因为半导体材料的应变效应是指由于材料的电阻率随受力而变化产生的现象,所以是电阻率变化产生的。
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。
电阻值随外界影响发生变化的现象称为电阻应变效应。在力(压力)的作用下产生的电阻应变效应,称为压阻效应。
在目前广泛应利用的电阻应变效应,包括金属电阻的应变效应和半导体应变效应两类;
金属电阻的应变效应主要是由于其几何形状的变化而产生的。
半导体材料的应变效应则主要取决于材料的电阻率随受力而变化产生的。
目前,通常所说的金属的电阻应变效应,是指将半导体材料附着在金属材料上形成的压阻效应,而不是金属材料本身的电阻应变效应。这两者实际上是有区别的。但在当前的应用水平上看,混为一谈也没有什么问题。
由下图所示可知,金属(或其它物体)在受到应力作用时,表面会发生形变,将半导体材料附着在相应的金属表面,在金属发生形变时,阻值将发生变化。根据阻值的变化和形变所需要的力,可测出力的大小。
根据金属的形状和受力方式,可测量应变、应力、力矩、位移、加速度、扭矩等物理参量。
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