光刻技术的原理是什么？

光刻工艺是利用类似照相制版的原理，在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术。也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再经过蚀刻工艺去除无用部分，所剩就是电路本身了。光刻工艺的流程中有制版、硅片氧化、涂胶、曝光、显影、腐蚀、去胶等。

光刻是制作半导体器件和集成电路的关键工艺。自20世纪60年代以来，都是用带有图形的掩膜覆盖在被加工的半导体芯片表面，制作出半导体器件的不同工作区。随着集成电路所包含的器件越来越多，要求单个器件尺寸及其间隔越来越小，所以常以光刻所能分辨的最小线条宽度来标志集成电路的工艺水平。国际上较先进的集成电路生产线是1微米线，即光刻的分辨线宽为1微米。日本两家公司成功地应用加速所产生的同步辐射X射线进行投影式光刻，制成了线宽为0.1微米的微细布线，使光刻技术达到新的水平。

光刻胶是光刻胶，ITO是ITO，两回事。光刻胶（Photo resist，PR）是应用在光刻工艺中的，具备感光性，ITO（氧化铟锡）是电极材料，一般是在镀膜工艺中沉积上去的。

沐里沐是钼铝钼，是金属电极的膜层材料。

在TFT制造中，钼铝钼只是栅极源极最常见的材料而已，而栅极和源极是必要的。作为膜层材料，镀膜肯定是一整层的，不过经过光刻和刻蚀工艺后，最终剩下的就是我们想要的图案了。

---