mos管工作原理通俗易懂是什么？

在金属中，响应外加场的电子密度非常大，以至于外部电场只能穿透很短的距离进入材料。然而，在半导体中，可以响应外加场的较低密度的电子（可能还有空穴）足够小，以至于场可以穿透到材料中很远。这种场穿透会改变半导体表面附近的导电性。

发生表面电导的变化是因为施加的场将电子可用的能级改变到距离表面相当大的深度，这反过来又改变了表面区域中能级的占有率。对这种效应的典型处理是基于带弯曲图，该图显示了带边缘的能量位置作为材料深度的函数。

两层结构由绝缘体作为左侧层和半导体作为右侧层。这种结构的一个例子是MOS 电容器，它是一种由金属栅极触点、具有体触点的半导体本体（例如硅）和中间绝缘层（例如二氧化硅）组成的双端子结构，因此指定O）。

导带的最低能级和价带的最高能级。这些电平被正电压V的施加“弯曲” 。

由绝缘体作为左侧层和半导体作为右侧层。这种结构的一个例子是MOS 电容器，它是一种由金属栅极触点、具有体触点的半导体本体 （例如硅）和中间绝缘层（例如二氧化硅）组成的双端子结构，因此指定O）。导带的最低能级和价带的最高能级。这些电平被正电压V的施加“弯曲” 。

按照惯例，会显示电子的能量，因此穿透表面的正电压会降低导电边缘。虚线描绘了占据情况：低于该费米能级的状态更可能被占据，导带向费米能级靠拢，表明更多电子在绝缘体附近的导带中。

组成

FET由各种半导体构成，目前硅是最常见的。大部分的FET是由传统块体半导体制造技术制造，使用单晶半导体硅片作为反应区，或者沟道。

大部分的不常见体材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶体管中，或者有机场效应晶体管中的非晶半导体。有机场效应晶体管基于有机半导体，常常用有机栅绝缘体和电极。

电力MOSFET的输出特性分为：

（1）截止区（对应于GTR的截止区）；

（2）饱和区（对应于GTR的放大区）；

（3）非饱和区（对应于GTR的饱和区）。

电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。

扩展资料

MOSFET的核心是金属—氧化层—半导体电容。氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅，这样的结构正好等于一个电容器。

氧化层扮演电容器中介电质的角色，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。

当一个电压施加在MOS电容的两端时，半导体的电荷分布也会跟著改变。考虑一个P型的半导体（空穴浓度为NA）形成的MOS电容，当一个正的电压VGB施加在栅极与基极端时，空穴的浓度会减少，电子的浓度会增加。

当VGB够强时，接近栅极端的电子浓度会超过空穴。这个在P型半导体中，电子浓度（带负电荷）超过空穴（带正电荷）浓度的区域，便是所谓的反转层。

MOS电容的特性决定了MOSFET的 *** 作特性，但是一个完整的MOSFET结构还需要一个提供多数载流子的源极以及接受这些多数载流子的漏极。

参考资料来源：百度百科--全控型器件

参考资料来源：百度百科--MOSFET

fet场效应管mos是金属—氧化物—半导体mosfet是金属—氧化物—半导体场效应管mos结构就是采用金属—氧化物—半导体场效应管构成的mos电容是通过一定接法把mos管用作电容。主要是在集成电路设计中使用。

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