半导体中vt是什么

半导体中vt是三极管。

以前的三极管就是电真空管：vacuum triode, 缩写就是VT。

后来有了半导体器件，VT就沿用了下来。

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

我国SMIC成为世界第三大合约芯片生产商

据报道，我国大陆的合约半导体生产商中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)已经挤掉新加坡特许半导体制造公司，在2005年成为世界第三大硅芯片供应商。

SMIC去年的市场份额为6.4％，销售额11.7亿美元，年增20.1％，超过了特许半导体的6.2％、11.3亿美元、2.6％。

在SMIC之前位列第一和第二的分别是我国台湾的TSMC(台积电)和UMC(联电)。2005年TSMC的份额高达44.8％，销售额82.2亿美元，年增7.2％；UMC份额为15.4％，销售额28.2亿美元，下降19.3％。排名第五的是IBM生产部门，份额4.5％，销售额8.23亿美元，年增2.1％。

其他排名前十的合约芯片生产商还有：韩国MagnaChip半导体(2.1％，3.96亿美元)、台湾Vanguard国际半导体(1.9％，3.54亿美元)、韩国Dongbu半导体(1.9％，3.47亿美元)、我国上海Hua Hong NEC(1.7％，3.05亿美元)、美国捷智Jazz半导体(1.1％，2.10亿美元)。

芯片生产商一览表

A-Data Technology

Advanced Analogic Technologies

Advanced Linear Devices

Advanced Micro Devices （美国先进微电子器件公司）

Advanced Monolithic Systems

Advanced Power Technology

Advanced Semiconductor

AECO(日本阿伊阔公司)

AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司)

Aeroflex Circuit Technology

Agere Systems

Agilent(Hewlett-Packard)

Allegro MicroSystems

Alpha Industries

Altera Corporation

AMIC Technology

ANADIGICS, Inc

Analog Devices (美国模拟器件公司)

Analog Intergrations Corporation

Analog Microelectronics

Analog Systems (美国模拟系统公司)

Apuls Intergrated Circuits

Asahi Kasei Microsystems

ATMEL Corporation

AUK corp

austriamicrosystems AG

AVX Corporation

AZ Displays

Boca Semiconductor Corporation

Brilliance Semiconductor

Burr-Brown Corporation

Bytes

C&D Technologies

California Micro Devices Corp

Calogic, LLC

Catalyst Semiconductor

Central Semiconductor Corp

Ceramate Technical

Cherry Semiconductor Corporation (美国切瑞半导体器件公司)

Chino-Excel Technology

Cirrus Logic

Clare, Inc.

CML Microcircuits

Comchip Technology

Compensated Deuices Incorporated

Cypress Semiconductor

Daewoo Semiconductor (韩国大宇电子公司)

Dallas Semiconducotr

Dc Components

DENSEI-LAMBDA

Diodes Incorporated

Diotec Semiconductor

Dynex Semiconductor

EIC discrete Semiconductors

ELAN Microelectronics Corp

Elantec Semiconductor

Elpida Memory

Epson Company

Ericsson

ETC

Etron Technology, Inc.

Exar Corporation

Fairchild Semiconductor (美国仙童公司)

Filtronic Compound Semiconductors

Formosa MS

Fuji Electric

Fujitsu Media Devices Limited (日本富士通公司)

General Semiconductor

General Instruments [GI] (美国通用仪器公司)

Gilway Technical Lamp

GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]

GOOD-ARK Electronics

Hamamatsu Corporation

Harris Corporation

Hi-Sincerity Mocroelectronics

Hirose Electric

Hitachi Semiconductor (日本日立公司)

Hittite Microwave Corporation

Holt Integrated Circuits

Holtek Semiconductor Inc

Humirel

Hynix Semiconductor

IMP, Inc

Impala Linear Corporation

Infineon Technologies AG

InnovASIC, Inc

inntech (美国英特奇公司)

Integrated Circuit Solution Inc

Integrated Circuit Systems

Integrated Device Technology

Intel Corporation

International Rectifier

Intersil Corporation (美国英特锡尔公司)

ITT(德国ITT-半导体公司)

Jinan Gude Electronic Device

KEC(Korea Electronics)

Kemet Corporation

Knox Semiconductor, Inc

Kodenshi Corp

Kyocera Kinseki Corpotation

Lattice Semiconductor

LEM

Leshan Radio Company

Level One�?s

Linear Technology

Lite-On Technology Corporation

Littelfuse

LOGIC Devices Incorporated

LSI Computer Systems

Macronix International

Marktech Corporate

Matsushita Electric Works(Nais)

Maxim Integrated Products （美国）美信集成产品公司

Micrel Semiconductor

Micro Commercial Components

Micro Electronics

Micro Linear Corporation

MICRO NETWORK(美国微网路公司)

MICRO POWER SYSTEMS(美国微功耗系统公司)

AMERICAN MICRO SYSTEMS(美国微系统公司)

Microchip Technology

Micron Technology

Micropac Industries

Microsemi Corporation

Mitel Networks Corporation

MITEL SEMICONDUCTOR(加拿大米特尔半导体公司)

Mitsubishi Electric Semiconductor (日本三菱电机公司)

Mosel Vitelic, Corp

Mospec Semiconductor

MOSTEK(美国莫斯特卡公司)

Motorola, Inc (美国莫托罗拉半导体产品公司)

MULLARD(英国麦拉迪公司)

National Semiconductor (美国国家半导体公司)

NEC ELECTRON(日本电气公司)

New Japan Radio (新日本无线电公司)

Nippon Precision Circuits Inc

NITRON(美国NITROR公司)

NTE Electronics

OKI electronic componets (日本冲电气有限公司)(美国OKI半导体公司)

ON Semiconductor

OTAX Corporation

Pan Jit International Inc.

Panasonic Semiconductor (日本松下电器公司)

PerkinElmer Optoelectronics

Philips Semiconductors (荷兰菲利浦公司)

PLESSEY(英国普利西半导体公司) Plessey

PMC-Sierra, Inc

Polyfet RF Devices

Power Innovations Limited

Power Integrations, Inc.

Power Semiconductors

Power-One

Powerex Power Semiconductors

Powertip Technology

Precid-Dip Durtal SA

Princeton Technology Corp

PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)

QT Optoelectronics

QUALCOMM Incorporated

RAYTHEON(美国雷声公司)

RCA(美国无线电公司)

Recom International Power

Rectron Semiconductor

RF Micro Devices

RICOH electronics devices division

Rohm (日本东洋电具制作所)(日本罗姆公司)

Sames

Samsung semiconductor (韩国三星电子公司)

Sanken electric (日本三肯电子公司)

Sanyo Semicon Device (日本三洋电气公司)

Seiko Instruments Inc

Seme LAB

Semicoa Semiconductor

Semtech Corporation

Semtech International Holdings Limited

SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司)

Shanghai Lunsure Electronic Tech

Shanghai Sunrise Electronics

Sharp Electrionic Components [日本夏普(声宝)公司]

Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

Siemens Semiconductor Group (德国西门子公司)

SiGe Semiconductor, Inc.

SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)

SILICON GENERAL(美国通用硅片公司)

Silicon Storage Technology, Inc

Sipex Corporation

SOLITRON(美国索利特罗器件公司) Solitron

SONiX Technology Company

Sony Corporation (日本索尼公司)

SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司)

SSS(美国固体科学公司)

STMicroelectronics

Supertex, Inc

Surge Components

System Logic Semiconductor

Taiwan Memory Technology

Taiyo Yuden (U.S.A.), Inc

Teccor Electronics

TelCom Semiconductor, Inc

TEMIC Semiconductors

TEXAR INTEGRATED SYSTEMS(美国埃克萨集成系统公司)

Texas Instruments (美国德克萨斯仪器公司)

Thermtrol Corporation

THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司)

TOKO, Inc

Tontek Design Technology

Torex Semiconductor

Toshiba Semiconductor

TRACO Electronic AG

Traco Electronic AG

TRANSYS Electronics Limited

TriQuint Semiconductor

TRSYS

TRW LSI PRODUCTS(美国TRW大规模集成电路公司)

Tyco Electronics

UMC Corporation

UNISEM

Unisonic Technologies

United Monolithic Semiconductors

Unity Opto Technology

Vaishali Semiconductor

Vanguard International Semiconductor

Vicor Corporation

Vishay Siliconix

Vishay Telefunken

Winbond

Wing Shing Computer Components

Wolfgang Knap

Wolfson Microelectronics plc

Won-Top Electronics

Xicor Inc.

Xilinx, Inc

YAMAHA(日本雅马哈公司)

Zetex Semiconductors

Zilog, Inc.

Zowie Technology Corporation

所谓半导体就是指导电性能介于金属导体和绝缘体之间的物质，一般是固体（如锗、硅和某些化合物），其中杂质含量和外界条件的改变(如温度变化、受光照射等)都会使其导电性发生变化。 目前半导体元件包括 ： 二极管、三极管、场效应管、晶闸管、达林顿管、LED以及含有半导体管的集成块、芯片等。 ① 二极管： 二极管，（英语：Diode），电子元件当中，二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。 ② 三极管： 由三个电极组成的一种电子元件。有电子管三极管和半导体三极管两种。电子管三极管由屏极、栅极、阴极组成；半导体三极管由集电极、基极、发射极组成。 ③ 场效应管： 场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点： （1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID； （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强； （6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。 ④ 晶闸管： 晶闸管导通条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。 ⑤ 达林顿管 达林顿管原理 达林顿管又称复合管。它将二只三极管适当的连接在一起，以组成一只等效的新的三极管。这等效于三极管的放大倍数是二者之积。达林顿管的应用： （1）用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路。 （12驱动小型继电器 利用CMOS电路经过达林顿管驱动高灵敏度继电器的电路，如右上图所示。虚线框内是小功率NPN达林顿管FN020。 （3）驱动LED智能显示屏 ⑥ LED二极管 发光二极管（LightEmitting Diode,LED），是一种半导体组件。初时多用作为指示灯、显示发光二极管板等；随着白光LED的出现，也被用作照明。 LED被称为第四代照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。 以上就是简单整理的几大常用的半导体电子元器件，在电子领域应用非常的广泛，大家可以了解下。 本文由IC先生网编辑整理，有任何问题欢迎交流讨论。

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