半导体是介于导体和绝缘体之间，那么到底是导体还是绝缘体？

半导体既不是导体，也不是绝缘体，就是“半导体”。晶体一般可分为导体、半导体、绝缘体三类，从晶体能带理论来讲，三者可以这样区分：

绝缘体的禁带宽度较大，价带顶的电子难以跃迁到导带底成为自由电子，故电导率较低；

导体的禁带宽度较小，价带顶的电子容易跃迁到导带底成为自由电子，同时在价带顶形成空穴，故电导率较高；

半导体禁带宽度介于二者之间，故电导率也介于二者之间。也因为这个原因，半导体价带顶的电子受到外界影响（温度、电压、光照等）时也很容易跃迁到导带底，尤其是掺杂后的半导体。这样一来就可以利用外界条件（如电压）来控制通过半导体的电流了。

另一个原因是，由于掺杂不同，半导体内部的载流子分为电子和空穴两种，比如典型的半导体器件：PN结二极管，其P区多数载流子为空穴，N区多数载流子是电子，当P区与N区相接触的时候，就会在接触面上形成PN结，使得P区与N区之间形成势垒，如此，PN结就具有了“单向导电性”，电流只能从P区注入N区，反之则不行，因此PN结便有了类似“开关”的作用。

1、栅极

由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。多极电子管中排列在阳极和阴极之间的一个或多个具有细丝网或螺旋线形状的电极，起控制阴极表面电场强度从而改变阴极发射电子或捕获二次放射电子的作用。

这些端的名称和它们的功能有关。栅极可以被认为是控制一个物理栅的开关。这个栅极可以通过制造或者消除源极和漏极之间的沟道，从而允许或者阻碍电子流过。如果受一个外加的电压影响，电子流将从源极流向漏极。体很简单的就是指栅极、漏极、源极所在的半导体的块体。通常体端和一个电路中最高或最低的电压相连，根据类型不同而不同。体端和源极有时连在一起，因为有时源也连在电路中最高或最低的电压上。当然有时一些电路中FET并没有这样的结构，比如级联传输电路和串叠式电路。

2、漏极

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。

一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。

在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极和漏极，很薄的N区称为导电沟道。共漏极放大电路——源极输出器

3、源极

简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。

参考资料：

百度百科—栅极

百度百科—漏极

百度百科—源极

半导体定义

电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。

半导体室温时电阻率约在10-5～107欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。

半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。

锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等

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