85后科学家制造出世界上最薄的鳍式晶体管,突破半导体工艺

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自然界中有 10 万种材料,其中约 5000 种是层状材料。如果将它两两组合或者三三组合,那么可能性远远大于 100 万种,其物理性质也大有不同。

纳米积木”(原子层范德华纳米材料及其异质结构),就是把不同的层状材料的单层或少层分离出来,像搭积木一样,通过堆叠、旋转等方式,设计特定的形状或结构,形成一个自然界中不存在的 “人造晶体”。

山西大学光电研究所韩拯就是玩转 “纳米积木” 的一位年轻教授,他通过设计特殊的结构,借用传统半导体器件的范例,在微纳米尺度新型半导体结构,展示了二维层状材料垂直组装电子器件的诸多新奇物理现象。

韩拯和合作者首次利用二维原子晶体替代硅基场效应鳍式晶体管的道沟材料,在实验室规模演示了目前世界上沟道宽度最小的鳍式场效应晶体管,将沟道材料宽度减小至 0.6 纳米。同时,获得了最小间距为 50 纳米的单原子层沟道鳍片阵列。

此外,他带领的研究团队首次报道的二维本征铁磁半导体自旋场效应器件,为继续寻找室温本征二维铁磁半导体提供了指导意义。

图 | 《麻省理工 科技 评论》“35 岁以下 科技 创新 35 人” 2020 年中国区榜单入选者韩拯

凭借上述研究成果,韩拯成功入选 “35 岁以下 科技 创新 35 人”(Innovators Under 35)2020 年中国区榜单,获奖理由为用二维功能材料制造新型的纳米电子器件,以新型的原子层次制造路线突破半导体工艺,为后摩尔时代晶体管工艺寻找新方案。

铅笔芯的主要成分是石墨,是典型的范德华材料。由于石墨中碳原子层与层之间的范德华结合力较弱,在纸上写字过程当中笔尖上“蹭”下来的二维碳纳米片,就成为了宏观下人们看到的字迹。直到 2000 年左右,英国曼彻斯特科学家安德烈・海姆(Andre Geim,AG)和康斯坦丁・诺沃肖洛夫(Konstantin Novoselov)首次把石墨的单原子层(约 0.3nm 厚)分离了出来,并因此获得了 2010 年诺贝尔物理学奖。

韩拯以此为灵感,对物理、材料工程、微观世界等科学领域愈发好奇,这也跟他的成长经历息息相关。

韩拯是江苏人,本科考入吉林大学物理学院,开始核物理专业学习。之后考入中国科学院金属研究所材料学硕士专业。2010 年,他在法国国家科学中心 CNRS 下属的 NEEL 研究所攻读纳米电子学与纳米 科技 博士学位。其导师对于他的评价是:“年轻躁动、充满创新活力。”

之后他作为博士后,在美国哥伦比亚大学物理系,从事范德华人工异质结构的维纳器件量子霍尔效应和电子光学等物理性能研究。

“随着对自身行业的不断深入了解和研究,渐渐地进入了角色,也爱上了科研。” 韩拯告诉 DeepTech。

期间,他作为共同第一作者,完成了二维d道输运电子在 pn 结界面的负折射工作,为实现新的电子开关创造了基础,被 Physics World 杂志评为 2016 年度十大物理学突破之一。

在 2015 年 9 月,而立之年的韩拯决定回国,之后一直在中国科学院金属研究所开展新型人工纳米器件的量子输运调控研究。

对于他而言,在研究当中最享受和最开心的事莫过于,本来一个不太明白的事,不断地通过数据积累与同行讨论之后把它弄明白。

之后,韩拯团队以少数层二硫化钼为研究体系,利用超薄(少数原子层)的六方氮化硼(h-BN)作为范德华异质结的隧穿层,系统开展了隧穿晶体管器件研究。

图 | 硫化钼隧穿晶体管光学照片(比例尺 5 微米)、多工作组态整流效应、以及垂直方面切面图

通过在金属和半导体 MoS2 界面之间引入隧穿层 h-BN,可有效降低界面处的肖特基势垒,从而实现通过局域栅电极对通道 MoS2 费米能级的精确静电调控。所获得的 MoS2 隧穿晶体管仅通过门电压调控,即可实现具有不同功能的整流器件,包括 pn 二极管、全关、np 二极管、全开器件。

这项工作首次将双向可调的二极管和场效应管集成到单个纳米器件中,为未来超薄轻量化、柔性多工作组态的纳米器件提供了研究思路。

之所以选择纳米新材料这个方向,除了自身专业背景之外,更重要的是韩拯对科学一直抱有好奇心。

对此,韩拯表示:“硬盘的读写速率速度越来越跟不上 CPU 的运行速度,如果能把它俩合到一起去做存算一体,可以提高计算机的性能。最直接的方法就是把硅半导体与磁复合到一起,变成一个磁性半导体。”

韩拯团队采用惰性气氛下原子层厚度的垂直组装,发现 3.5nm 厚的 Cr2Ge2Te6 材料在铁磁居里温度以下能够保持优秀的载流子导通性,并且能够实现电子与空穴的双极场效应。该型纳米器件在门电压调控下,磁性亦能得到有效调控,并且与电输运相仿,存在双极门电压可调特性。

“磁性的来源是电子自旋和自旋之间的相互作用。目前,人们发现的室温铁磁性基本上要么在金属当中,要么在绝缘体当中,半导体的磁性很难维持到室温。科学家们一直在积极研究寻找室温下堪用的磁性半导体。” 韩拯告诉 DeepTech。

少数层 Cr2Ge2Te6 是目前已知的首个拥有内禀自旋和电荷态密度双重双极可调特性的二维纳米电子材料,这为继续寻找室温本征二维铁磁半导体提供了一定的指导意义。

例如,来自新加坡国立大学的研究团队在该研究基础上,进一步加强了离子掺杂胶的载流子浓度,将少数层 Cr2Ge2Te6 的铁磁居里温度增强了 4 倍,达到 250K(零下 25 摄氏度)温度。

除此之外,韩拯与合作者首次针对具有巨大面内电导率各向异性的二维材料碲化镓,通过垂直电场实现了对该各向异性电阻率比值的调控,从 10 倍调控至高达 5000 倍,该数值为目前已知二维材料领域里报道的最高记录。

这意味着发现了电子世界的 “交通新规”:在晶格传输过程中,受外电场的影响,电子的导电特性沿着不同方向表现出了一定的差异。

也就是说,如果将电子传输通道比喻成两条垂直的繁华街道。当没有电场时,一条是另一条通过率的 10 倍左右。一旦施加一定强度的外电场,这两条 “车道” 上的电子通过率差别可高达 5000 倍。

站在科幻角度来描述,这种材料可以制作成为一种新型各向异性存储器,当该存储器中一次性写入的数据,沿其中一个方向读取出来的是一本小说,而沿另一个方向读取出来的,则是一部电影。

发现的二维极限 GaTe 纳米电子器件展示出了门电压可调的、面内巨各向异性电阻效应(Giant Anisotropic Resistance),为实现新型各向异性逻辑运算、存储单元、以及神经元模拟器件等提供了可能。

之后,韩拯与合作者湖南大学刘松教授、金属研究所孙东明教授等人,首次提出了利用二维原子晶体替代硅基场效应晶体管 FinFET 的 fin 的沟道材料,通过模板生长结合多步刻蚀的方法,制备出了目前世界上沟道宽度最小的(0.6nm)鳍式场效应晶体管(FinFET),也是目前世界上最薄的鳍式晶体管。

FinFET 是一种为了解决由于进一步集成化需求,硅基平面场效应晶体管的尺寸被进一步缩小所引起的短沟道效应等问题,采用将沟道和栅极制备成 3D 竖直形态的鳍(fin)式晶体管。然而,受限于目前微纳加工的精度,报道的硅基 FinFET 沟道宽度最小约为 5nm。

该团队采用自下而上 Bottom-up 的湿法化学沉积,在高度数百纳米台阶状的模板牺牲层上连续保形生长单层二维原子晶体半导体,最终将 FinFET 的沟道材料宽度缩小至单原子层极限的亚纳米尺度(0.6 nm),几乎达到物理极限。

同时,采用多重刻蚀等微纳加工工艺,基于此制备演示了最小间距为 50 nm 的单原子层沟道鳍片阵列,为后摩尔时代的场效应晶体管器件的发展提供了新方案。

在工业界,尤其在半导体工业,大家都希望芯片的尺度越来越小,性能越来越高。FinFET可以把平面通道变成站立通道,这样就节约了大量的空间,如此一次就能在更小的面积里,储存更多的芯片或运算单元。

简单来讲,韩拯其主要研究的是功能材料在尺寸非常非常小的时候,有哪些有趣的物理性质和新奇的物理行为,并进一步利用这些有趣的物理现象,来组装制造成纳米尺度下的低功耗、多功能、智能化的小型电子器件。

事实上,一些范德华材料已经在例如透明柔性电子、能源催化等诸多性能方面超越了传统材料,具有诱人的发展前景。

“团队目前虽然以基础研究为主,但也正在逐渐努力从实验室走向应用,我们需要进一步在原始创新以及与应用研究交叉结合等方面多下功夫”。如何实现从零到一的创造发明,并不断加强研究的深度,将是韩拯团队后续工作中的首要目标。

“我们知道这很难,但是仍然要努力学习做一名孤独的研究者,一方面,是静下心来钻研的孤独,另一方面,则是在创新创造上独树一帜。” 韩拯告诉 DeepTech。

在下一阶段,韩拯表示将继续深耕纳米积木领域,专注在新原理、新结构、新制造方式等科学目标。用自下而上、原子层次制造的路线,与目前主流的自上而下半导体工艺相结合,从而展现更多的可能性。

相信在摩尔定律行将失效不久的将来,小尺寸的突破口,一定出现在纳米制造领域,例如自组装、生物模版、原子层次 3D 打印等等。

上个世纪90年代,在半导体产业高标准过程管理需求下,催生了高度行业化以及定制化的MES制造执行系统,并演化成可集成模式的I-MES制造执行系统套件。

作为改革开放排头兵,我国第一个引进MES的企业是宝钢,20世纪80年代宝钢预见性的引进了MES管理系统,但是经过几年发展,我国MES系统相较于国外仍然处于劣势。

2015年,中国制造业MES迎来了重大战略机遇。为了对标德国的“工业4.0”以及美国的“工业互联网”战略, 中国推出了“中国制造2025”的战略 ,并制定了一系列的技术标准以及从产业政策上进行了大量的引导,MES系统也由单一的生产记录型系统,进化为全方位的企业级执行协同系统。

这三十年的发展,对于国产软件来说,可谓“凛冬”,但 伴随着国产替代和政策扶持浪潮越来越大,国产半导体MES的“破冰号角”即将吹响。

这个时期,国内MES的从业者将迎来巨大发展机会,一批技术储备雄厚的企业实现跨越式发展。同时,云化、低代码的新企业也开始入局, 使得赛道异常火热,竞争更为激烈

#赛道火热

半导体MES系统起初是由设备供应商提供的,作为最早一批提供半导体MES的供应商,consilium和Promis利用低廉的价格在当时展开了水深火热的竞争。

但是,后来两家企业均被本身做半导体设备商的应用材料收购。在收购了Consilium和brooks software之后,也让 应用材料成为全球当之无愧的半导体MES霸主

进入21世纪后,专门的MES系统提供商开始出现,比如IBM提供了SIView的解决方案。 SIView是目前唯一可以与应用材料一较高下的半导体MES系统

而目前,在半导体MES领域,绝大部分12英寸晶圆厂系统几乎被国外厂商所垄断,其中IBM和应用材料两大行业巨头“霸占”了国内80%的市场。

国产半导体MES系统能否从中突围,分获一杯羹,打破IBM和应用材料两大巨头的垄断,无疑对国产芯片制造有着重要的意义。

据了解,半导体制造端的软件主要是CIM软件,而在整个CIM系统中,MES又是核心系统。但是 技术壁垒高、验证时间长是半导体MES系统的特性 ,和半导体设备不同,半导体MES系统在晶圆厂的全产线上是不能有任何偏差,这也造成了半导体MES行业市场份额极为集中,且行业壁垒极高,新玩家很难进入这一市场。

随着晶圆尺寸从4英寸变为6英寸、8英寸、12英寸,芯片性能和制造要求在不断提升,晶圆厂的自动化水平也在不断提升,从人工产线变为半自动产线、自动产线, MES系统对晶圆厂生产越来越重要

值得一提的是,今年以来,国内半导体MES企业异军突起,获得资本和市场的高度关注,融资赛道异常火热。

2021年,各半导体MES/CIM领域的国产厂商凭借其专业人才、技术实力获得资本青睐,相继完成大额度融资,实现国产软件自主化。

# 凭实力竞争

上扬软件

成立于2001年的上扬软件,是国内首批专门为半导体、光伏、LED等高 科技 制造业提供MES、CIM等软件产品和解决方案的供应商。目前已拥有4、5、6、8、12寸半导体MES整体解决方案。除了myCIM(MES)以外,上扬软件还提供包括EAP、RMS、APC、FDC、RCM、MDM在内的子系统。

2021年5月,上扬软件完成C1轮融资,获得哈勃资本、兴橙资本、红土善利的投资。此前,上扬软件在2017年就获得了深创投的A轮融资,启动进入半导体高端市场;2019年获得北京屹唐华创、上海物联网的B轮融资,进入8/12寸MES的产品研发。 10月份,上扬软件又完成了由大基金二期领投,中芯聚源、浦东科投等跟投的新一轮数亿元融资。在资金的大力支持下,上扬软件拿下了国内CMOS晶圆代工厂商长光圆辰和存储厂商杭州驰拓的12英寸产线

芯享 科技

芯享 科技 成立于2018年,是国内领先的半导体晶圆制造、先进封装厂生产自动化CIM系统解决方案服务商,也是目前国内少数可以为8寸、12寸晶圆制造FAB提供整体自动化咨询与建设的高新技术企业,在半导体封测领域的数个技术方向上也打破了国际CIM厂商垄断,达到了世界先进水平。

芯享 科技 以MES生产执行为核心,通过生产计划等链入企业管理系统,为客户服务员。目前已拥有9家晶圆厂商客户,MES客户包括SK海力士和华虹等。 今年3月,芯享 科技 获得红杉中国、高瓴资本、华登国际联合领投的近亿元A轮融资

赛美特

2020年并购成立的赛美特,成功合并了具有多年半导体行业经验积累的“上海特劢丝”“固耀SEMI Integration“和“深圳微迅”三家公司。成立以来,致力于填补国内集成电路制造工业软件领域空白。

赛美特自主研发打造的国产CIM解决方案,涵盖1800多个满足8/12寸晶圆制造厂所需的功能,能够打破国外厂商垄断,是目前国内唯一可支持12寸晶圆全自动化生产的智能制造软件服务商。

2021年5月,赛美特获得5000万元A轮融资。 据了解,目前赛美特在上海成立了专门的MES事业部,其产品目前已用于50余座工厂,客户包括SK海力士、三星、紫光等。

哥瑞利

成立于2007年的哥瑞利,一直专注于打造中国自有的高端半导体智能制造CIM软件,目前已为半导体、面板、光伏、PCB、PCBA、半导体设备等多行业提供了全栈产品线及解决方案。研发服务团队超过300人,拥有21项专利和111项软件著作权(含申请中)。在半导体前道领域,其客户有中芯国际等。 11月12日哥瑞利获得由招商资本、国新风投深圳领投的3亿元新一轮融资

值得注意的是,2021年哥瑞利实现了全国产自研的MES在半导体12寸前道晶圆制造全自动化工厂的首次应用,预计在明年交付量产。

除了上述企业,国内其他软件企业也研发了半导体MES产品,比如华磊迅拓、乾元坤和等。但这些企业普遍以第三方开发服务起家,在与专业的半导体MES大厂比较时仍然有行业适配上的差距。

因此, “菜鸡互啄”的时代已经过去,留下来的都是专业选手的竞赛

#写在最后

“种一棵树,最好的时候是十年前,其次是现在”。在半导体行业也有一个说法,做半导体要么是20年前,要么是今天。

如今,在大基金、中芯聚源、华登国际、高瓴资本等各类资金的支持下,上扬软件等老牌玩家获得了更大的支持,芯享 科技 等新兴玩家也开始浮现, 国产半导体MES行业发展正步入快车道

而如何抓住当前行业快速发展的窗口,在行业增速放缓时,做好研发投入和营收的平衡,将会是国产半导体MES厂商需要面对的挑战。


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