半导体材料的特性参数

半导体材料虽然种类繁多但有一些固有的特性，称为半导体材料的特性参数。这些特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，而且更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下特性上的量的差别。常用的半导体材料的特性参数有：禁带宽度、电阻率、载流子迁移率(载流子即半导体中参加导电的电子和空穴)、非平衡载流子寿命、位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类晶体缺陷。位错密度可以用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度。当然，对于非晶态半导体是没有这一反映晶格完整性的特性参数的。

半导体CDBar(Current-Driven Bar)是一种用于测量电流的传感器，它可以将电流信号转换成可检测的变化。CDBar传感器由三个主要部分组成：测量电流的金属条，电流检测器和放大器。金属条由铝箔或铜制成，其中包含一个特殊的磁性材料，这种材料可以在电流流过时产生磁场。电流检测器是一种特殊的传感器，它可以检测到磁场的变化，并将其转换成电信号。最后，放大器将电信号转换成可检测的变化，可以在显示器上读取。CDBar传感器的优点在于它可以在高电流情况下测量电流，而且它的精度和稳定性也很高。

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