1、半导体的导电能力与导体并不相同,两者对比的话,半导体导电能力比导体导电能力弱,不过比绝缘体导电性能强。在能带结构模型中,金属的电导率由费米能级附近电子的迁移率决定。半导体的电导率由价带顶部附近的空穴和导带底部的电子的共同迁移率决定。
2、电子和空穴的有效质量不相等,同一能带的电子和空穴的有效质量相等我的意思是导带电子的有效质量不等于价带空穴的有效质量,所以两者的电导率要分开讨论。半导体的导电性比导体弱,半导体只在熔融状态下导电。
3、当机械温度为零时,理论上价带中的电子占据所有位置。在外部电场的作用下,不会发生位置偏移,也不会产生电流。在禁带中,没有电子,也不会产生电流。理论上,电流产生取决于导带。半导体的导带中没有电子。当价带中的电子吸收能量时,就会跃迁到导带。价带中也会有空穴。在外部电场的情况下,它们将转变为导带中的电子和价带中的电子。
4、导体中的价带电子不是全能带,它们在外场的作用下直接产生电流。以上是一个简单的概念。半导体中的电子空穴传导和导电金属中的电子传导的根本区别,不考虑缺陷等的影响。对于理想的材料,电导率取决于电导率涉及的数量和迁移率。所以很容易观察半导体和金属的导电性。
5、参与传导的载流子数量包括电子和空穴。一般来说,金属的载流子远远多于半导体,尤其是这个证书的导体。金属是电子导电的,具有低质量和高迁移率,而半导体具有低空穴迁移率。
半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。这句话可以从以下两个方面理解。
从能带角度来看,导体(金属)没有导带和价带的概念,金属内的电子都是自由电子,可以认为金属的禁带宽度为0。半导体和绝缘体都具有导带和价带,但是半导体的导带底和夹带顶的能级差(禁带宽度)较小。在外界有光或热激发时电子有很大可能从价带底跃迁到导带顶,变为能够导电的电子。
从宏观角度理解。在改变一些条件的情况下,导体导电和绝缘体绝缘是不会发生改变的。但是半导体可以通过掺杂,光激发,升温等情形由绝缘变为导电。
正是因为半导体有这样的属性,所以在一块半导体上人们可以根据需要对部分区域进行掺杂来局部改变半导体的性质,这样在一块半导体上就能形成很多种器件结构,将这些器件结构用金属进行互联来形成有具体功能的电路就是我们日常使用的集成电路了。
在能带结构模型中,金属的导电能力是由费米能级附近的电子移动能力决定的。而半导体的导电能力是由价带顶附近的空穴,以及导带底的电子的共同的移动能力决定的。电子,空穴的有效质量不相等(同一个能带中的电子,空穴的有效质量是相等的;我的意思是说导带电子的有效质量与价带中空穴的有效质量不一样),因此这两者的导电性能要分开讨论。
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