什么是半导体工艺

这个课题太大!因为涉及半导体材料的泛范围太广了!简单地说:以半导体材料及衍生材料为主体的各种工艺研发和制造都称为半导体工艺!半导体:顾名思义!就是导电率介于导体和绝缘体之间的金属及非金属材料!常见的硅,锗,都属于此类!

前道主要是光刻、刻蚀机、清洗机、离子注入、化学机械平坦等。后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA植球、检查、测试等。又分为湿制程和干制程。

湿制程主要是由液体参与的流程，如清洗、电镀等。干制程则与之相反，是没有液体的流程。其实半导体制程大部分是干制程。由于对Low-K材料的要求不断提高，仅仅进行单工程开发评估是不够的。为了达到总体最优化，还需要进行综合评估，以解决多步骤的问题。

扩展资料：

这部分工艺流程是为了在 Si 衬底上实现N型和P型场效应晶体管，与之相对应的是后道(back end of line，BEOL)工艺，后道实际上就是建立若干层的导电金属线，不同层金属线之间由柱状金属相连。

新的集成技术在晶圆衬底上也添加了很多新型功能材料，例如：后道(BEOL)的低介电常数(εr <2.4)绝缘材料，它是多孔的能有效降低后道金属线之间的电容。

参考资料来源：百度百科-后道工序

参考资料来源：百度百科-半导体

参考资料来源：百度百科-前道工艺

首先说明一下，半导体中所谓的工艺指得是IC在由设计文件生产成为实体的过程步骤和技术（这是我自己组织的语言，明白是什么意思就成了），比如你所说掺杂、注入、光刻、腐蚀都是现在比较流行也是传统的半导体生产工艺。 而扩展到集成电路上，这个“工艺”一般又多了一层“特征尺寸”的感念，比如人们常说“我这CPU是core2duo，用得是45nm的工艺”。当然现在最先进的工艺已经达到了30nm左右，甚至在实验室中有更低的数值得以实现.

至于你说的MOS，CMOS这些东西，我个人认为不能称之为“工艺”，而是电路组成形式。以CMOS为例，它的意思是“互补对称型MOS”，即电路中的基本单元是一个反向器（由一个NMOS和一个PMOS构成），--整个电路都是由这种单元组成，因此它是一种电路组成形式。

工艺和电路组成形式的对应关系是：CMOS为单极型工艺（口头上即称为COMS工艺，所以容易产生你的那种误解），是数字电路的代表；TTL电路形式为双极型工艺（口头上就是双极型），是模拟电路的代表。而前面所说的“掺杂、注入、光刻、腐蚀”多用于单极型工艺，双级型也类似但具体还是有些不同的。

die bond,wire bond则是封装工艺。

如果我去回答面试的那几个问题时，我基本上就从“特征尺寸”和工艺流程上说一下。中国大陆现在能做的最小工艺尺寸就是45nm（如INTEL的大连厂）了，要算上台湾的话，基本能做到世界最先进的水平（TCMC和中芯国际），不过知识产权是不是自己的就不好说了。第三个问题我会反问下考官是是指的电路形式还是工艺流程，因为现在有些企业负责的人自己业务都搞得不怎样，问问题也比较奇怪

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