锗是一种重要的半导体材料,基态锗原子的价层电子排布图

电子排布式书写时，要由内到外按电子亚层顺序书写。

锗电子排布:

所以锗的电子排布才应该是：2（1s2），8（2s2+2p6），18（3s2+3p6+3d10），4（4s2+4p2）。

所以锗的基态原子电子排布式：1s2,2s2,2p6,3s2,3p6,4s2,3d10,4p2。

锗：锗(旧译作鈤 )是一种化学元素，它的化学符号是Ge，原子序数是32。在化学元素周期表中位于第4周期、第IVA族。它是一种灰白色类金属，有光泽，质硬，属于碳族，化学性质与同族的锡与硅相近。在自然中，锗共有五种同位素，原子量在70至76之间。它能形成许多不同的有机金属化合物。

半导体材料:半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm~1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。

元素半导体 在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布着11种具有半导性半导体材料的元素，C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态B、Si、Ge、Te具有半导性Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解，所以它们的实用价值不大。As、Sb、Sn的稳定态是金属，半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。

电子能量向上增加，空穴能量向下增加。

导带底是导带的最低能级，可看成是电子的势能，通常，电子就处于导带底附近；离开导带底的能量高度，则可看成是电子的动能。当有外场作用到半导体两端时，电子的势能即发生变化，从而在能带图上就表现出导带底发生倾斜；反过来，凡是能带发生倾斜的区域，就必然存在电场。

扩展资料：

价带的能量低于导带，由许多准连续的能级组成的。但是价带中的许多电子（价电子）并不能导电，而少量的价电子空位——空穴才能导电，故称空穴是载流子。空穴的最低能量——势能，也就是价带顶，通常空穴就处于价带顶附近。

对于掺杂半导体，电子和空穴大多数是由杂质来提供的。能够提供电子的杂质称为施主；能够提供空穴的杂质称为受主。施主的能级处在靠近导带底的禁带中；受主的能级处在靠近价带顶的禁带中。

参考资料来源：百度百科-导带